烤箱密合度提升结构的制作方法

1.本实用新型为一种烤箱密合度提升结构，应用于半导体、化工、电子材料、化学胶、光学镀膜等领域。


背景技术：

2.真空烤箱，是一种制程常见的设备，常应用于半导体、化工、电子材料、化学胶、光学镀膜等领域，而真空烤箱的特色在于烘烤时内部含氧量极低，例如半导体制程中后段封装的锡膏制程步骤，在于高温烘烤的环境里所使用的锡膏相当容易与氧产生氧化反应进而影响成品，因此烘烤时会对烤箱内部进行抽气，使烤箱内部近似真空含氧量极低的状态。
3.而用于半导体制程的烤箱其常见的结构为具有一盖体以及一座台，而座台具有一凹槽，将盖体该于座台具有槽口的一侧再进行抽气的动作，然而以盖体盖于座台相互抵靠的部分，以现有的技术来说密合度较差，于内部抽气时，烤箱外部的空气由盖体与座台之间灌入凹槽内，使得抽气的效果有限，造成凹槽内部残留过多氧气。
4.由前述内容可以得知，如何进一步减少盖体盖于座台后，烤箱外部的空气流入烤箱内部的气体量，实为各大厂商目前极需解决的问题。


技术实现要素：

5.本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种烤箱密合度提升结构，其应用于半导体制程，例如后段封装的锡膏制程步骤，其结构可使烤箱外部的气体，更为不易由盖体与座台之间流入烤箱内部。
6.本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
7.一种烤箱密合度提升结构，其包括：一座台，该座台具有一凹槽、一台顶部，该台顶部开有一槽开口，该槽开口连通该凹槽内部，一内止泄圈设于该台顶部顶端，且该内止泄圈圈绕于该槽开口周侧，该台顶部设置有一外止泄圈设于并围绕于该内止泄圈外侧；一升温装置，该升温装置位于该凹槽内部；一抽气通道：该抽气通道连通于该凹槽；一抽气装置，该抽气装置与该座台相连，该凹槽以该抽气通道连通该抽气装置；以及一盖体，该盖体活动盖于该座台的一侧，该盖体盖于该座台时，该内止泄圈以及该外止泄圈分别夹于该盖体与该座台之间，并该盖体封闭该槽开口。
8.进一步，其中该台顶部具有一出气区，该出气区位于该内止泄圈、该外止泄圈之间，该出气区具有数个出气孔，该数个出气孔间隔环绕排列于该内止泄圈的外周，该座台包括有一喷气机，各出气孔连通于该喷气机，该喷气机所喷出的气体为氮气、惰性气体中任一种气体或前述二种气体的混和，该盖体盖于该座台时，各出气孔的开口朝向该盖体，此时启动喷气机将气体送入各出气孔并喷往该盖体以形成一气体墙。
9.进一步，其中该台顶部凹陷有一第一内环槽以及一第一外环槽，该第一内环槽圈绕于该槽开口周侧，该第一外环槽圈绕于该第一内环槽周侧，该内止泄圈嵌于该第一内环槽且部分由该第一内环槽的槽口露出，该外止泄圈嵌于该第一外环槽且部分由该第一外环
槽的槽口露出。
10.进一步，其中该盖体底部凹陷有一第二内环槽、一第二外环槽，该第二外环槽圈绕于该第二内环槽的外侧，该盖体盖于该座台时，该第二内环槽对应该第一内环槽，该内止泄圈夹于该第二内环槽与该第一内环槽之间，该第二外环槽对应该第一外环槽，该外止泄圈夹于该第二外环槽与该第一外环槽之间。
11.进一步，有数个升降装置设置于该盖体周侧，另该座台外周设置有数个支撑架，该数个支撑架分别设置有该数个升降装置，该数个升降装置分别能相对对应的支撑架滑动，以致该盖体得以以该数个升降装置于该数个支撑架滑动并相对于该座台上升下降。
12.本实用新型的有益效果是，其应用于半导体制程，例如后段封装的锡膏制程步骤，其结构可使烤箱外部的气体，更为不易由盖体与座台之间流入烤箱内部。
附图说明
13.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
14.图1为本实用新型立体示意图。
15.图2为本实用新型部分分解示意图。
16.图3为图1所示iii-iii线段剖面示意图。
17.图4为本实用新型盖体盖于该座台示意图。
18.图5为图4局部放大示意图。
19.图中标号说明：
[0020]1ꢀꢀꢀ
座台
[0021]
11
ꢀꢀ
台顶部
[0022]
111 第一内环槽
[0023]
112 第一外环槽
[0024]
