载体膜、母基板以及使用载体膜和母基板制造半导体封装的方法与流程

载体膜、母基板以及使用载体膜和母基板制造半导体封装的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于并要求于2020年11月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2020-0157492的优先权，该申请的公开内容通过全文引用合并于此。
技术领域
3.实施例涉及载体膜、母基板以及使用载体膜和母基板制造半导体封装的方法。


背景技术：

4.随着便携式电子产品的小型化，用于半导体封装工艺的基板的厚度逐渐变薄。


技术实现要素：

5.可以通过提供一种用于对包括多层电路的母基板执行半导体封装工艺的载体膜来实现实施例，所述载体膜包括：具有预定刚度的基材层；以及粘合层，被配置为将基材层附接到母基板上，粘合层包括水溶性材料，其中载体膜包括从其顶表面到底表面穿通的多个开口。
6.可以通过提供一种能够保持在载体膜上的母基板来实现实施例，所述母基板包括：第一表面，包括多个焊球区域和第一开放区域，所述多个焊球区域上包括多个焊球，并且第一开放区域包括多个焊球区域；安装有半导体芯片的第二表面；以及在第一表面和第二表面之间的多层电路，其中在第一表面和第二表面之间母基板的厚度小于约80μm，以及载体膜包括水溶性粘合层和第一开口，载体膜能够附接在第一表面上使得第一开放区域与第一开口对准。
7.可以通过提供一种制造半导体封装的方法来实现实施例，所述方法包括：提供附接有载体膜的母基板，载体膜包括水溶性粘合层，母基板包括被附接的载体膜部分地暴露的第一表面和与第一表面相对的第二表面；物理抛光母基板的第二表面以去除母基板的一部分；将第二半导体芯片安装在第二表面上；在第二表面上形成围绕半导体芯片的边缘的模制材料；在第一表面的部分暴露区域中形成焊球；以及执行清洗工艺以分离载体膜并去除来自焊球的颗粒和残存在第一表面的部分暴露区域上的残留物。
附图说明
8.通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：
9.图1是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的透视图。
10.图2是根据实施例的载体膜和母基板的分解透视图。
11.图3是图1的区域a的放大平面图。
12.图4是沿图3的线i-i’截取的截面图。
13.图5至图10是根据本公开实施例的制造半导体封装的方法中的各阶段的截面图。
14.图11是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
15.图12是图11的区域b的放大图。
16.图13是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
17.图14是图13的区域c的放大图。
18.图15是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
19.图16是图15的区域d的放大图。
20.图17是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
21.图18是图17的部分e的放大图。
22.图19是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
23.图20是图19的区域f的放大图。
24.图21是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的部分区域的截面图。
25.图22是图21的区域g的放大图。
26.图23是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的透视图。
27.图24是沿图23的线ii-ii’截取的截面图。
28.图25是根据本公开实施例的附接有载体膜的母基板的透视图。
具体实施方式
29.图1是根据本公开实施例的附接有载体膜20的母基板10的透视图。图2是根据实施例的载体膜20和母基板10的分解透视图。
30.参考图1和图2，载体膜20可以附接在母基板10的一个表面上。在一个实施方式中，母基板10可以是在半导体封装工艺中附接有载体膜20的类型1。
