一种正装LED灯的制作方法与流程

    专利查询2022-07-07  154


    一种正装led灯的制作方法
    技术领域
    1.本发明涉及led灯技术领域,特别是涉及一种正装led灯的制作方法。


    背景技术:

    2.led灯是目前世界范围市场上广泛使用的照明灯具,具有体积小,亮度高,耗电量低,发热少,使用寿命长,环保等优点,并且具有丰富多彩的颜色种类,深受消费者的喜爱。
    3.传统制作led灯的方式为:
    4.预先在基板的本体上表面设置正面线路层、在基板的本体下表面设置背面线路层以及设置将正面线路层和背面线路层进行电性连接的连接线路层,然后将led芯片通过固晶焊线的工序实现led芯片与正面线路层的电性连接。
    5.然而,传统方式制作的led灯体积较大,发光效果不佳,且传统制作 led灯的方式的工艺复杂。


    技术实现要素:

    6.鉴于上述问题,提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种正装led灯的制作方法。
    7.为了解决上述问题,本发明实施例公开了一种正装led灯的制作方法,包括:
    8.在基板一侧形成至少一个绝缘区和至少两个导电区;
    9.将至少一组芯片固设于所述基板的绝缘区内;
    10.通过导线连接所述芯片和所述导电区。
    11.可选地,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
    12.当所述芯片的组数和个数分别等于1时,通过导线对所述芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述芯片的负电极与另一导电区进行焊接。
    13.可选地,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
    14.当所述芯片的组数等于1且所述芯片的个数大于1时,通过导线依次对不同芯片的正电极和负电极进行焊接;其中,首端芯片的正电极和尾端芯片的负电极空置;
    15.通过导线对所述首端芯片的正电极和一导电区进行焊接,通过导线对所述尾端芯片的负电极和另一导电区进行焊接。
    16.可选地,其中,所述导电区的个数大于3;所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
    17.当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数等于1时,通过导线对所述芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述芯片的负电极与其他导电区进行焊接;其中,不同组内芯片的负电极焊接的导电区不同。
    18.可选地,其中,所述导电区的个数大于3;所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
    19.当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数大于1时,通过导线依次对同组内
    不同芯片的正电极和负电极进行焊接;其中,各组内首端芯片的正电极和尾端芯片的负电极空置;
    20.通过导线对所述首端芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述尾端芯片的负电极与其他导电区进行焊接;其中,不同组内尾端芯片的负电极焊接的导电区不同。
    21.可选地,所述当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数大于1时,通过导线依次连接同组内不同芯片的正电极和负电极的步骤,包括:
    22.当完成一组芯片之间的焊接时,在所述芯片之间形成绝缘层,以覆盖所述芯片之间的导线。
    23.可选地,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤之后,包括:
    24.依据预设的所述导电区的输入区和所述导电区的输出区确定所述导电区的闲置区;
    25.在所述导电区的闲置区内形成保护层。
    26.可选地,所述在所述导电区的闲置区内形成保护层的步骤之后,包括:
    27.在所述导电区的输出区上绕所述绝缘区形成围坝。
    28.可选地,所述在所述导电区的输出区上绕所述绝缘区形成围坝的步骤之后,包括:
    29.通过特种胶对所述芯片进行封装。
    30.可选地,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤之后,包括:
    31.通过影像识别的方式对所述芯片进行点粉。
    32.本发明实施例包括以下优点:在基板一侧形成至少一绝缘区和至少两导电区;将至少一组芯片固设于所述基板的绝缘区;通过导线连接所述芯片和所述导电区。通过在所述基板上设置绝缘区和导电区,并将所述芯片直接与所述基板的导电区电连接,从而实现led灯的电路布局。
    附图说明
    33.图1是本发明的一种正装led灯的制作方法实施例的步骤流程图;
    34.图2是本发明的一种正装led灯实施例的第一结构示意图;
    35.图3是本发明的一种正装led灯实施例的第二结构示意图;
    36.图4是本发明的一种正装led灯实施例的第三结构示意图。
    37.附图说明:1、基板,11、绝缘区,12、导电区,13、输入区,14、输出区,2、芯片,3、导线,4、围坝。
    具体实施方式
    38.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
    39.本发明实施例的核心构思之一在于,在基板1一侧形成至少一绝缘区11 和至少两导电区12;将至少一组芯片2固设于所述基板1的绝缘区11;通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12。通过在所述基板1上设置绝缘区 11和导电区12,并将所述芯片2直接与所述基板1的导电区12电连接,从而实现led灯的电路布局。
