发光装置和包括其的电子设备的制作方法

发光装置和包括其的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年11月23日提交的韩国专利申请第10-2020-0158051号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分陈述。
技术领域
3.一个或多个实施方式一般涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.在发光装置中，自发射器件具有宽视角、优异的对比度、短响应时间、优异的亮度、优良的驱动电压和卓越的响应速度特性。
5.在典型的发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。以这种方式，载流子(例如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子，激子从激发态跃迁到基态从而产生光。
6.本节中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.一个或多个实施方式提供了发光装置，该发光装置包括包含第一化合物的第一电子传输层以及包含第二化合物的第二电子传输层，使得该发光装置能够具有高耐热性、低驱动电压、高效率和长寿命。
8.一个或多个实施方式提供了包括发光装置的电子设备，该发光装置包括包含第一化合物的第一电子传输层以及包含第二化合物的第二电子传输层，使得该发光装置能够具有高耐热性、低驱动电压、高效率和长寿命。
9.另外的方面将在随后的详细描述中阐述，并且部分地将从本公开中显而易见，或可通过本发明构思的实践而认识到。
10.根据一个或多个实施方式，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，该夹层包括发射层。夹层进一步包括第一电子传输层和第二电子传输层。第一电子传输层和第二电子传输层在发射层和第二电极之间。第一电子传输层包括由式1表示的第一化合物，并且第二电子传输层包括由式2表示的第二化合物。
11.式1为：
(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。此外，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基和联苯基中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
16.根据一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。该发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，该夹层包括发射层。夹层进一步包括第一电子传输层和第二电子传输层。第一电子传输层和第二电子传输层在发射层和第二电极之间。第一电子传输层包括由式1表示的第一化合物，并且第二电子传输层包括由式2表示的第二化合物。
17.式1为：
[0018][0019]
式2为：
[0020][0021]
在式1和式2中：x
11
至x
13
中的两个为n，并且x
11
至x
13
中的剩余一个为c(r
15
)；x
21
至x
26
各自独立地为c(r
21
)或n，x
21
至x
23
中的至少一个和x
24
至x
26
中的至少一个为n；cy
11
和cy
12
各自独立地为c
3-c
60
碳环基；cy
21
为未取代的或被至少一个r
22
取代的亚萘基或者未取代的或被至少一个r
22
取代的亚芴基；l
11
至l
13
、l
21
和l
22
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；a11至a13、a21和a22各自独立地为选自1至5的整数；ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；b11和b12各自独立地为选自1至5的整数；r
11
至r
15
、r
21
和r
22
各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的
或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基；-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；c11为选自1至3的整数；c12为选自1至4的整数；数量为c11的r
11
中的两个相邻基团、数量为c12的r
12
中的两个相邻基团、r
13
、r
14
或其任何组合任选地彼此连接并形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的环状基团；r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)；各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)；或
[0022]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。此外，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自独立地未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基和联苯基中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0023]
前述一般描述和以下详细描述是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
[0024]
包括所附附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且所附附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，所附附图示出了本发明构思的实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
[0025]
图1为根据实施方式的发光装置的示意性截面图；并且
[0026]
图2和图3为根据各种实施方式的电子设备的示意性截面图。
具体实施方式
[0027]
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对各种实施方式的透彻理解。如本文使用的，术语“实施方式”和“实施”可以互换使用，并且是采用本文公开的一个或多个本发明构思的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种实施方式可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实现。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地混淆各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，实施方式的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方式中使用或实施。
[0028]
除非另外规定，否则所阐释的实施方式应理解为提供一些实施方式的不同细节的示例特征。因此，除非另外规定，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区、方面等(下文单独或统称为“元件”或“多个元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重排。
[0029]
在所附附图中使用交叉影线和/或阴影通常是为了使相邻元件之间的边界清楚。这样，除非规定，否则交叉影线或阴影的存在或缺少都不表达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在所附附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。这样，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以不同地实施时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时进行，或者以与所描述的顺序相反的顺序进行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
[0030]
当元件(比如层)被称为在另一个元件“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件时，它可直接在另一个元件上、直接连接到或直接联接到另一个元件，或者可存在居间元件。然而，当元件被称为“直接”在另一个元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件时，不存在居间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应以类似的方式来解释，例如，“之间”与“直接之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在
…
上”与“直接在
…
上”等。此外，术语“连接”可指物理连接、电连接和/或流体连接。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或多个的任意组合，比如，例如，xyz、xyy、yz和zz。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。
[0031]
虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语所限制。这些术语用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。此外，如本文使用的术语“夹层”是指发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。此外，如本文使用的表述“(夹层和/或封盖层)包括至少一种由式1或式2表示的化合物”可以包括其中“(夹层和/或封盖层)包括相同的由式1或式2表示的化合物”的情况和其中“(夹层和/或封盖层)包括两种或更多种不同的由式1或式2表示的化合物”的情况。
[0032]
空间相对术语，比如“之下”、“下方”、“下面”、“下”、“上面”、“上方”、“上”、“之上”、“高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可以在本文中用于描述目的，从而描述如附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随之被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他定向)，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
[0033]
本文使用的术语是为了描述一些实施方式的目的，而不是旨在限制。如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另外指出。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，表明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还要注意的是，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且同样地，用于说明本领域普通技术人员会认识的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