31.在一个实施方式中，母基板10可以是用于在其上安装半导体芯片的、其中包括布线的基板。在一个实施方式中，母基板10可以是印刷电路板(pcb)。在一个实施方式中，母基板10可以是柔性pcb、硅基基板、玻璃基板、陶瓷基板或绝缘电路基板。
32.母基板10可以是多层电路基板，其包括第一表面10a、第二表面10b、穿过第一表面10a与第二表面10b之间的区域的通孔、以及第一表面10a与第二表面10b之间的各种电路。在一个实施方式中，母基板10的厚度h0可以小于约80μm。可以使用一个母基板10来制造多个半导体封装。在一个实施方式中，为了降低成本，可以基于以下过程来制造多个半导体封装：将多个半导体芯片安装在一个母基板10上，然后从其中分离多个半导体芯片。在一个实施方式中，母基板10可以是各自构成一个半导体封装的基板。
33.母基板10可以包括附接有载体膜20或载体基板的第一表面10a和安装有半导体芯片的第二表面10b。在一个实施方式中，第一表面10a和第二表面10b可以是彼此相对的表面。母基板10的第一表面10a的部分区域可以包括用于形成后续要描述的多个焊球的区域(例如，参见图3的sa)。
34.载体膜20可以附接在母基板10的第一表面10a上。在一个实施方式中，载体膜20可以包括基材层21和粘合层22。
35.粘合层22可以是直接接触母基板10的第一表面10a的层，并且可以执行将载体膜20(例如，基材层21)附接到母基板10上的功能。
36.在一个实施方式中，粘合层22可以包括压敏粘合剂(psa)。在至少部分地执行半导体封装工艺之后，可以将附接到母基板10上的载体膜20与母基板10分离。在一个实施方式中，可以通过清洗工艺将载体膜20与母基板10分离。为此，粘合层22可以包括水溶性材料。在一个实施方式中，粘合层22的水溶性材料可以包括聚乙酸乙烯酯(pvac)、水溶性聚氨酯(pu)、水溶性聚乙烯醇(pva)、羧甲基纤维素(cmc)、羧甲基淀粉(cms)、或其化合物。在一个实施方式中，粘合层22的水溶性材料可以包括可生物降解的材料，例如淀粉和植物油。粘合层22可以包括具有粘合力和水溶性成分的其他材料。如本文所用，术语“或”不是排他性术语，例如，“a或b”包括a、b、或a和b。
37.基材层21可以在半导体封装工艺中或半导体封装工艺期间执行用于基本上支撑母基板10的载体的功能。基材层21可以具有预定的刚度，例如可以具有比母基板10和粘合层22中每一个的刚度大的刚度。在一个实施方式中，基材层21的厚度可以在约10μm至约300μm的范围内，例如在约50μm至约250μm的范围内。通过提供相同的外力来确定刚度，以确定是否发生设备偏差或是否观察到撕裂缺陷。
38.在一个实施方式中，基材层21可以包括聚合物材料，例如，聚碳酸酯(pc)、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚醚硫化物(pes)或聚砜(ps)。
39.在一个实施方式中，基材层21可以包括水溶性材料。在这种情况下，在清洗工艺中，可以容易地将基材层21和粘合层22与母基板10分离。在一个实施方式中，施加到基材层21的水溶性材料可以包括pva、cmc以及cms，或其化合物。
40.载体膜20可以包括穿通其顶表面至底表面的多个开口部分或开口opn。当在俯视图中观看时，多个开口opn中的每一个可以具有四方形形状。在一个实施方式中，当将载体膜20附接在母基板10上时，多个开口opn可以暴露母基板10的第一表面10a的一部分。多个开口opn中的每一个可以穿过基材层21和粘合层22。基材层21中的开口opn1和粘合层22中的开口opn2可以一起形成上述开口opn。在一个实施方式中，基材层21中的开口opn1和粘合层22中的开口opn2可以具有相同的宽度。在一个实施方式中，基于载体膜20的每个开口opn的位置(例如，深度)，载体膜20的每个开口opn可以具有相同的宽度。
41.当将载体膜20附接在母基板10上时，母基板10的第一表面10a的由载体膜20的多个开口opn暴露的部分区域可以定义为开放区域opa。在一个实施方式中，每个开放区域opa的宽度可以与每个开口opn的宽度相同。开放区域opa的至少一部分可以包括用于形成多个焊球的区域(例如，参见图3的sa)(例如，其上可以包括多个焊球)。例如，载体膜20为带的形式，并且母基板10可以是在半导体工艺等中使用的半导体电路基板。