    40.参照图1,示出了本发明的一种正装led灯的制作方法实施例的步骤流程图,具体
    可以包括如下步骤:
    41.s110、在基板1一侧形成至少一绝缘区11和至少两导电区12;
    42.s120、将至少一组芯片2固设于所述基板1的绝缘区11;
    43.s130、通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12。
    44.在本技术实施例中,在基板1一侧形成至少一绝缘区11和至少两导电区12;将至少一组芯片2固设于所述基板1的绝缘区11;通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12。通过在所述基板1上设置绝缘区11和导电区 12,并将所述芯片2直接与所述基板1的导电区12电连接,从而实现led 灯的电路布局。
    45.下面,将对上述实施例中的一种正装led灯的制作方法作进一步说明。
    46.如所述步骤s110所述,在基板1一侧形成至少一个绝缘区11和至少两个导电区12。
    47.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s110所述“在基板1一侧形成至少一个绝缘区11和至少两个导电区12”的具体过程。
    48.需要说明的是,所述基板1为新型超导镜面铝支架。
    49.作为一种示例,在所述基板1的一侧表面涂覆绝缘材料,以形成至少一个绝缘区11;然后围绕所述绝缘区11在所述基板1上通过绝缘胶固定至少两个导电片,以形成至少两个相互独立的导电区12;其中,所述绝缘区11 和所述导电区12的形成顺序可以对调或同时进行,具体过程与上述类似,在此不作详述。
    50.如所述步骤s120所述,将至少一组芯片2固设于所述基板1的绝缘区 11内。
    51.需要说明的是,各组芯片2可以相互交叉排列,例如一组芯片2分别排列于另一组芯片2之间;也可以按组依次排列,例如一组芯片2排列于一区域,另一组芯片2排列于另一区域,且该两区域间隔或紧靠设置。
    52.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s120所述“将至少一组芯片2固设于所述基板1的绝缘区11内”的具体过程。
    53.作为一种示例,通过超高导底胶采用固晶的方式将至少一组芯片2设于所述基板1的绝缘区11内。采用特殊设计,能保证光源出光能更均匀,并且没有黄斑。
    54.如所述步骤s130所述,通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12。
    55.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s130所述“通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12”的具体过程。
    56.如下列步骤所述,当所述芯片2的组数和个数分别等于1时,通过导线 3对所述芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述芯片2 的负电极与另一导电区12进行焊接。
    57.作为一种示例,通过导线3对所述芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述芯片2的负电极与另一导电区12进行焊接,以实现所述芯片2与所述导电区12的电连接。
    58.在一具体实现中,所述导电区12具有两个,将所述芯片2的正电极和所述芯片2的负电极分别电连接一所述导电区12,以使所述芯片2可以通过所述导电区12与电源连接。
    59.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s130所述“通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12”的具体过程。
    60.如下列步骤所述,当所述芯片2的组数等于1且所述芯片2的个数大于 1时,通过导
    线3依次对不同芯片2的正电极和负电极进行焊接;其中,首端芯片2的正电极和尾端芯片2的负电极空置;
    61.通过导线3对所述首端芯片2的正电极和一导电区12进行焊接,通过导线3对所述尾端芯片2的负电极和另一导电区12进行焊接。
    62.作为一种示例,将所有所述芯片2通过导线3依次进行串联;具体的,一芯片2的正电极与上一芯片2的负电极电连接,且该芯片2的负电极与下一芯片2的正电极电连接;其中,将首端芯片2的正电极和尾端芯片2的负电极空置,以便与所述导电区12电连接;
    63.然后通过导线3对所述首端芯片2的正电极和一导电区12进行焊接,通过导线3对所述尾端芯片2的负电极和另一导电区12进行焊接,以使所述芯片2可以通过所述导电区12与电源连接。
    64.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s130所述“通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12”的具体过程。
    65.如下列步骤所述,当所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数等于1时,通过导线3对所述芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述芯片2的负电极与其他导电区12进行焊接;其中,不同组内芯片2的负电极焊接的导电区12不同。
    66.需要说明的是,所述导电区12的个数大于3。
    67.作为一种示例,通过导线3对所述芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述芯片2的负电极与其他导电区12进行焊接;其中,不同组内芯片2的负电极焊接的导电区12不同,以实现所述芯片2与所述导电区12的电连接。
    68.在本技术一实施例中,可以结合下列描述进一步说明步骤s130所述“通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12”的具体过程。