[0034]
参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意性图示的截面图、等轴图、透视图、平面图和/或分解图，本文描述了各种实施方式。这样，由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化是可以预期的。因此，本文公开的实施方式不应被解释为限于特定的所图示的区的形状，而是解释为包括例如由于制造导致的形状偏差。为此，附图中示出的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可能不反映装置的区的实际形状，并且这样，不旨在限制。
[0035]
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，比如常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确如此定义。
[0036]
下文，将参考所附附图详细地解释各个实施方式。
[0037]
图1为根据实施方式的发光装置10的示意性截面图。
[0038]
发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。下文，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0039]
第一电极110
[0040]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。基板可为玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)和聚醚酰亚胺中的至少一种。
[0041]
第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于注入空穴的高功函数材料。
[0042]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)和氧化锌(zno)中的至少一种。在实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)和镁-银(mg-ag)中的至少一种可用作用于形成第一电极110的材料。
[0043]
第一电极110可具有由单层结构组成的单个层或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0044]
夹层130
[0045]
夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层，位于第一电极110和发射层之间的空穴传输区，以及位于发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0046]
除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和无机材料(例如，量子点等)等中的至少一种。
[0047]
在实施方式中，夹层130可包括：i)顺序堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元；和ii)位于两个发射单元之间的电荷产生层。当夹层130包括如上所述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0048]
第一电子传输层和第二电子传输层
[0049]
夹层130可包括第一电子传输层和第二电子传输层。第一电子传输层和第二电子
传输层可位于发射层和第二电极150之间。
[0050]
第一电子传输层可包括由式1表示的第一化合物，并且第二电子传输层可包括由式2表示的第二化合物：
[0051]
式1
[0052][0053]
式2
[0054][0055]
在式1中，x
11
至x
13
中的两个可为n，x
11
至x
13
中的剩余一个可为c(r15)。
[0056]
例如，在式1中：
[0057]
x
11
和x
12
可为n，且x
13
可为c(r
15
)，
[0058]
x
11
和x
13
可为n，且x
12
可为c(r
15
)；或
[0059]
x
12
和x
13
可为n，且x
11
可为c(r
15
)。
[0060]
在式2中，x
21
至x
26
可各自独立地为c(r
21
)或n，且x
21
至x
23
中的至少一个和x
24
至x
26
中的至少一个可为n。
[0061]
在实施方式中，式2中x
21
至x
26
中的每一个可为n。
[0062]
在式1中，cy
11
和cy
12
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基。
[0063]
在实施方式中，cy
11
和cy
12
可各自独立地为苯基、萘基、菲基、蒽基或芘基。
[0064]
例如，cy
11
和cy
12
可各自独立地为苯基或萘基。
[0065]
在实施方式中，式1中由表示的基团可为由式1a-1至式1a-5中的一个表示的基团：
[0066][0067]
在式1a-1至式1a-5中：
[0068]r10aa
和r
10ab
可各自独立地与结合r
10a
描述的相同；
[0069]
c12'可为1或2；
[0070]
c13可为选自1至4的整数；
[0071]r11
至r
14
、c11、c12和r
10a
可与本文描述的相同；并且
[0072]
*指示与相邻原子的结合位点。
[0073]
在式2中，cy
21
可为未取代的或被至少一个r
22
取代的亚萘基或者未取代的或被至少一个r
22
取代的亚芴基。r
22
与本文描述的相同。
[0074]
本文使用的亚芴基可包括具有螺结构的亚芴基。
[0075]
在实施方式中，式2中的cy
21
可为由式2a-1至式2a-15中的一个表示的基团：
[0076]
在式2a-1至式2a-15中：
[0077]y21
可为o或s；
[0078]r22a
、r
22b
、r
22c
和r
22d
可各自独立地与结合r
22
描述的相同，并且可任选地经由单键、c
1-c5亚烷基、c
2-c5亚烯基、o或s而彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的环状基团；
[0079]
b21可为选自1至6的整数；
[0080]
b22可为选自1至3的整数；
[0081]
b23可为选自1至4的整数；
[0082]r22
可与本文描述的相同；并且
[0083]
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。
[0084]
在实施方式中，式2中的cy
21
可为由式2aa-1至式2aa-22中的一个表示的基团：
[0085]
在式2aa-1至式2aa-22中：
[0086]“ph”指苯基；并且
[0087]
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。
[0088]
在式1和式2中，l
11
至l
13
、l
21
和l
22
可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0089]
在实施方式中，l
11
至l
13
、l
21
和l
22
可各自独立地为：
[0090]
单键；或
[0091]
各自未被取代或被下述中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0092]q31
至q
33
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0093]
在实施方式中，l
11
至l
13
、l
21
和l
22
可各自独立地为单键或由式3-1至式3-25中的一个表示的基团：
[0094]
[0095][0096]
在式3-1至式3-25中：
[0097]
y1可为o、s、c(z3)(z4)、n(z5)或si(z6)(z7)；
[0098]
z1至z7可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三嗪基、苯并咪唑基、菲咯啉基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)或-b(q
31
)(q
32
)；
[0099]q31
至q
33
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基；
[0100]
d3可为选自1至3的整数；
[0101]
d4可为选自1至4的整数；
[0102]
d5可为选自1至5的整数；
[0103]
d6可为选自1至6的整数；
[0104]
d8可为选自1至8的整数；并且
[0105]
*、*'和*”各自指示与相邻原子的结合位点。
[0106]
在实施方式中，在式1中，l
13
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的亚苯基。例如，式1中的l
13
可为由式3-1至式3-3中的一个表示的基团。
[0107]
在实施方式中，第一化合物可为由式1-1表示的化合物。
[0108]
式1-1
[0109][0110]
在式1-1中，x
11
至x
13
、cy
11
、cy
12
、l
11
、l
12
、a11至a13、ar
11
、ar
12
、b11、b12、r
11
至r
14
、c11和c12各自与本文描述的相同。
[0111]
在式1和式2中，a11至a13、a21和a22可各自独立地为选自1至5的整数。当a11为2或更大时，两个或更多个l
11
可彼此相同或不同。当a12为2或更大时，两个或更多个l
12
可彼此相同或不同。当a13为2或更大时，两个或更多个l
13
可彼此相同或不同。当a21为2或更大时，两个或更多个l
21
可彼此相同或不同。当a22为2或更大时，两个或更多个l
22
可彼此相同或不同。
[0112]
在实施方式中，式1中的a11至a13可各自独立地为1、2或3，并且式2中的a21和a22可各自独立地为1或2，但是实施方式不限于此。
[0113]
在式1和式2中，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0114]
在实施方式中，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
可各自独立地为各自未被取代或被下述中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二
苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、被至少一个苯基取代的c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)；并且
[0115]q31
至q
33
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0116]
例如，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
可各自独立地为各自未被取代或被下述中的至少一个取代的苯基、萘基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基或三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基和三嗪基。
[0117]
在实施方式中，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
可各自独立地为由式5-1至式5-29中的一个表示的基团：
[0118][0119]
[0120]
在式5-1至式5-29中：
[0121]y31
可为o、s、n(z
35
)、c(z
33
)(z
34
)或si(z
36
)(z
37
)；
[0122]z31
至z
37