113 出气区
[0025]
114 出气孔
[0026]
12
ꢀꢀ
内止泄圈
[0027]
13
ꢀꢀ
外止泄圈
[0028]
14
ꢀꢀ
升温装置
[0029]
15
ꢀꢀ
抽气管
[0030]
16
ꢀꢀ
抽气通道
[0031]
17
ꢀꢀ
凹槽
[0032]
18
ꢀꢀ
槽开口
[0033]2ꢀꢀꢀ
抽气装置
[0034]3ꢀꢀꢀ
盖体
[0035]
31
ꢀꢀ
第二外环槽
[0036]
32
ꢀꢀ
第二内环槽
[0037]
33
ꢀꢀ
升降装置
[0038]4ꢀꢀꢀ
喷气机
[0039]
41
ꢀꢀ
引气管
[0040]5ꢀꢀꢀ
气体墙
[0041]6ꢀꢀꢀ
支撑架
[0042]7ꢀꢀꢀ
载物盘
具体实施方式
[0043]
为更加详细了解本实用新型的实施方式还请搭配附图进行观看，如图1至图4所示，本实用新型为一种烤箱密合度提升结构，其包括：一座台1，该座台1具有一凹槽17、一台顶部11，该台顶部11开有一槽开口18，该槽开口18连通该凹槽17内部，一内止泄圈12设于该台顶部11顶端，且该内止泄圈12圈绕于该槽开口18周侧，该台顶部11设置有一外止泄圈13设于并围绕于该内止泄圈12外侧；一升温装置14，该升温装置14位于该凹槽17内部；一抽气通道16：该抽气通道16连通于该凹槽17；一抽气装置2，该抽气装置2与该座台1相连，该凹槽17以该抽气通道16连通该抽气装置2；以及一盖体3，该盖体3活动盖于该座台1的一侧，该盖体3盖于该座台1时，该内止泄圈12以及该外止泄圈13分别夹于该盖体3与该座台1之间，并该盖体3封闭该槽开口18，而本实施例中抽气装置2以一抽气管15相连于该座台1，该抽气通道16位于该抽气管15。
[0044]
除本实施例的范例外，抽气通道16也可以是一体成形于凹槽17的槽壁，并贯穿座台1对外连通抽气装置2的形式(图未示)，也可以是抽气通道16一体成形于凹槽17的槽壁，而抽气装置2直接组装于座台1，并抽气装置以该抽气通道16连通该凹槽的形式(图未示)。
[0045]
接续上述内容进一步详述本实用新型的实施方式，而本实施例中以半导体制程作为示范，如图1所示放有晶圆的载物盘7放置于升温装置14，接续将盖体3盖于该座台1，此时内止泄圈12、外止泄圈13受到盖体3的挤压而夹于盖体3与座台1之间，以增加盖体3与座台1之间的密合度，其结构可使烤箱外部的气体，更为不易由盖体3与座台1之间流入烤箱内部，而设置内止泄圈12、外止泄圈13的结构提供了内外二道防御，阻挡外部空气效果较为优异。
[0046]
本实用新型图1、图3所示，其中该台顶部11具有一出气区113，该出气区113位于该内止泄圈12、该外止泄圈13之间，该出气区113具有数个出气孔114，该数个出气孔114间隔环绕排列于该内止泄圈12的外周，该座台1包括有一喷气机4，各出气孔114连通于该喷气机4，该喷气机4所喷出的气体为氮气、惰性气体中任一种气体或前述二种气体的混和，该盖体3盖于该座台1时，各出气孔114的开口朝向该盖体3，此时启动喷气机4将气体送入各出气孔114并喷往该盖体3以形成一气体墙5，前述的气体墙5请参考图5所示，而本实施例以喷气机4具有引气管41，且引气管41与各出气孔114连通为例，前述结构所产生的气体墙5在盖体3与座台1之间进一步增设一道防御，以提升阻挡外部空气流入烤箱内部的效果，而惰性气体及氮气不容易与其他物质发生反应，即使流入凹槽17内也不易与晶圆、晶圆上的锡膏等物质产生反应。
[0047]
本实用新型图2、图4所示，其中该台顶部11凹陷有一第一内环槽111以及一第一外环槽112，该第一内环槽111圈绕于该槽开口18周侧，该第一外环槽112圈绕于该第一内环槽111周侧，该内止泄圈12嵌于该第一内环槽111且部分由该第一内环槽111的槽口露出，该外止泄圈13嵌于该第一外环槽112且部分由该第一外环槽112的槽口露出，此结构使内止泄圈12、外止泄圈13更为稳定的固定于座台1，并可增加内止泄圈12、外止泄圈13与该盖体3的接触面积，而第一内环槽111以及第一外环槽112其沟壁的样式不局限于附图所揭露的外型，
也可以是成弧形状、不规则形等。
[0048]
