新型3D围坝陶瓷基板的制作方法

新型3d围坝陶瓷基板
技术领域
1.本实用新型涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种新型3d围坝陶瓷基板。


背景技术：

2.陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板，陶瓷基板现已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
3.目前的陶瓷基板一般具有金字塔形金属围坝结构，由于工艺缺陷，使得金属围坝的宽度受限，必须要做0.2mm以上的宽度，导致在设计产品的时候陶瓷基板利用率较低，单颗陶瓷基板的尺寸无法小型化，并且在排线密集和大功率器件领域有较大的限制，不能满足现有需求。因此，有必要对目前的陶瓷基板进行改进。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其能有效解决现有之陶瓷基板存在宽度受限导致利用率较低，单颗尺寸无法小型化而在排线密集和大功率器件领域有较大的限制的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
6.一种新型3d围坝陶瓷基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层、围坝底层以及金属围坝；该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有通孔，该通孔中成型有导通柱；该正面线路层成型在陶瓷基层的上表面并与导通柱的上端导通连接，该背面线路层成型在陶瓷基层的下表面并与导通柱的下端导通连接，该围坝底层成型在陶瓷基层的上表面并位于正面线路层的外围；该金属围坝成型叠合在围坝底层上，金属围坝包括有多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，多个围坝层围构形成一容置腔，该容置腔呈金字塔形。
7.作为一种优选方案，所述通孔为垂直通孔，该通孔为多个，对应的，导通柱为多个，多个导通柱分别位于通孔中。
8.作为一种优选方案，所述陶瓷基层为氮化铝、氧化铝、氮化硅或者铝硅碳。
9.作为一种优选方案，所述正面线路层为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层的上表面；背面线路层为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层的下表面。
10.作为一种优选方案，所述围坝底层为铜材质，围坝底层通过电镀的方式成型在陶瓷基层的上表面。
11.作为一种优选方案，所述围坝层为三个。
12.作为一种优选方案，所述金属围坝为铜材质，其采用dpc工艺制成。
13.作为一种优选方案，所述金属围坝的上表面外边缘形成有一台阶层，该台阶层的内侧与金属围坝的上表面围构有环形嵌槽。
14.作为一种优选方案，所述台阶层为铜材质，其通过电镀的方式成型在金属围坝的
上表面。
15.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
16.通过将金属围坝设置成多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，能够在满足上方围坝层宽度的条件下，减少下方围坝层的宽度，可以预留更多的空间做芯片和器件封装，提高布线密集度，有利于集成化封装,增大陶瓷基板的利用率，也可以使单颗尺寸小型化，从而可以在排线密集和大功率器件等领域广泛应用，满足现有需求。
17.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
18.图1是本实用新型之较佳实施例的截面图。
19.附图标识说明：
20.10、陶瓷基层
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11、通孔
21.20、正面线路层
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30、背面线路层
22.40、围坝底层
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50、金属围坝
23.51、围坝层
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501、容置腔
24.60、导通柱
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70、台阶层
25.71、环形嵌槽
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80、芯片/器件
26.90、透镜。
具体实施方式
27.请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷基层10、正面线路层20、背面线路层30、围坝底层40以及金属围坝50。
28.该陶瓷基层10的上下表面贯穿形成有通孔11，该通孔11中成型有导通柱60；在本实施例中，该通孔11为垂直通孔，该通孔11为多个，对应的，导通柱60为多个，多个导通柱60分别位于通孔11中，该陶瓷基层10为氮化铝、氧化铝、氮化硅或者铝硅碳等陶瓷材质。
29.该正面线路层20成型在陶瓷基层10的上表面并与导通柱60的上端导通连接，正面线路层20为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层10的上表面；该背面线路层30成型在陶瓷基层10的下表面并与导通柱60的下端导通连接，背面线路层30为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层10的下表面。