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、被至少一个苯基取代的c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)或-b(q
31
)(q
32
)，
[0123]
e2可为1或2；
[0124]
e3可为选自1至3的整数；
[0125]
e4可为选自1至4的整数；
[0126]
e5可为选自1至5的整数；
[0127]
e6可为选自1至6的整数；
[0128]
e7可为选自1至7的整数；并且
[0129]
e9可为选自1至9的整数。
[0130]
注意，q
31
至q
33
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0131]
另外，*指示与相邻原子的结合位点。
[0132]
在实施方式中，式1中的b11和b12可各自独立地为选自1至5的整数。
[0133]
例如，b11和b12可各自独立地为1或2，但是实施方式不限于此。
[0134]
在式1和式2中，r
11
至r
15
、r
21
和r
22
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；
[0135]
c11可为选自1至3的整数；
[0136]
c12可为选自1至4的整数；并且
[0137]
数量为c11的r
11
中的两个相邻基团，数量为c12的r
12
中的两个相邻基团，以及r
13
和r
14
中的至少一组可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的环状基团。
[0138]
在实施方式中，r
11
至r
15
、r
21
和r
22
可各自独立地为：
[0139]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0140]
各自未被取代或被下述中的至少一个取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基和联苯基；
[0141]
各自未被取代或被下述中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、
噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、被至少一个苯基取代的c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)；或
[0142]-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)或-b(q1)(q2)。
[0143]
注意，q1至q3和q
31
至q
33
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
[0144]
在实施方式中，式2中的由表示的基团和由表示的基团可各自独立地为由式2b-1至式2b-20的表示的基团中的一个表示的基团：
[0145][0146][0147]
在式2b-1至式2b-20中，*指示与相邻原子的结合位点。
[0148]
在实施方式中，式2中的由表示的基团和由表示的基团可彼此相同。
[0149]
例如，在式2中，由表示的基团和由表示的基团可各自由化学式2b-1至式2b-20中的任一个表示，并且可彼此相同。
[0150]
例如，第一化合物可为下述化合物m-1-1至m-1-30中的一种，和/或第二化合物可为下述化合物m-2-1至m-2-19中的一种，但是实施方式不限于此。
[0151]
[0152]
[0153][0154]
在实施方式中，第一化合物的玻璃化转变温度(tg)可为约110℃至约160℃，例如，约120℃至约140℃，但是实施方式不限于此。
[0155]
在传统的发光装置中，具有低玻璃化转变温度的化合物已被用作电子传输材料，导致当在高温下驱动长时间时高温耐热性差并且效率迅速劣化。根据一些实施方式的发光装置可以包括具有高玻璃化转变温度的化合物作为电子传输材料。由式1表示的第一化合物包括嘧啶环作为在式1中包含x
11
、x
12
和x
13
的环，并且因此具有高玻璃化转变温度。因此，第一化合物可具有增加的对焦耳(或电阻)热的耐热性和在高温环境下的耐性。因此，包括第一化合物的发光装置在存储和驱动条件期间具有增加的耐热性和高耐久性。
[0156]
在根据实施方式的发光装置中，通过使用由式2表示的第二化合物作为发光装置的电子传输材料，可以改善电子迁移率，并且可以改善向发射层的电子注入。因此，发光装置可具有低驱动电压、高效率和/或长寿命特性。
[0157]
因此，通过使用第一化合物和第二化合物作为用于发光装置的电子传输材料，不仅改善了高温耐热性和耐久性，而且还可以实施具有低驱动电压、高效率和/或长寿命特性的发光装置。
[0158]
在实施方式中，第一电子传输层可位于发射层和第二电子传输层之间。在实施方式中，第二电子传输层可位于发射层和第一电子传输层之间。
[0159]
在实施方式中，第一电子传输层和第二电子传输层可彼此直接接触。例如，第一电子传输层和第二电子传输层可从发射层顺序放置，发射层和第一电子传输层可彼此直接接触，并且第一电子传输层和第二电子传输层可彼此直接接触。
[0160]
在实施方式中，第一电子传输层和第二电子传输层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约
[0161]
在实施方式中，第一电子传输层和第二电子传输层中的至少一个可进一步包括含
金属材料。
[0162]
例如，第二电子传输层可进一步包括含金属材料。在该情况下，第二化合物与含金属材料的重量比可为约1:9至约9:1。
[0163]
含金属材料可包括碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯中的至少一种。
[0164]
例如，含金属材料可包括li络合物。li络合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0165][0166]
夹层130中的空穴传输区
[0167]
空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0168]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一种。
[0169]
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构。在这些结构中的每一个中，各层从第一电极110顺序堆叠。
[0170]
在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层和空穴传输层。空穴传输层可包括包含第一空穴传输材料的第一空穴传输层和包含不同于第一空穴传输材料的第二空穴传输材料的第二空穴传输层。
[0171]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
[0172]
式201
[0173][0174]
式202
[0175][0176]
在式201和式202中：
[0177]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0178]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0179]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数；
[0180]
xa5可为选自1至10的整数；
[0181]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0182]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(见化合物ht16等)；
[0183]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团；并且
[0184]
na1可为选自1至4的整数。
[0185]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0186][0187]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
各自与结合r
10a
描述的相同，并且环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被至少一个r
10a
取代。
[0188]
在实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0189]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0190]
在实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0191]
在实施方式中，式201中的xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0192]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。
[0193]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0194]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0195]
在实施方式中，空穴传输区可包括下述中的至少一种：化合物ht1至ht46、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)。
[0196]
化合物ht1至ht46如下：
[0197]
[0198]
[0199]
[0200]
[0201][0202]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0203]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来改善光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡电子从发射层泄漏到空穴传输层。如上所述的可包括在的空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0204]
p-掺杂剂
[0205]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀或非均匀分散于空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0206]
电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0207]
在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更少。
[0208]
在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物以及含有元素el1和元素el2的化合物中的至少一种。
[0209]
醌衍生物的实例为tcnq和f4-tcnq等。
[0210]
含氰基化合物的实例为hat-cn，和由下式221表示的化合物。
[0211][0212]
式221
[0213]
[0214]
在式221中：
[0215]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；并且
[0216]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下基团取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任何组合。