本实用新型图2、图4所示，其中该盖体3底部凹陷有一第二内环槽32、一第二外环槽31，该第二外环槽31圈绕于该第二内环槽32的外侧，该盖体3盖于该座台1时，该第二内环槽32对应该第一内环槽111，该内止泄圈12夹于该第二内环槽32与该第一内环槽111之间，该第二外环槽31对应该第一外环槽112，该外止泄圈13夹于该第二外环槽31与该第一外环槽112之间，此结构可增加内止泄圈12、外止泄圈13与该盖体3的接触面积，而第二内环槽32以及第二外环槽31其沟壁的样式不局限于附图所揭露的外型，也可以是成弧形状、不规则形等。
[0049]
本实用新型图3、图4所示，进一步有数个升降装置33设置于该盖体3周侧，另该座台1外周设置有数个支撑架6，该数个支撑架6分别设置有该数个升降装置33，该数个升降装置33分别能相对对应的支撑架6滑动，以致该盖体3得以以该数个升降装置33于该数个支撑架6滑动并相对于该座台1上升下降，此结构使得盖体3时无须再花时间去做对齐的动作，数个升降装置33可以手动方式操作，也可另外连接控制系统(图未示)进行自动操作，以提升作业效率。
[0050]
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：
1.一种烤箱密合度提升结构，其特征在于，包括：一座台，该座台具有一凹槽、一台顶部，该台顶部开有一槽开口，该槽开口连通该凹槽内部，一内止泄圈设于该台顶部顶端，且该内止泄圈圈绕于该槽开口周侧，该台顶部设置有一外止泄圈设于并围绕于该内止泄圈外侧；一升温装置，该升温装置位于该凹槽内部；一抽气通道：该抽气通道连通于该凹槽；一抽气装置，该抽气装置与该座台相连，该凹槽以该抽气通道连通该抽气装置；以及一盖体，该盖体活动盖于该座台的一侧，该盖体盖于该座台时，该内止泄圈以及该外止泄圈分别夹于该盖体与该座台之间，并该盖体封闭该槽开口。2.根据权利要求1所述的烤箱密合度提升结构，其特征在于，所述台顶部具有一出气区，该出气区位于该内止泄圈、该外止泄圈之间，该出气区具有数个出气孔，该数个出气孔间隔环绕排列于该内止泄圈的外周，该座台包括有一喷气机，各出气孔连通于该喷气机，该喷气机所喷出的气体为氮气、惰性气体中任一种气体或前述二种气体的混和，该盖体盖于该座台时，各出气孔的开口朝向该盖体，此时启动喷气机将气体送入各出气孔并喷往该盖体以形成一气体墙。3.根据权利要求1或2所述的烤箱密合度提升结构，其特征在于，所述台顶部凹陷有一第一内环槽以及一第一外环槽，该第一内环槽圈绕于该槽开口周侧，该第一外环槽圈绕于该第一内环槽周侧，该内止泄圈嵌于该第一内环槽且部分由该第一内环槽的槽口露出，该外止泄圈嵌于该第一外环槽且部分由该第一外环槽的槽口露出。4.根据权利要求3所述的烤箱密合度提升结构，其特征在于，所述盖体底部凹陷有一第二内环槽、一第二外环槽，该第二外环槽圈绕于该第二内环槽的外侧，该盖体盖于该座台时，该第二内环槽对应该第一内环槽，该内止泄圈夹于该第二内环槽与该第一内环槽之间，该第二外环槽对应该第一外环槽，该外止泄圈夹于该第二外环槽与该第一外环槽之间。5.根据权利要求1或2所述的烤箱密合度提升结构，其特征在于，进一步有数个升降装置设置于该盖体周侧，另该座台外周设置有数个支撑架，该数个支撑架分别设置有该数个升降装置，该数个升降装置分别能相对对应的支撑架滑动，以致该盖体得以以该数个升降装置于该数个支撑架滑动并相对于该座台上升下降。

技术总结
一种烤箱密合度提升结构，其包括：座台，座台具有凹槽、台顶部，台顶部开有槽开口，槽开口连通凹槽内部，内止泄圈设于台顶部顶端，且内止泄圈圈绕于槽开口周侧，台顶部设置有外止泄圈设于并围绕于内止泄圈外侧；升温装置，升温装置位于凹槽内部；抽气通道：抽气通道连通于凹槽；抽气装置，抽气装置与座台相连，凹槽以抽气通道连通抽气装置；盖体，盖体活动盖于座台的一侧，盖体盖于座台时，内止泄圈以及外止泄圈分别夹于盖体与座台之间，并盖体封闭槽开口。口。口。


技术研发人员：陈泓谕 苏晓斌 游学峰 周书慧
受保护的技术使用者：朗和湘(厦门)科技有限公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2022/5/25