一种LED芯片制备方法与流程

一种led芯片制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种led芯片制备方法


背景技术：

2.发光二极管以其节能、高亮、耐久性高、寿命长、轻巧等优势广泛应用于普通照明，特种照明、景观照明、植因照明、户外显示，户内显示、液晶显示等领域。
3.常规发光二极管视应用端不同，厚度介于70～300μm，此类发光二极管在厚度减薄过程中搭配相应的设备已可稳定量产，但随着各种显示类产品的迭代，市场逐渐对发光二极管提出了更小，更薄的需求，在特殊需求下的发光二极管厚度往往需减薄至10～60μm，甚至更低。
4.现有设备及工艺在制作70μm一下的产品时，碎片率逐级提升，60μm时碎片率增至80％以上，更薄的产品碎片率已达100％。这样的碎片率明显不满足生产需求，极大地拉高的制造成本，而现有技术制备芯片的碎片率过高的原因在于：芯片在制备的过程中需要进行如减薄、划片和裂片等等工艺，而这些工艺在操作时会对芯片产生一定的压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片。


技术实现要素：

5.基于此，本发明的目的是提供一种led芯片制备方法，用于解决现有技术中因制备工艺会对芯片产生压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片的技术问题。
6.本发明提供一种led芯片制备方法，包括以下步骤：
7.提供一原始晶圆，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合；
8.将所述陶瓷盘为放置基底，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆；
9.去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合，并将所述第一白膜为放置基底，对所述减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜；
10.对所述透明基板进行减粘以去除所述透明基板和所述第一白膜，并在去除后的所述划片后的晶圆的面上覆盖保护膜；
11.以所述第二白膜为放置基底，对覆盖有所述保护膜的所述划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。
12.上述led芯片制备方法，通过在将原始晶圆的一面通过透明基板与陶瓷盘贴合，将陶瓷盘为放置基底，对原始晶圆的另一面进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆，再去除陶瓷盘以将透明基板与第一白膜进行贴合，并将第一白膜为放置基底，对减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜，对透明基板进行减粘以去除透明基板和第一白膜，并在去除后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜，以第二白膜为放置基底，对覆盖有保护膜的划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。通过透明基板与第一白膜对芯片进行支撑保护，
以缓解芯片在制备的过程中受到的压力，使得芯片翘曲幅度减小，解决现有技术中因制备工艺会对芯片产生压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片的技术问题。
13.另外，根据本发明上述的led芯片制备方法，还可以具有如下附加的技术特征：
14.进一步地，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合的步骤包括:
15.在所述原始晶圆的一面生成电极层，所述电极层远离所述原始晶圆的一面通过紫外减粘胶与所述透明基板粘合；
16.在所述陶瓷盘上面涂覆粘接蜡，所述透明基板远离所述电极层的一面通过粘接蜡与所述陶瓷盘贴合。
17.进一步地，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理的步骤包括：
18.所述减薄是将所述原始晶圆减薄至100～300μm。
19.进一步地，去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合的步骤之前还包括：
20.研磨，所述研磨是将所述减薄后的晶圆研磨至10～70μm；
21.抛光，所述抛光是将研磨后的晶圆进行抛光。
22.进一步地，去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合的步骤包括：
23.下蜡，所述下蜡是将所述陶瓷盘加热至120℃后，使得所述陶瓷盘脱离所述透明基板，并将所述陶瓷盘去除；
24.清洗，所述清洗是将所述下蜡后的所述透明基板上的残留的所述粘接蜡进行清洗去除。
25.进一步地，对所述减薄后的晶圆进行划片的步骤包括：
26.使用隐形激光切割机对进过所述抛光后的晶圆进行划片，以在抛光后的晶圆内部制造裂纹。
27.进一步地，对所述透明基板进行减粘以去除所述透明基板和所述第一白膜的步骤包括：
28.减粘，所述减粘是通过对所述透明基板进行紫外照射减粘，使得所述透明基板脱离晶圆，以去除所述透明基板和所述第一白膜；
29.进一步地，所述裂片是将所述划片后的晶圆放入裂片机中，以所述第二白膜为放置基底，对进行所述划片后的晶圆进行裂片，以扩大所述裂纹；