[0217]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属和准金属中的至少一种，并且元素el2可为非金属和准金属中的至少一种。
[0218]
金属的实例为碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；和镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0219]
准金属的实例为硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0220]
非金属的实例为氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0221]
在实施方式中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
[0222]
金属氧化物的实例为钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0223]
金属卤化物的实例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0224]
碱金属卤化物的实例为lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0225]
碱土金属卤化物的实例为bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0226]
过渡金属卤化物的实例为钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、
cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0227]
后过渡金属卤化物的实例为锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0228]
镧系金属卤化物的实例为ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0229]
准金属卤化物的实例为锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0230]
金属碲化物的实例为碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0231]
夹层130中的发射层
[0232]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素结构被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
[0233]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。
[0234]
基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01至约15重量份。
[0235]
在实施方式中，发射层可包括量子点。
[0236]
发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0237]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的光发射特性。
[0238]
主体
[0239]
在实施方式中，主体可包括由下式301表示的化合物：
[0240]
式301
[0241]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0242]
在式301中：
[0243]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0244]
xb11可为1、2或3；
[0245]
xb1可为选自0至5的整数；
[0246]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)；
[0247]
xb21可为选自1至5的整数；并且
[0248]q301
至q
303
与结合q1描述的相同。
[0249]
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0250]
在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物和由式301-2表示的化合物中的至少一种。
[0251]
式301-1
[0252][0253]
式301-2
[0254][0255]
在式301-1和式301-2中：
[0256]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0257]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)；
[0258]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2；
[0259]
l
301
、xb1和r
301
与本文描述的相同；
[0260]
l
302
至l
304
可各自独立地与结合l
301
描述的相同；
[0261]
xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同；并且
[0262]r302
至r
305
和r
311
至r
314
与结合r
301
描述的相同。
[0263]
作为另一示例，主体可包括碱土金属络合物和后过渡金属络合物中的至少一种。在实施方式中，主体可包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物和zn络合物中的至少一种。
[0264]
在实施方式中，主体可包括下述中的至少一种：化合物h1至h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)，但是实施方式不限于此。
[0265]
化合物h1至h124如下：
[0266]
[0267]
[0268]
[0269]
[0270]
[0271][0272]
磷光掺杂剂
[0273]
在实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0274]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体和六齿配体中的至少一种。
[0275]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0276]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0277]
式401
[0278]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0279]
在式401中：
[0280]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))；
[0281]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，并且当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同；
[0282]
式402
[0283]
[0284]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同；
[0285]
在式402中，
[0286]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳；
[0287]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基；
[0288]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'；
[0289]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)；
[0290]q411
至q
414
与结合q1描述的相同；
[0291]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)；
[0292]q401
至q
403
与结合q1描述的相同；
[0293]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数；并且
[0294]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0295]
例如，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可为氮。
[0296]
在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
与结合t
401
描述的相同。
[0297]
式401中的l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基团(例如，吡啶羧酸基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团和含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸盐基团等)中的至少一种。
[0298]
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物pd1至pd25中的至少一种。
[0299]
化合物pd1至pd25如下：
[0300][0301]
荧光掺杂剂
[0302]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物和含苯乙烯基的化合物中的至少一种。
[0303]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0304]
式501
[0305][0306]
在式501中：
[0307]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0308]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3；并且
[0309]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0310]
在实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0311]
在实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0312]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物fd1至fd36、dpvbi和dpavbi中的至少一种。
[0313]
化合物fd1至fd36如下：
[0314]
[0315]
[0316][0317]
延迟荧光材料
[0318]
在各种实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。
[0319]
本文使用的延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0320]
根据发射层中包括的其他材料的类型，发射层中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂。
[0321]