42.母基板10可以包括有源区域aa和围绕有源区域aa的边缘区域ea。当将载体膜20与母基板10分离时，有源区域aa可以定义为包括每个半导体封装的基板在内的区域。有源区域aa可以包括上述的开放区域opa。当将载体膜20与母基板10分离开时，边缘区域ea可以定义为在特定工艺中被去除的区域。边缘区域ea可以是不包括每个半导体封装的基板在内的区域。在一个实施方式中，边缘区域ea可以在有源区域aa的边缘处并且可以不包括开放区域opa。在一个实施方式中，边缘区域ea可以不被载体膜20暴露(例如，可以被载体膜20覆盖)。
43.图3是图1的区域a的放大平面图。图4是沿图3的线i-i’截取的截面图。例如，区域a可以与要形成用于制造一个半导体封装的单元基板的区域相对应。
44.参照图1至图4，多个开放区域opa中的每一个可以包括多个焊球区域sa。多个焊球区域sa可以在母基板10的第一表面10a上。
45.在一个实施方式中，多个焊球区域sa可以彼此间隔开。在一个实施方式中，(多个焊球区域sa之外位于外侧部分处的)外焊球区域sa可以不与开放区域opa的边缘重叠。在一个实施方式中，可以设置开放区域opa的宽度或开口opn的宽度，使得多个焊球区域sa中的每一个在开放区域opa中。
46.在一个实施方式中，当将载体膜20与母基板10分离时，多个焊球区域sa可以在单元基板的中央部分处具有高密度。在一个实施方式中，在母基板10中，多个焊球区域sa可以具有与图示不同的位置处的不同区域，或者另外的开放区域opa可以包括多个焊球区域sa，或载体膜20的其他开口opn可以与开放区域opa的位置和宽度相对应。
47.在一个实施方式中，在载体膜20中，开口opn的侧壁20a可以沿竖直方向形成或延伸。在一个实施方式中，母基板10与开口opn的侧壁20a的与母基板10相邻的部分之间的角度θ可以大致为直角(例如，约90度)。在一个实施方式中，开口opa的侧壁20a可以包括在限定开口opn的位置处的基材层21的侧壁和粘合层22的侧壁，并且基材层21的侧壁和粘合层22的侧壁全部可以相对于母基板10的第一表面10a形成(可以是垂直的)直角(90度)。
48.在下文中，将描述在制造半导体封装的方法中使用并分离载体膜20的工艺。在下面的描述中，可以参考以上参考图1至图4给出的描述。
49.图5至图10是根据本公开实施例的制造半导体封装的方法中的各阶段的截面图。
50.参照图5至图10，例如，制造半导体封装的方法可以包括物理抛光工艺s110、半导体芯片安装工艺s120、模制工艺s130、焊球形成工艺s140和清洗工艺s150。
51.首先，参考图5，可以将母基板10的第二表面10b去除一定的厚度。在一个实施方式中，可以通过物理抛光工艺s110(例如，锯切或磨削工艺)去除母基板10的第二表面10b。可以在将母基板10的第二表面10b向上附接在载体膜20上之后执行物理抛光工艺s110。
52.在物理抛光工艺s110之后，母基板10_1的厚度可以比物理抛光工艺s110之前的厚度薄。在物理抛光工艺s110之后，与物理抛光工艺s110之前一样，母基板10_1可以包括第一表面10_1a和第二表面10_1b。在一个实施方式中，可以省略物理抛光工艺s110。
53.随后，参考图6，可以将半导体芯片30安装在母基板10_1的第二表面10_1b上。在一个实施方式中，半导体芯片30可以包括芯片部分31和将芯片部分31电连接到母基板10_1的多个凸块32。半导体芯片30可以安装在母基板10_1的第二表面10_1b上，使得多个凸块32接触母基板10_1的第二表面10_1b。
54.在一个实施方式中，芯片部分31可以是逻辑芯片、存储器芯片或中介层。在一个实施方式中，逻辑芯片可以包括核处理器、专用集成电路(asic)、移动应用处理器(ap)或其他处理芯片。在一个实施方式中，存储器芯片可以包括非易失性存储器芯片，例如，动态随机存取存储器(dram)、电阻式随机存取存储器(reram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、相变随机存取存储器(pram)或闪存，或其他合适的存储器芯片。
55.多个凸块32可以包括导电材料。在一个实施方式中，安装半导体芯片30的位置可以与开放区域opa重叠(例如，可以与开放区域opa竖直对准)。