30.进一步地，以所述第二白膜为放置基底，对覆盖有所述保护膜的所述划片后的晶圆进行裂片后的步骤还包括：
31.翻膜，所述翻膜，将裂片后的晶圆上的保护膜去除，再贴合一张蓝膜，使用滚轮适当碾压后，将所述第二白膜去除。
32.本发明还提供一种芯片，所述芯片由上述的芯片制备方法制备。
附图说明
33.图1为本发明第一实施例中的制备流程图；
34.图2为本发明第二实施例中的制备流程图；
35.图3和图4为本发明第二实施例中的结构流程图；
36.主要元件符号说明：
37.原始晶圆10电极层11透明基板20紫外减粘胶21陶瓷板30粘接蜡31第一白膜40第二白膜41保护膜50蓝膜60
38.如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
39.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
40.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
41.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
42.实施例一
43.请参阅图1，所示为本发明实施例一中的一种led芯片制备方法，方法具体包括步骤s101至步骤s105，其中：
44.步骤s101，提供一原始晶圆10，并将原始晶圆10通过透明基板20与陶瓷30贴合；
45.具体的，所使用的透明基板材质可为蓝宝石或者石英玻璃或其他透明玻璃亦或者其他硬质有机或无机透明材料。
46.步骤s102，将陶瓷盘30为放置基底，对陶瓷盘30上的原始晶圆10进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆；
47.步骤s103，去除陶瓷盘30以将透明基板20与第一白膜40进行贴合，并将第一白膜40为放置基底，对减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜41。
48.步骤s104，对透明基板20进行减粘以去除透明基板20和第一白膜40，并在去除后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜50。
49.具体的，所使用的透明基板20可回收重复使用，且将划片完成后的晶圆进行分离透明基板20后再进行裂片，可避免裂片转移过程中碎片。
50.步骤s105，以第二白膜41为放置基底，对覆盖有保护膜50的划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。
51.综上，通过在将原始晶圆的一面通过透明基板与陶瓷盘贴合，将陶瓷盘为放置基底，对原始晶圆的另一面进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆，再去除陶瓷盘以将透明基板与第一白膜进行贴合，并将第一白膜为放置基底，对减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的
晶圆上贴合第二白膜，对透明基板进行减粘以去除透明基板和第一白膜，并在去除后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜，以第二白膜为放置基底，对覆盖有保护膜的划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。通过透明基板与第一白膜对芯片进行支撑保护，以缓解芯片在制备的过程中受到的压力，使得芯片翘曲幅度减小，解决现有技术中因制备工艺会对芯片产生压力，从而使得过薄的芯片由于应力发生翘曲，而导致碎片的技术问题。
52.实施例二
53.请查阅图2至图4，所示为本发明第二实施例中的led芯片制备方法，方法具体包括步骤s201至步骤s214：
54.s201，获取原始晶圆10，在原始晶圆10的一面生成电极层11，电极层11远离原始晶圆10的一面通过紫外减粘胶21与透明基板20粘合；
55.具体的，实施例中所使用的透明基板上自带有紫外减粘胶。
56.s202，在陶瓷盘30上面涂覆粘接蜡31，透明基板20远离电极层11的一面通过粘接蜡31与陶瓷盘30贴合；
57.s203，将陶瓷盘30为放置基底，对原始晶圆10的另一面进行减薄处理，将原始晶圆减薄至100～300μm；
58.s204，研磨，研磨是将减薄后的晶圆研磨至10～70μm；
59.s205，抛光，抛光是将研磨后的晶圆进行抛光；
60.s206，下蜡，下蜡是将陶瓷盘30加热至120℃后，使得陶瓷盘30脱离透明基板20，并将陶瓷盘30去除；
61.s207，清洗，清洗是将下蜡后的透明基板20上的残留的粘接蜡21进行清洗去除；
62.s208，贴合，将透明基板20远离晶圆的一面与第一白膜40进行贴合；
63.s209，划片，使用隐形激光切割机对进过抛光后的晶圆进行划片，以在抛光后的晶圆内部制造裂纹；
64.s210，贴合，在划片后的晶圆远离透明基板20的一面上贴合第二白膜41；
65.s211，减粘，减粘是通过对透明基板20进行紫外照射减粘，使得透明基板20脱离晶圆，以去除透明基板20和第一白膜40；
66.s212，贴合，在去除透明基板20后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜50；
67.具体的，保护膜50作用为保护劈刀和晶圆，自身无粘性。
68.s213，裂片，裂片是将划片后的晶圆放入裂片机中，以第二白膜41为放置基底，对进行划片后的晶圆进行裂片，以扩大裂纹；
69.s214，翻膜，将裂片后的晶圆上的保护膜50去除，再贴合一张蓝膜60，使用滚轮适当碾压后，将所述第二白膜41去除，得到目标芯片。