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，可以有效地发生从延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换，并且因此，可以改善发光装置10的发射效率。
[0322]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团)的材料和ii)包括c
8-c
60
多环基团的材料，其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)的同时稠合。
[0323]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括由式7表示的稠环化合物：
[0324]
式7
[0325][0326]
在式7中：
[0327]
x
71
可为c(r
74
)(r
75
)、n(r
74
)、o或s；
[0328]
x
72
可为c(r
76
)(r
77
)、n(r
76
)、o或s；
[0329]
cy
71
至cy
73
和l
71
至l
73
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0330]
a71至a73可各自独立地为选自0至5的整数；
[0331]r71
至r
77
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)；
[0332]
b71至b73可各自独立地为选自1至5的整数；
[0333]
n71至n73可各自独立地为选自1至8的整数；并且
[0334]r10a
和q1至q3与本文描述的相同。
[0335]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括化合物df1至df10中的至少一种。
[0336]
化合物df1至df10如下：
[0337][0338]
量子点
[0339]
发射层可包括量子点。
[0340]
本文使用的量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0341]
量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。
[0342]
量子点可通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何类似工艺合成。
[0343]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法更容易进行并且成本低的工艺(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))来控制。
[0344]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物和第iv族元素或化合物中的至少一种。
[0345]
第ii-vi族半导体化合物的实例为下述中的至少一种：二元化合物，比如cdse、
cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；和四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste。
[0346]
第iii-v族半导体化合物的实例为下述中的至少一种：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb等；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb等；和四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb等。同时，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例为inznp、ingaznp、inalznp等。
[0347]
第iii-vi族半导体化合物的实例为下述中的至少一种：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；和三元化合物，比如ingas3或ingase3。
[0348]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例为三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2。
[0349]
第iv-vi族半导体化合物的实例为下述中的至少一种：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte等；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte等；和四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste等。
[0350]
第iv族元素或化合物可包括下述中的至少一种：单元素，比如si或ge；和二元化合物，比如sic或sige。
[0351]
包括在多元素化合物(比如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。
[0352]
在一些实施方式中，量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包含在相应量子点中的每个元素的浓度可以是均匀的。在实施方式中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0353]
量子点的壳可以充当保护层来防止核的化学退化以保持半导体特性和/或充当充电层来赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有其中壳中存在的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。
[0354]
量子点的壳的实例为金属、准金属和非金属的氧化物以及半导体化合物中的至少一种。金属、准金属和非金属的氧化物的实例为下述中的至少一种：二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；和三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4。半导体化合物的实例为如本文描述的第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；和第iv-vi族半导体化合物中的至少一种。另外，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和alsb中的至少一种。
[0355]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以是约45nm或更小，例如约40nm或更小，例如约30nm或更小，并且在这些范围内，颜色纯度和/或色域可以增加。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善宽视角。
[0356]
另外，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管颗粒、纳米线颗粒、纳米纤维颗粒或纳米片颗粒。
[0357]
因为能带隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实施发射各种波长的光的发光装置。在实施方式中，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可以被配置为通过组合各种颜色的光来发射白光。
[0358]
夹层130中的电子传输区
[0359]
电子传输区可包括如上所述的第一电子传输层和如上所述的第二电子传输层。
[0360]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和电子注入层中的至少一种。
[0361]
例如，电子传输区可具有从发射层顺序堆叠的第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层，空穴阻挡层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层，电子控制层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层，或缓冲层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层的结构。
[0362]
除了如上所述的第一化合物和第二化合物之外，电子传输区可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0363]
在实施方式中，电子传输区可包括由下式601表示的化合物：
[0364]
式601
[0365]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
。
[0366]
在式601中：
[0367]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基；
[0368]
xe11可为1、2或3；
[0369]
xe1可为0、1、2、3、4或5；
[0370]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)；
[0371]q601
至q
603
与结合q1描述的相同；
[0372]
xe21可为1、2、3、4或5；并且
[0373]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0374]
例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键连接。
[0375]
在实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0376]
在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物。
[0377]
式601-1
[0378]
[0379]
在式601-1中：
[0380]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n；
[0381]
l
611
至l
613
与结合l
601
描述的相同；
[0382]
xe611至xe613与结合xe1描述的相同；
[0383]r611
至r
613
与结合r
601
描述的相同；并且
[0384]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0385]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0386]
电子传输区可包括下述中的至少一种：化合物et1至et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz和ntaz。
[0387]
化合物et1至et45如下：
[0388]
[0389]
[0390][0391]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层和/或电子控制层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0392]
除了如上所述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的第二电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0393]
电子传输区可包括利于从第二电极150注入电子的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0394]