56.随后，参考图7，模制材料40可以围绕半导体芯片30的侧部并且可以暴露半导体芯片30的上部。在一个实施方式中，可以形成模制材料40以覆盖半导体芯片30的所有侧部和
上部，然后可以将模制材料40固化，并且可以通过化学机械抛光(cmp)工艺去除模制材料40的一部分以暴露半导体芯片30的上部。在一个实施方式中，模制材料40可以包括环氧模制化合物(emc)或模制底部填充物(muf)。
57.随后，参考图8，可以执行在母基板10_1的第一表面10_1a上的多个焊球区域sa中分别形成多个焊球50的工艺。在一个实施方式中，焊球50中的每一个可以包括导电材料。在一个实施方式中，每个焊球50的平面宽度(面积)可以与每个焊球区域sa的宽度(面积)相同。
58.每个焊球50可以分别例如作为导电球单独地附接(例如，粘附)在母基板10_1的第一表面10_1a上的每个焊球区域sa上，或者可以通过沉积工艺来形成。在一个实施方式中，在焊球形成工艺s140中，在焊球50的表面上可能形成颗粒61，或者在母基板10_1的第一表面10_1a上的(靠近焊球区域sa)的开放区域opa中可能形成残留物62。
59.随后，参考图9和图10，可以执行清洗工艺s150。可以执行清洗工艺s150以去除上述颗粒61或残留物62。
60.在一个实施方式中，通过清洗工艺s150，附接在母基板10_1上的载体膜20可以连同颗粒61或残留物62一起与母基板10_1分离。在一个实施方式中，粘合层22可以包括水溶性材料，因此，在清洗工艺s150中粘合层22可以容易地被溶剂溶解。可以在清洗工艺s150中容易地去除用于将基材层21附接在母基板10_1上的粘合层22，因此，可以容易地将基材层21与母基板10_1分离。
61.在一个实施方式中，基材层21也可以包括水溶性材料，并且可以在清洗工艺s150中通过溶剂去除基材层21和粘合层22。
62.可以通过上述制造半导体封装的方法的工艺和期望的附加工艺来制造半导体封装2。
63.接下来，将描述根据另一实施例的载体膜和附接有载体膜的母基板。在下文中，可以省略与图1至图10的元件相同的元件的描述，并且相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。
64.图11是根据本公开实施例的附接有载体膜20_1的母基板10的部分区域的截面图。图12是图11的区域b的放大图。
65.参照图11和图12，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_1的不同之处可以在其侧壁20a和母基板10之间的角度θ方面。
66.在一个实施方式中，载体膜20_1中的开口opn的侧壁20_1a可以包括倾斜部分。在一个实施方式中，开口opn的侧壁20_1a的一部分可以相对于母基板10的第一表面10a大致形成直角(90度)，并且其另一部分可以倾斜以相对于母基板10的第一表面10a形成锐角。在一个实施方式中，母基板10和载体膜20_1中开口opn的侧壁20_1a的与母基板10相邻的部分之间的角度可以是锐角。在一个实施方式中，基材层21的侧壁20_1a可以相对于母基板10的第一表面10a大致成直角(例如，约90度)，并且粘合层22_1的侧壁20_1a的一部分(例如，与母基板10的第一表面10a相邻的部分)可以相对于母基板10的第一表面10a形成锐角。
67.在一个实施方式中，粘合层22_1可以具有基于位置而变化或不同的厚度。在一个实施方式中，粘合层22_1可以包括一部分，在该部分中在从粘合层22_1的内部到开口opn的方向上厚度变薄。在一个实施方式中，粘合层22_1可以具有第一厚度h1(在与开口opn相邻
的位置处的最小厚度)，可以具有第三厚度h3(在粘合层的里侧部分或内部的最大厚度)，并且可以在具有第一厚度h1的部分和具有第三厚度h3的部分之间(例如，在粘合层的内部和开口opn之间的位置处)具有第二厚度h2。
68.可以减小粘合层22_1与母基板10的第一表面10a之间的接触面积，因此，可以在清洗工艺s150中容易地去除粘合层22_1。
69.图13是根据本公开实施例的附接有载体膜20_2的母基板10的部分区域的截面图。图14是图13的区域c的放大图。
70.参照图13和图14，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_2的不同之处可以在于，粘合层22_2可以在其接触母基板10的表面中包括多个凹槽23。