30.该围坝底层40成型在陶瓷基层10的上表面并位于正面线路层20的外围；在本实施例中，该围坝底层40为铜材质，也可以为其它金属材质，围坝底层40通过电镀的方式成型在陶瓷基层10的上表面。
31.该金属围坝50成型叠合在围坝底层40上，金属围坝50包括有多个自下而上叠合在一起的围坝层51，且位于上方之围坝层51的宽度大于位于下方之围坝层51的宽度，形成倒金字塔形的围坝，多个围坝层51围构形成一容置腔501，该容置腔501呈金字塔形；在本实施例中，该围坝层51为三个，围坝层51的数量不限，以及，该金属围坝50为铜材质，也可以为其
它金属材质，其采用dpc工艺制成，但不局限于采用dpc工艺，也可以采用其他的金属材质成型工艺。
32.以及，该金属围坝50的上表面外边缘形成有一台阶层70，该台阶层70的内侧与金属围坝50的上表面围构有环形嵌槽71，其用于供透镜的边缘嵌入固定，该台阶层70为铜材质，其通过电镀的方式成型在金属围坝50的上表面。
33.详述本实施例的制作过程和使用方法如下：
34.制作时，首先，将陶瓷基层10加工成型出通孔11，再将陶瓷基层10通过电镀的方式制作成型出正面线路层20、背面线路层30、围坝底层40和导通柱60，接着，采用dpc工艺制作成型出倒金字塔形的金属围坝50，以及，通过电镀的方式在金属围坝50的上表面外边缘成型出台阶层70。
35.使用时，将芯片/器件80放入容置腔501固定中并与正面线路层20焊接导通，接着，将透镜90的边缘嵌入环形嵌槽71中并与之粘合固定，完成芯片/器件80的封装。
36.本实用新型的设计重点在于：
37.通过将金属围坝设置成多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，能够在满足上方围坝层宽度的条件下，减少下方围坝层的宽度，可以预留更多的空间做芯片和器件封装，提高布线密集度，有利于集成化封装,增大陶瓷基板的利用率，也可以使单颗尺寸小型化，从而可以在排线密集和大功率器件等领域广泛应用，满足现有需求。
38.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：
1.一种新型3d围坝陶瓷基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层、围坝底层以及金属围坝；该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有通孔，该通孔中成型有导通柱；该正面线路层成型在陶瓷基层的上表面并与导通柱的上端导通连接，该背面线路层成型在陶瓷基层的下表面并与导通柱的下端导通连接，该围坝底层成型在陶瓷基层的上表面并位于正面线路层的外围；该金属围坝成型叠合在围坝底层上，其特征在于：该金属围坝包括有多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，多个围坝层围构形成一容置腔，该容置腔呈金字塔形。2.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述通孔为垂直通孔，该通孔为多个，对应的，导通柱为多个，多个导通柱分别位于通孔中。3.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基层为氮化铝、氧化铝、氮化硅或者铝硅碳。4.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述正面线路层为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层的上表面；背面线路层为铜材质，其通过电镀的方式成型在陶瓷基层的下表面。5.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述围坝底层为铜材质，围坝底层通过电镀的方式成型在陶瓷基层的上表面。6.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述围坝层为三个。7.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述金属围坝为铜材质，其采用dpc工艺制成。8.根据权利要求1所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述金属围坝的上表面外边缘形成有一台阶层，该台阶层的内侧与金属围坝的上表面围构有环形嵌槽。9.根据权利要求8所述的新型3d围坝陶瓷基板，其特征在于：所述台阶层为铜材质，其通过电镀的方式成型在金属围坝的上表面。

技术总结
本实用新型公开一种新型3D围坝陶瓷基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层、围坝底层以及金属围坝；该金属围坝包括有多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝。通过将金属围坝设置成多个自下而上叠合在一起的围坝层，且位于上方之围坝层的宽度大于位于下方之围坝层的宽度，形成倒金字塔形的围坝，能够在满足上方围坝层宽度的条件下，减少下方围坝层的宽度，可以预留更多的空间做芯片和器件封装，提高布线密集度，有利于集成化封装,增大陶瓷基板的利用率，也可以使单颗尺寸小型化，从而可以在排线密集和大功率器件等领域广泛应用，满足现有需求。满足现有需求。满足现有需求。


技术研发人员：袁广 罗素扑 黄嘉铧
受保护的技术使用者：惠州市芯瓷半导体有限公司
技术研发日：2021.11.19
技术公布日：2022/5/25