电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0395]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物中的至少一种。
[0396]
碱金属可包括li、na、k、rb和cs中的至少一种。碱土金属可包括mg、ca、sr和ba中的至少一种。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb和gd中的至少一种。
[0397]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属中的至少一种的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物。
[0398]
含碱金属化合物可包括下述中的至少一种：碱金属氧化物比如li2o、cs2o或k2o，和碱金属卤化物比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、
ybi3、sci3和tbi3中的至少一种。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例为late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0399]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种和ii)例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯中的至少一种作为与金属离子键合的配体。
[0400]
如上所述，电子注入层可由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物中的至少一种组成。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0401]
在实施方式中，电子注入层可由下述组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属和稀土金属中的至少一种。在实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层等。
[0402]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物和/或稀土金属络合物可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
[0403]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层在驱动电压无显著增加的情况下可具有令人满意的电子注入特性。
[0404]
第二电极150
[0405]
第二电极150可位于夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)。作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函数的金属、合金和电导性化合物中的至少一种。
[0406]
在实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito和izo中的至少一种。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0407]
第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0408]
封盖层
[0409]
第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧。例如，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以所陈述次序顺序堆叠的结构；其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以所陈述次序顺序堆叠的结构；或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以所陈述次序顺序堆叠的结构。
[0410]
发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧提取，或发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧提
取。
[0411]
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可以增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的光提取效率，从而可以改善发光装置10的发射效率。
[0412]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。
[0413]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0414]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br和i中的至少一个的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0415]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种。
[0416]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物ht28至ht33，化合物cp1至cp6，和β-npb中的至少一种化合物，但是实施方式不限于此。
[0417]
化合物cp1至cp6如下：
[0418][0419]
电子设备
[0420]
发光装置可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。
[0421]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个传播方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可以是蓝光或白光。发光装置可以与以上所述相同。在实施方式中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如本文所述的量子点。
[0422]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0423]
像素限定层可以位于多个子像素区域之间，以限定多个子像素区域中的每一个。
[0424]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的阻光图案。颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的阻光图案。
[0425]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域。第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0426]
在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。
[0427]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层。源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0428]
薄膜晶体管可包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0429]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
[0430]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可以放置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时防止环境空气和水分渗透到发光装置中。密封部分可以是包括透明玻璃或塑料基板的密封基板。密封部分可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0431]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0432]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0433]
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和投影仪等。
[0434]
图2为示出根据实施方式的发光设备的截面图。
[0435]
图2的发光设备180包括基板100、薄膜晶体管(tft)200、发光装置10以及密封发光装置10的封装部分300。
[0436]
基板100可为塑料基板、玻璃基板或金属基板。基板100可为柔性的、刚性的，或包括至少一个柔性区域和至少一个刚性区域。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透通过基板100，并且可以在基板100上提供平坦表面。
[0437]
tft 200可位于缓冲层210上。tft 200可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0438]
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0439]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0440]
夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可放置在栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0441]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0442]
tft 200电连接到发光装置10以驱动发光装置10，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜和有机绝缘膜中的至少一个。发光装置10提供在钝化层280上。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0443]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分。第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0444]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区上。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部分，以相对于多个像素/子像素以公共层的形式放置。
[0445]
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0446]
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置10上以保护发光装置10免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，该无机膜包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡和氧化铟锌的至少一种；有机膜，该有机膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)和环氧类树脂(例如，
