本申请涉及显示，尤其涉及一种像素结构、像素结构的制备方法和修复方法。
背景技术：
1、随着液晶面板的发展以及消费者对高分辨率、高刷新率、高穿透率产品的追求，ffs(fringe field switching,简称ffs，边缘电场转换)屏幕产品越来越受青睐。现有的ffs液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板包括多条栅极线(gate line)、多条数据线(dataline)、多条栅极线和多条数据线交叉排列限定的多个像素区域(pixel ar-ea)。像素区域中包含由铟锡氧化物(indium tin oxide,简称ito)形成的像素电极及公共电极、以及设置在数据线和栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)。
2、薄膜晶体管作为是否施加电压到像素电极的开关元件，在液晶显示装置的生产过程中，常易受到制作工序污染或是静电破坏，使得薄膜晶体管异常短路或断路，或者由于导电微粒的影响而使得像素区域中的像素电极和公共电极之间短路，则像素不能正常显示，从而造成像素的亮点和暗点，在亮点发生的时候常常会采用激光来进行修补，但是有机平坦层易收缩塌陷，像素电极与公共电极均采用ito材料，用激光熔接就很难实现，导致像素暗点化失败。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种像素结构、像素结构的制备方法和修复方法，提高像素暗点化修复成功的几率。
2、本申请公开了一种像素结构，包括薄膜晶体管和像素电极层，，所述像素结构还包括有机平坦层、公共电极层和第一绝缘层；所述像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，所述像素结构包括熔断区和熔接区，所述薄膜晶体管和第一像素电极设置在所述熔断区，所述公共电极层和第二像素电极设置在所述熔接区，所述有机平坦层和所述第一绝缘层覆盖设置在所述熔断区和所述熔接区内，且所述有机平坦层对应所述熔接区形成有第一镂空部；其中，所述公共电极层与所述第二像素电极设置在所述第一镂空部，所述熔接区内的所述有机平坦层的厚度小于所述熔断区内的有机平坦层的厚度。
3、可选的，所述像素结构包括衬底和第一辅助导电层，所述薄膜晶体管与第一辅助导电层均设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管的栅极金属层与所述第一辅助导电层同层间隔设置，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层往所述熔接区延伸，并在所述第一镂空部下镂空，所述第一辅助导电层设置在所述熔接区的第一镂空部下。
4、可选的，所述第一辅助导电层包括第一金属层，所述第一金属层与所述薄膜晶体管的栅极金属层由同一制程形成；
5、其中，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层往所述熔接区的延伸方向上，所述第一金属层的长度大于所述第一镂空部的长度。
6、可选的，所述第一辅助导电层包括铟锡氧化物，所述第一辅助导电层设置在位于所述第一镂空部下的所述薄膜晶体管的栅极绝缘层的下方。
7、可选的，所述像素结构还包括第二辅助导电层，所述第二辅助导电层设置在延伸至熔接区的所述栅极绝缘层上，且位于所述第一辅助导电层的上方；
8、其中，所述第二辅助导电层由金属材料形成，与所述薄膜晶体管的源极金属层和漏极金属层由同一制程形成，所述第二辅助导电层包括第一区和第二区，所述第一区位于所述第一镂空部下，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层往所述熔接区的延伸方向上，所述第一区的长度大于所述第二区的长度。
9、可选的，所述像素结构包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管上，所述第二绝缘层从所述熔断区延伸至所述熔接区，所述薄膜晶体管的漏极金属层延伸至所述熔接区，所述熔接区内的第二绝缘层设置在所述熔接区内的漏极金属层上，所述熔接区内的漏极金属层位于所述第一镂空部下。
10、本申请还公开了一种像素结构的制备方法，用于制备如上任一所述的像素结构，所述像素结构包括熔断区和熔接区，所述制备方法包括步骤：
11、在第一衬底上形成薄膜晶体管；
12、在薄膜晶体管的上方形成有机平坦层；
13、所述有机平坦层对应所述熔接区形成有第一镂空部；以及
14、在有机平坦层上形成像素电极层、第一绝缘层和公共电极层；
15、其中，所述熔接区内的所述有机平坦层的厚度小于所述熔断区内的有机平坦层的厚度。
16、可选的，所述在第一衬底上形成薄膜晶体管的步骤还包括以下步骤：
17、在形成薄膜晶体管的栅极金属层的同时，在熔接区形成第一辅助导电层；以及
18、在形成薄膜晶体管的源极金属层和漏极金属层后形成第二绝缘层、第二辅助导电层；
19、其中，所述第二辅助导电层的第一区位于所述第一镂空部的下方。