    69.如下列步骤所述,当所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数大于1时,通过导线3依次对同组内不同芯片2的正电极和负电极进行焊接;其中,各组内首端芯片2的正电极和尾端芯片2的负电极空置;
    70.通过导线3对所述首端芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述尾端芯片2的负电极与其他导电区12进行焊接;其中,不同组内尾端芯片2的负电极焊接的导电区12不同。
    71.需要说明的是,所述导电区12的个数大于3。
    72.作为一种示例,将每组内所有的芯片2通过导线3依次进行串联;具体的,一芯片2的正电极与上一芯片2的负电极电连接,且该芯片2的负电极与下一芯片2的正电极电连接;其中,将首端芯片2的正电极和尾端芯片2 的负电极空置,以便与所述导电区12电连接;
    73.通过导线3对所述首端芯片2的正电极与一导电区12进行焊接,通过导线3对所述尾端芯片2的负电极与其他导电区12进行焊接;其中,不同组内尾端芯片2的负电极焊接的导电区12不同。
    74.在一具体实现中,所述导电区12的个数等于3,所述芯片2的组数等于 2;其中,两组所述首端芯片2的正电极与一导电区12电连接,两组所述尾端芯片2的负电极分别连接其他导电区12,即一组所述尾端芯片2的负电极连接所述其他导电区12中的一个,另一组所述尾端芯片2的负电极连接所述其他导电区12中的另一个。
    75.所述当所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数大于1时,通过导线3依次
    连接同组内不同芯片2的正电极和负电极的步骤,包括:
    76.当完成一组芯片2之间的焊接时,在所述芯片2之间形成绝缘层,以覆盖所述芯片2之间的导线3。
    77.需要说明的是,当各组芯片2之间相互交叉排列时,连接所述芯片2的导线3会不可避免地存在交叉接触,从而会导致各芯片2之间发生短路。
    78.为了避免各芯片2之间因导线3交叉接触发生短路,在完成每一组芯片 2之间的焊接时,通过在所述芯片2之间形成绝缘层,以覆盖所述芯片2之间的导线3;即通过将每组芯片2之间的导线3在空间上分层设置,并在不同层的导线3之间通过绝缘层进行隔离,已到达导线3之间的绝缘。通过进行双层的焊线方式,保证每组芯片2线路的电流能够均匀的分配,并实现线路的正常导通。
    79.在本技术一实施例中,所述通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12 的步骤之后,包括:
    80.依据预设的所述导电区12的输入区13和所述导电区12的输出区14确定所述导电区12的闲置区;
    81.在所述导电区12的闲置区内形成保护层。
    82.在本技术一实施例中,所述在所述导电区12的闲置区内形成保护层的步骤之后,包括:
    83.在所述导电区12的输出区14上绕所述绝缘区11形成围坝4。
    84.在本技术一实施例中,所述在所述导电区12的输出区14上绕所述绝缘区11形成围坝4的步骤之后,包括:
    85.通过特种胶对所述芯片2进行封装。
    86.在本技术一实施例中,所述通过导线3连接所述芯片2和所述导电区12 的步骤之后,包括:
    87.通过影像识别的方式对所述芯片2进行点粉。
    88.在一具体实现中,采用高精度点粉设备,利用影像识别技术实现对芯片 2的点粉工艺,采用荧光粉沉淀技术,保证光源均匀出光,没有黄斑的同时,降低胶面的温度,提升光源的可靠性;采用高精度恒温烤箱,使胶体能够更好的固化,保证胶体的稳定性,和光源的可靠性;采用cob分光机,按照分光分色要求对光源进行分光,保证每一颗光源都能满足客户要求;按照要求对光源进行分片和包装。
    89.参照图2-图4,示出了本发明的一种双层走线的正装led灯的结构示意图,具体可以包括:
    90.基板1、封装结构和至少一组芯片2;
    91.所述基板1一侧设有至少一个绝缘区11和至少两个导电区12;所述导电区12周向设于所述绝缘区11内;
    92.所述芯片2设于所述基板1的绝缘区11内;所述芯片2通过导线3与所述导电区12电连接;其中,所述芯片2通过所述封装结构封装至所述基板1;
    93.当所述led灯通电时,所述导电区12与电源电连接。
    94.在本技术实施列中,基板1、封装结构和至少一组芯片2;所述基板1 一侧设有至少一个绝缘区11和至少两个导电区12;所述导电区12周向设于所述绝缘区11内;所述芯片2设
    于所述基板1的绝缘区11内;所述芯片2 通过导线3与所述导电区12电连接;其中,所述芯片2通过所述封装结构封装至所述基板1;当所述led灯通电时,所述导电区12与电源电连接。通过在所述基板1上设置绝缘区11和导电区12,并将所述芯片2直接与所述基板1的导电区12电连接,从而实现led灯的电路布局。
    95.下面,将对上述实施例中的一种双层走线的正装led灯作进一步说明。
    96.需要说明的是,在本技术中的导线3为led金线,其中,led金线是由au纯度为99.99%以上的材质键合拉丝而成,其中包含了微量的 ag/cu/si/ca/mg等微量元素。
    97.在本技术一实施列中,所述基板1为新型超导镜面铝双色基板1;在所述基板1的一侧表面涂覆绝缘材料,以形成至少一个绝缘区11;然后在所述基板1的一侧表面围绕所述绝缘区11通过绝缘胶固定至少两个导电片,以形成至少两个相互独立的导电区12。
    98.在一种示例中,所述绝缘区11位于所述基板1一侧面的中部位置,所述导电区12围绕所述绝缘区11设置,以使每个所述导电区12与所述绝缘区11的最短距离相等。
    99.在本技术一实施列中,当所述芯片2的组数和个数分别等于1时,所述芯片2的正电极通过导线3连接一导电区12,所述芯片2的负电极通过导线 3连接另一导电区12。
    100.在一种示例中,所述芯片2的组数和个数分别等于1,同时所述导电区 12的个数等于2;其中,所述芯片2设于所述绝缘区11内,所述导电区12 对称设于所述绝缘区11两侧;所述芯片2的正电极连接一导电区12,所述芯片2的负电极连接另一导电区12,当所述led灯通电时,所述芯片2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,所述芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。