脂族缩水甘油醚(age)等)中的至少一种；和/或无机膜和有机膜的组合。
[0447]
图3示出了根据实施方式的发光设备的截面图。
[0448]
图3的发光设备190与图2的发光设备180相同，不同的是阻光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的发光设备190中包括的发光装置10可为串联发光装置。
[0449]
制造方法
[0450]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适当的方法形成于特定区中。
[0451]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约托的真空度和约至约的沉积速度下进行，这取决于要形成的层中要包括的材料和要形成的层的结构。
[0452]
术语的定义
[0453]
如本文使用的，术语“原子”可意指元素或它的与一个或多个其他原子键合的对应自由基。
[0454]
术语“氢”和“氘”指它们各自的原子和对应自由基，氘自由基缩写为
“‑
d”，并且术语
“‑
f、-cl、-br和-i”分别为氟、氯、溴和碘的自由基。
[0455]
如本文使用的，对于单价基团(例如烷基)而言的取代基也可独立地为对于对应二价基团(例如亚烷基)而言的取代基。
[0456]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳组成且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子作为成环原子并且除碳外进一步具有杂原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，c
1-c
60
杂环基的成环原子的数量可为3至61。
[0457]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0458]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0459]
例如：
[0460]c3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)；
[0461]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、
茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)；
[0462]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)；
[0463]
缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)；
[0464]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基；
[0465]
基团t2为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基；
[0466]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基；并且
[0467]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁
唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0468]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指根据使用的术语相关的式的结构，与任何环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来容易地理解。
[0469]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0470]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如c
1-c
20
烷基或c
1-c
10
烷基，并且其实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有对应于c
1-c
60
烷基的结构的二价基团。
[0471]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有对应于c
2-c
60
烯基的结构的二价基团。
[0472]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有对应于c
2-c
60
炔基的结构的二价基团。
[0473]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，例如c
1-c
20
烷氧基或c
1-c
10
烷氧基，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0474]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有对应于c
3-c
10
环烷基的结构的二价基团。
[0475]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烷基的结构的二价基团。
[0476]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且不具有芳香性的单价环状基团，并且其示例为环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有对应于c
3-c
10
环烯基的结构的二价基团。
[0477]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环状结构中除碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子以及至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯
基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烯基的结构的二价基团。
[0478]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠合。
[0479]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠合。
[0480]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指这样的单价基团，该单价基团具有彼此稠合的两个或更多个环，仅碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)，并且当作为整体考虑时在其分子结构中不具有芳香性。单价非芳族稠合多环基团的实例为茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。
[0481]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指这样的单价基团，该单价基团具有彼此稠合的两个或更多个环，除碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子(例如，具有1至60个碳原子)，并且当作为整体考虑时在其分子结构中不具有芳香性。单价非芳族稠合杂多环基团的实例为9,10-二氢吖啶基和9h-呫吨基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。
[0482]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0483]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(这里，a
104
为c
1-c
54
亚烷基，且a
105
为c
6-c
59
芳基)，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(这里，a
106
为c
1-c
59
亚烷基，且a
107
为c
1-c
59
杂芳基)。
[0484]
如本文使用的术语“r
10a”指：
[0485]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0486]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合；
[0487]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合；或
[0488]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0489]
如本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0490]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例为o、s、n、p、si、b、ge和se中的至少一个。
[0491]
如本文使用的第三行过渡金属包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和金(au)等。
[0492]
如本文使用的术语“ph”指苯基，如本文使用的术语“me”指甲基，如本文使用的术语“et”指乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0493]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0494]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0495]
除非另外定义，否则如本文使用的符号“*”、“*'”和“*
””
各自指与对应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0496]
下文，将参考比较例详细地描述根据一些实施方式的发光装置。
[0497]
比较例1
[0498]
作为阳极，将ito玻璃基板切成50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用丙酮、异丙基醇和纯水各自超声10分钟，然后通过暴露于紫外射线和臭氧清洗10分钟。然后将ito基板提供给真空沉积设备。
[0499]
将1重量％的ndp-9和化合物htl-1用于共沉积，以形成厚度为的空穴注入层，并且将htl-1沉积在其上以形成厚度为的第一空穴传输层。将htl-2真空沉积在第一空穴传输层上以形成厚度为的第二空穴传输层。
[0500]
将作为主体的h-1和作为掺杂剂的df10以97:3的重量比共沉积在第二空穴传输层上，以形成厚度为的发射层。然后将etl-1真空沉积在发射层上，以形成厚度为的第一电子传输层。将etl-2和8-羟基喹啉锂(liq)以1:1的重量比共沉积在第一电子传输层上，以形成厚度为的第二电子传输层。将lif沉积在第二电子传输层上以形成厚度为的电子注入层，并且将al沉积在其上，以形成厚度为的电子注入层，并且将al沉积在其上，以形成厚度为的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0501][0502]
比较例2至5和实施例1至12
[0503]