20、本申请还公开了一种像素结构的修复方法，用于修复如上任一所述的像素结构，所述修复方法包括如下步骤：
21、提供一如上任一所述的像素结构；以及
22、检测熔接区是否异常，若熔接区发生异常，导致像素电极层中的第一像素电极与薄膜晶体管不能有效接触时，采用激光对熔接区对应于所述第一镂空部内的第二像素电极和公共电极层进行镭射处理，使得第二像素电极与公共电极层熔接在一起；
23、其中，所述熔接区内的所述有机平坦层的厚度小于所述熔断区内的有机平坦层的厚度。
24、可选的，所述第一镂空部内，对应所述公共电极层的下方设置第二绝缘层和第一辅助导电层，所述检测熔接区是否异常，若熔接区发生异常，导致像素电极层中的第一像素电极与薄膜晶体管不能有效接触时，采用激光对熔接区对应于所述第一镂空部内的第二像素电极和公共电极层进行镭射处理，使得第二像素电极与公共电极层熔接在一起的步骤还包括以下步骤：
25、检测熔接区是否异常，若熔接区发生异常，导致像素电极层中的第一像素电极与薄膜晶体管不能有效接触时，采用激光切断所述薄膜晶体管的源极金属层与数据线之间的连接，以及所述薄膜晶体管的漏极金属层与第一像素电极之间的连接；
26、采用激光对熔接区对应于所述第一镂空部内的第二像素电极和公共电极层进行镭射处理，使得第二像素电极与公共电极层在所述第一辅助导电层处熔接在一起。
27、相对于在有机平坦层上将像素电极和公共电极进行熔接的方案来说，本申请将一个像素结构划分为熔断区和熔接区，在熔接区，将有机平坦层设置第一镂空部，即在熔接区将有机平坦层挖空，这样在对像素电极和公共电极进行熔接的时候，不用担心有机平坦层出现收缩塌陷，导致像素电极在进行镭射的时候出现飞溅，使得像素暗点化失败，提高像素暗点化成功的几率，从而提高oxide产品的良率。
1.一种像素结构，包括薄膜晶体管和像素电极层，其特征在于，所述像素结构还包括有机平坦层、公共电极层和第一绝缘层；所述像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，所述像素结构包括熔断区和熔接区，所述薄膜晶体管和第一像素电极设置在所述熔断区，所述公共电极层和第二像素电极设置在所述熔接区，所述有机平坦层和所述第一绝缘层覆盖设置在所述熔断区和所述熔接区内，且所述有机平坦层对应所述熔接区形成有第一镂空部；
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括衬底和第一辅助导电层，所述薄膜晶体管与第一辅助导电层均设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管的栅极金属层与所述第一辅助导电层同层间隔设置，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层往所述熔接区延伸，并在所述第一镂空部下镂空，所述第一辅助导电层设置在所述熔接区的第一镂空部下。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一辅助导电层包括第一金属层，所述第一金属层与所述薄膜晶体管的栅极金属层由同一制程形成；
4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一辅助导电层包括铟锡氧化物，所述第一辅助导电层设置在位于所述第一镂空部下的所述薄膜晶体管的栅极绝缘层的下方。
5.如权利要求3或4所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第二辅助导电层，所述第二辅助导电层设置在延伸至熔接区的所述栅极绝缘层上，且位于所述第一辅助导电层的上方；
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管上，所述第二绝缘层从所述熔断区延伸至所述熔接区，所述薄膜晶体管的漏极金属层延伸至所述熔接区，所述熔接区内的第二绝缘层设置在所述熔接区内的漏极金属层上，所述熔接区内的漏极金属层位于所述第一镂空部下。
7.一种像素结构的制备方法，用于制备如权利要求1-6任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括熔断区和熔接区，所述制备方法包括步骤：
8.如权利要求7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述在第一衬底上形成薄膜晶体管的步骤还包括以下步骤：
9.一种像素结构的修复方法，用于修复如权利要求1-6任意一项所述的像素结构，其特征在于，包括如下步骤：
10.如权利要求9所述的像素结构的修复方法，其特征在于，所述第一镂空部内，对应所述公共电极层的下方设置第二绝缘层和第一辅助导电层，所述检测熔接区是否异常，若熔接区发生异常，导致像素电极层中的第一像素电极与薄膜晶体管不能有效接触时，采用激光对熔接区对应于所述第一镂空部内的第二像素电极和公共电极层进行镭射处理，使得第二像素电极与公共电极层熔接在一起的步骤还包括以下步骤：