71.在一个实施方式中，多个凹槽23可以形成在粘合层22_2的一个表面中或在粘合层22_2的一个表面中向内延伸。由于多个凹槽23，可以减少粘合层22_2与母基板10接触的区域。粘合层22_2与母基板10的第一表面10a之间的接触面积可以减小，因此，可以在清洗工艺s150中容易地去除粘合层22_2。
72.在一个实施方式中，粘合层22_2可以具有基于位置而变化或不同的厚度。在一个实施方式中，粘合层22_2可以包括一部分，在该部分中在从粘合层22_2的内部到开口opn的方向上厚度变薄。在一个实施方式中，粘合层22_2可以在与开口opn相邻的位置处具有第一厚度h1，可以在其里侧部分或内部具有第三厚度h3，并且可以在第一厚度h1和第三厚度h3之间的区域处(例如，在粘合层的内部和开口opn之间的位置处)具有第二厚度h2。此外，粘合层22_2可以在形成多个凹槽23中的每一个凹槽的部分处具有第四厚度h4(比第三厚度h3薄)。
73.在一个实施方式中，母基板10和开口opn的侧壁20_2a的与母基板10相邻的部分之间的角度可以是锐角。
74.图15是根据本公开实施例的附接有载体膜20_3的母基板10的部分区域的截面图。图16是图15的区域d的放大图。
75.参照图15和图16，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_3的不同之处可以在于，粘合层22_3可以在其侧壁中包括至少一个凹槽24。
76.在一个实施方式中，向内形成的至少一个凹槽24可以形成在粘合层22_3的侧壁中。由于至少一个凹槽24，表面面积可以增加。因此，在清洗工艺s150中，粘合层22_3与溶剂接触的面积可以增加，并且可以容易地去除粘合层22_3。
77.在一个实施方式中，母基板10和开口opn的侧壁20_3a的与母基板10相邻的部分之间的角度θ可以大致为直角(例如，约90度)。
78.图17是根据本公开实施例的附接有载体膜20_4的母基板10的部分区域的截面图。图18是图17的部分e的放大图。
79.参照图17和图18，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_4的不同之处可以在于，粘合层22_4可以在其中包括气胞25(例如，气泡)。
80.在一个实施方式中，粘合层22_4可以在其中包括多个气胞25。由于多个气胞25，在清洗工艺s150中，粘合层22_4可以与溶剂反应，并且表面面积可以增加。在一个实施方式中，可以在清洗工艺s150中容易地去除粘合层22_4。在一个实施方式中，多个气胞25中的每一个可以是空隙的形式。
81.在一个实施方式中，母基板10和开口opn的侧壁20_4a的与母基板10相邻的部分之间的角度可以是锐角。
82.图19是根据本公开实施例的附接有载体膜20_5的母基板10的部分区域的截面图。图20是图19的区域f的放大图。
83.参照图19和图20，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_5的不同之处可以在于，粘合层22_5可以包括在其一个表面中的至少一个凹槽23并且可以包括在其中的气胞25。
84.在一个实施方式中，至少一个凹槽23可以向内形成在粘合层22_5的侧壁或底部(例如，面向母基板10)表面上，并且粘合层22_5还可以包括在其中的多个气胞25。
85.在一个实施方式中，母基板10和开口opn的侧壁20_5a的与母基板10相邻的部分之间的角度可以是锐角。
86.图21是根据本公开实施例的附接有载体膜20_6的母基板10的部分区域的截面图。图22是图21的区域g的放大图。
87.参照图21和图22，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_6的不同之处可以在于，开口的宽度发生变化。
88.在一个实施方式中，基材层21中的开口opn1的宽度可以与粘合层22_6中的开口opn2的宽度不同。在一个实施方式中，粘合层22_6中的开口opn2的宽度可以大于基材层21中的开口opn1的宽度。粘合层22_6与母基板10的第一表面10a之间的接触面积可以相对减小，因此，可以在清洗工艺s150中容易地去除粘合层22_6。
89.图23是根据本公开实施例的附接有载体膜20_7的母基板10的透视图。图24是沿图23的线ii-ii’截取的截面图。