比较例2至5和实施例1至12的发光装置各自以与比较例1中相同的方式制造，不同的是当形成第一电子传输层时使用表2中所示的化合物代替etl-1，以及当形成第二电子传输层时使用表2中所示的化合物代替etl-2。
[0504]
比较例6
[0505]
发光装置以与比较例1中相同的方式制造，不同的是不形成第一电子传输层，以及当形成第二电子传输层时使用m-2-2代替etl-2。
[0506]
评估例1：玻璃化转变温度(tg)的测量
[0507]
在将以下化合物etl-1、m-1-1、m-1-2、m-1-3和m-1-4中的每一种从50℃加热至200℃的同时，通过分析差示扫描量热法(dsc)测量玻璃化转变温度(tg)。每个化合物的分析结果如下表1中所示。
[0508]
表1
[0509]
材料etl-1m-1-1m-1-2m-1-3m-1-4tg(℃)102125123120131
[0510][0511]
评估例1：装置的驱动特性的评估
[0512]
使用keithley mu 236和亮度计pr650来测量根据比较例1至6和实施例1至12制造的发光装置的驱动电压、颜色转换效率(效率/ciey)和t97寿命，并且结果示于表2中。t97寿
命为达到初始亮度的97％所需的时间。
[0513]
在100℃下驱动每个发光装置60小时后，根据方程式1计算与初始驱动效率(ea)相比的效率保持率，并且示于表2中。
[0514]
方程式1
[0515]
效率保持率(％)＝(eb/ea)*100
[0516]
ea为初始驱动效率，并且eb为在100℃下驱动60小时后的效率。
[0517]
表2
[0518][0519][0520]
表2示出了，与比较例1至6的发光装置相比，实施例1至12的发光装置具有更低或等效的驱动电压水平，并且颜色转换效率和t97寿命得到改善。另外，可以看出，与比较例1
至6的发光装置相比，在高温(100℃)下驱动装置后，实施例1至12的发光装置具有显著更高的效率保持率。
[0521]
因此，根据各种实施方式，发光装置能够具有高耐热性和优异的驱动电压、效率和/或寿命特性。
[0522]
虽然本文已经描述了某些实施方式和实施，但是其他实施方式和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求书的更宽范围以及如对本领域普通技术人员来说将显而易见的各种明显的修改和等效布置。

技术特征：
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层，其中：所述夹层进一步包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述发射层和所述第二电极之间；所述第一电子传输层包括由式1表示的第一化合物；并且所述第二电子传输层包括由式2表示的第二化合物，其中式1为：其中式2为：其中，在式1和式2中：x
11
至x
13
中的两个为n，并且x
11
至x
13
中的剩余一个为c(r
15
)，x
21
至x
26
各自独立地为c(r
21
)或n，x
21
至x
23
中的至少一个和x
24
至x
26
中的至少一个为n，cy
11
和cy
12
各自独立地为c
3-c
60
碳环基，cy
21
为未取代的或被至少一个r
22
取代的亚萘基或者未取代的或被至少一个r
22
取代的亚芴基，l
11
至l
13
、l
21
和l
22
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，a11至a13、a21和a22各自独立地为选自1至5的整数，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，b11和b12各自独立地为选自1至5的整数，r
11
至r
15
、r
21
和r
22
各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被
至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，c11为选自1至3的整数，c12为选自1至4的整数，数量为c11的r
11
中的两个相邻基团，数量为c12的r
12
中的两个相邻基团，r
13
和r
14
，或其任何组合任选地彼此连接并形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的环状基团，r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)，-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)；各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自独立地未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基和联苯基中的至少一个取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。2.如权利要求1所述的发光装置，其中式2中的x
21
至x
26
各自为n。3.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中的cy
11
和cy
12
各自独立地为苯基或萘基。4.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中由表示的基团为由式1a-1至式1a-5中的一个表示的基团：
其中，在式1a-1至式1a-5中：r
10aa
和r
10ab
独立地与权利要求1中的r
10a
具有相同的含义；r
11
至r
14
、c11、c12和r
10a
独立地具有与权利要求1中相同的含义；c12’为1或2；c13为选自1至4的整数；并且*指示与相邻原子的结合位点。5.如权利要求1所述的发光装置，其中式2中的cy
21
为由式2a-1至式2a-15中的一个表示的基团：其中，在式2a-1至式2a-15中：y
21
为o或s；
r
22
具有与权利要求1中相同的含义；r
22a
、r
22b
、r
22c
和r
22d
独立地与r
22
具有相同的含义；并且任选地经由单键、c
1-c5亚烷基、c
2-c5亚烯基、o或s而彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的环状基团；b21为选自1至6的整数；b22为选自1至3的整数；b23为选自1至4的整数；并且*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。6.如权利要求1所述的发光装置，其中式2中的cy
21
为由式2aa-1至式2aa-22中的一个表示的基团：其中，在式2aa-1至式2aa-22中：“ph”指苯基；并且*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。7.如权利要求1所述的发光装置，其中在式1和式2中，l
11
至l
13
、l
21
和l
22
各自独立地为：单键；或各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、
庚搭烯基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中q
31
至q
33
各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物为由式1-1表示的化合物：式1-1其中，在式1-1中，x
11
至x
13
、cy
11
、cy
12
、l
11
、l
12
、a11至a13、ar
11
、ar
12
、b11、b12、r
11
至r
14
、c11和c12独立地具有与权利要求1中相同的含义。9.如权利要求1或8所述的发光装置，其中，在式1和式2中，ar
11
、ar
12
和ar
21
至ar
24
各自独立地为：各自独立地未被取代或被下述中的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰
基、硝基、c
1-c
20
烷基、被至少一个苯基取代的c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-环戊烷-芴基、螺-环己烷-芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中q
31
至q
33
各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。10.如权利要求1或8所述的发光装置，其中式2中由表示的基团和由表示的基团各自独立地为由式2b-1至式2b-20表示的基团中的一个表示的基团：
其中，在式2b-1至式2b-20中，*指示与相邻原子的结合位点。11.如权利要求1或8所述的发光装置，其中：所述第一化合物为化合物m-1-1至m-1-30中的至少一种；并且所述第二化合物为化合物m-2-1至m-2-19中的至少一种：化合物m-1-1至m-1-30：
12.如权利要求1或8所述的发光装置，其中所述第一化合物的玻璃化转变温度为110℃至160℃。13.如权利要求1或8所述的发光装置，其中所述第一电子传输层在所述发射层和所述第二电子传输层之间。14.如权利要求1或8所述的发光装置，其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层中的至少一个进一步包括含金属材料。15.如权利要求1或8所述的发光装置，其中：所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区，以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区；所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个；并且所述电子传输区包括所述第一电子传输层和所述第二电子传输层，所述电子传输区进一步包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和电子注入层中的至少一个。16.如权利要求15所述的发光装置，其中：所述空穴传输区包括所述空穴注入层和所述空穴传输层；并且所述空穴传输层包括：包含第一空穴传输材料的第一空穴传输层；以及包含不同于所述第一空穴传输材料的第二空穴传输材料的第二空穴传输层。17.如权利要求1或8所述的发光装置，其中：所述发射层包括主体和掺杂剂；并且所述掺杂剂包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂和延迟荧光材料中的至少一种。18.一种电子设备，包括根据权利要求1至17中任一项所述的发光装置。
19.如权利要求18所述的电子设备，其中：所述电子设备进一步包括薄膜晶体管；并且所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极和有源层；并且所述发光装置的所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。20.如权利要求18或19所述的电子设备，其中所述电子设备进一步包括功能层，所述功能层包括触摸屏层、偏振层、滤色器和颜色转换层中的至少一个。

技术总结
本申请提供了发光装置和包括其的电子设备。发光装置包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的夹层。夹层包括发射层。夹层进一步包括第一电子传输层和第二电子传输层。第一电子传输层和第二电子传输层在发射层和第二电极之间。第一电子传输层包括由式1表示的第一化合物，并且第二电子传输层包括由式2表示的第二化合物。二电子传输层包括由式2表示的第二化合物。二电子传输层包括由式2表示的第二化合物。


技术研发人员：宋知娟 高三一 金东焕 金恩京 金亨根 朴英舒 朴惠晸
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.10.20
技术公布日：2022/5/25