70.具体的，第一白膜40与蓝膜60的材质相同，差别在于颜色，作用为承载wafer，粘性较强。
71.实施例三
72.本发明实施例三提供一种芯片，本芯片可通过上述实施例一和实施例二当中的芯片制备方法得到。
73.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
74.以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种led芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一原始晶圆，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合；将所述陶瓷盘为放置基底，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆；去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合，并将所述第一白膜为放置基底，对所述减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜；对所述透明基板进行减粘以去除所述透明基板和所述第一白膜，并在去除后的所述划片后的晶圆的面上覆盖保护膜；以所述第二白膜为放置基底，对覆盖有所述保护膜的所述划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。2.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合的步骤包括:在所述原始晶圆的一面生成电极层，所述电极层远离所述原始晶圆的一面通过紫外减粘胶与所述透明基板粘合；在所述陶瓷盘上面涂覆粘接蜡，所述透明基板远离所述电极层的一面通过粘接蜡与所述陶瓷盘贴合。3.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理的步骤包括：所述减薄是将所述原始晶圆减薄至100～300μm。4.根据权利要求3所述的led芯片制备方法，其特征在于，去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合的步骤之前还包括：研磨，所述研磨是将所述减薄后的晶圆研磨至10～70μm；抛光，所述抛光是将研磨后的晶圆进行抛光。5.根据权利要求2所述的led芯片制备方法，其特征在于，去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合的步骤之前包括：下蜡，所述下蜡是将所述陶瓷盘加热至120℃后，使得所述陶瓷盘脱离所述透明基板，并将所述陶瓷盘去除；清洗，所述清洗是将所述下蜡后的所述透明基板上的残留的所述粘接蜡进行清洗去除。6.根据权利要求5所述的led芯片制备方法，其特征在于，对所述减薄后的晶圆进行划片的步骤包括：使用隐形激光切割机对进过所述抛光后的晶圆进行划片，以在抛光后的晶圆内部制造裂纹。7.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，对所述透明基板进行减粘以去除所述透明基板和所述第一白膜的步骤包括：减粘，所述减粘是通过对所述透明基板进行紫外照射减粘，使得所述透明基板脱离晶圆，以去除所述透明基板和所述第一白膜。8.根据权利要求6所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述裂片是将所述划片后的晶圆放入裂片机中，以所述第二白膜为放置基底，对进行所述划片后的晶圆进行裂片，以扩
大所述裂纹。9.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，以所述第二白膜为放置基底，对覆盖有所述保护膜的所述划片后的晶圆进行裂片后的步骤还包括：翻膜，所述翻膜，将裂片后的晶圆上的保护膜去除，再贴合一张蓝膜，使用滚轮适当碾压后，将所述第二白膜去除。10.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片由权利要求1-9的任一项所述的led芯片制备方法制备。

技术总结
本发明提供一种LED芯片制备方法，获取原始晶圆，并将原始晶圆的一面通过透明基板与陶瓷盘贴合，将陶瓷盘为放置基底，对原始晶圆的另一面进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆，去除陶瓷盘以将透明基板与第一白膜进行贴合，并将第一白膜为放置基底，对减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜，对透明基板进行减粘以去除透明基板和第一白膜，并在去除后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜，以第二白膜为放置基底，对覆盖有保护膜的划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。解决现有技术中因制备工艺会对芯片产生压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片的技术问题。片的技术问题。片的技术问题。


技术研发人员：鲁洋 张雪 李文涛 简弘安 胡加辉 金从龙 顾伟
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2022.02.16
技术公布日：2022/5/25