    101.在本技术一实施列中,当所述芯片2的组数等于1且所述芯片2的个数大于1时,不同所述芯片2的正电极和负电极通过导线3连接;其中,首端芯片2的正电极通过导线3连接一导电区12,尾端芯片2的负电极通过导线 3连接另一导电区12。
    102.在一种示例中,所述芯片2的组数等于1且所述芯片2的个数大于1,同时所述导电区12的个数等于2;其中,所述芯片2设于所述绝缘区11内,所述导电区12对称设于所述绝缘区11两侧;其中,不同所述芯片2的正电极和负电极通过导线3连接,并且首端芯片2的正电极通过导线3连接一导电区12,尾端芯片2的负电极通过导线3连接另一导电区12,当所述led 灯通电时,所述首端芯片2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,所述尾端芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。
    103.在本技术一实施列中,其中,所述导电区12的个数大于3;
    104.当所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数等于1时,所述芯片2的正电极通过导线3连接一导电区12,所述芯片2的负电极通过导线3 连接其他导电区12;其中,不同组内芯片2的负电极连接的导电区12不同。
    105.在一种示例中,所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数等于 1,同时所述导电区12的个数等于3;其中,所述芯片2设于所述绝缘区11 内,一导电区12设于所述绝缘区11一侧,其他导电区12设于所述绝缘区 11另一侧,且该导电区12与所述其他导电区12相对设置;其中,所述芯片 2的正电极通过导线3连接一导电区12,所述芯片2的负电极通过导线3连接其他导电区12;其中,不同组内芯片2的负电极连接的导电区12不同。当所述led灯中一组芯片2通电时,该组芯片2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,该组芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。当所述led灯中两组
    芯片2通电时,两组芯片2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,两组芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。
    106.在本技术一实施列中,当所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数大于1时,不同所述芯片2的正电极和负电极通过导线3连接;所述首端芯片2的正电极通过导线3与一导电区12连接,所述尾端芯片2的负电极通过导线3与其他导电区12连接;其中,不同组内尾端芯片2的负电极连接的导电区12不同。
    107.在一种示例中,所述芯片2的组数大于1且每组所述芯片2的个数大于 1,同时所述导电区12的个数等于3;其中,所述芯片2设于所述绝缘区11 内,且不同组的芯片2相互交叉排列;一导电区12设于所述绝缘区11一侧,其他导电区12设于所述绝缘区11另一侧,且该导电区12与所述其他导电区12相对设置;其中,不同所述芯片2的正电极和负电极通过导线3连接;所述首端芯片2的正电极通过导线3与一导电区12连接,所述尾端芯片2 的负电极通过导线3与其他导电区12连接,不同组内尾端芯片2的负电极连接的导电区12不同。当所述led灯中一组芯片2通电时,该组首端芯片 2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,该组尾端芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。当所述led灯中两组芯片2通电时,两组首端芯片2的正电极通过对应的导电区12与电源的正极连接,两组尾端芯片2的负电极通过对应的导电区12与电源的负极连接,从而正常工作。
    108.在一种示例中,所述芯片2为两组,采用双层线路设置,即上下两层分布,两层线路最高点的间距要大于200um,小于400um,保证线路之间不短路的同时,也能避免由于线路过高而裸露在空气中。
    109.在本技术一实施列中,所述芯片2通过点胶方式固设于所述基板1的绝缘区11内。
    110.在本技术一实施列中,所述芯片2设有荧光粉;其中,不同组芯片2的荧光粉的颜色不同。
    111.在本技术一实施列中,所述导电区12包括输入区13、输出区14和闲置区;
    112.所述输入区13远离所述绝缘区11;所述输出区14靠近所述绝缘区11;所述闲置区设有保护层。
    113.在本技术一实施列中,还包括围坝4;所述围坝4周向设于所述绝缘区 11,且所述围坝4覆盖所述输出区14。
    114.尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
    115.最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个
    ……”
    限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
    116.以上对本发明所提供的一种正装led灯的制作方法,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解
    本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
    转载请注明原文地址:https://tc.8miu.com/read-1141.html

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