90.参照图23和图24，与根据图1和图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_7的不同之处可以在于，形成开口opn，以使多个开放区域opa中的每一个具有与焊球区域sa的宽度相同的宽度。
91.在一个实施方式中，载体膜20_7可以包括基材层21_1和粘合层22_7。在一个实施方式中，载体膜20_7可以包括多个开口opn，每个开口的宽度与焊球50的宽度相同。因此，可以限定在母基板10的第一表面10a中宽度与焊球区域sa的宽度相同的开放区域opa。
92.在一个实施方式中，母基板10可以被设置为类型1-1，其中在半导体封装工艺中将载体膜20_7附接在母基板10上。
93.图25是示出根据本公开实施例的附接有载体膜20_8的母基板10的示意性透视图。
94.参照图25，与根据图4的实施例的载体膜20相比，根据本实施例的载体膜20_8的不同之处可以在于，载体膜20_8包括多个第一开口opna和多个第二开口opnb，多个第一开口opna限定了包括焊球区域sa在内的第一开放区域opa1，在焊球区域sa中多个焊球50形成在母基板10的第一表面10a中或第一表面10a上，多个第二开口opnb限定了包括未形成多个焊球50的区域在内的第二开放区域opa2。
95.在一个实施方式中，载体膜20_8可以包括基材层21_2和粘合层22_8。在一个实施方式中，载体膜20_8可以包括多个第一开口opna和多个第二开口opnb。在此，多个第一开口opna可以具有与上述实施例中的每个开口opn(参见图1至图4)的功能相同的功能。可以形成多个第二开口opnb，使得当将载体膜20_8附接在母基板10上时，母基板10的第一表面10a
的第二开放区域opa2被暴露。
96.母基板10的第二开放区域opa2可以不包括焊球区域sa。在一个实施方式中，可以不在母基板10的第二开放区域opa2中形成多个焊球50。
97.在一个实施方式中，多个第一开口opna中的每一个的宽度可以与多个第二开口opnb中的每一个的宽度不同。在一个实施方式中，在载体膜20_8中，多个第一开口opna中的每一个的宽度可以大于多个第二开口opnb中的每一个的宽度。
98.在一个实施方式中，母基板10可以被设置为类型1-2，其中在半导体封装工艺中将载体膜20_8附接在母基板10上。
99.通过总结和回顾，随着基板的厚度变薄，由于刚度不足，在半导体封装工艺中可能发生诸如设备偏差和基板破裂的现象。
100.为了解决这些现象，例如，一种方法可以包括将载体膜或载体基板附接基板的一个表面上，在基板的该一个表面相对的表面上安装有半导体芯片。
101.根据本公开的实施例，在半导体封装工艺中可以通过使用最少的工艺和最小的成本将载体膜与母基板分离。
102.另外，在将载体膜与母基板分离的过程中可以使母基板中残存的残留物的量最小化。
103.一个或多个实施例可以提供一种载体膜，在半导体封装工艺中该载体膜支撑母基板并且容易与母基板分离。
104.一个或多个实施例可以提供一种在半导体封装工艺中通过使用最少化的工艺来将载体膜与附接该载体膜的母基板分离的方法。
105.本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅用于且应被解释为一般的描述性意义，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如提交本技术的本领域普通技术人员应认识到，除非另有明确说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与其他实施例描述的特征、特性和/或元件相结合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的前提下，可以进行形式和细节上的各种改变。

技术特征：
1.一种用于对包括多层电路的母基板执行半导体封装工艺的载体膜，所述载体膜包括：具有预定刚度的基材层；以及粘合层，被配置为将所述基材层附接到所述母基板上，所述粘合层包括水溶性材料，其中，所述载体膜包括从其顶表面到底表面穿通的多个开口。2.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述基材层包括水溶性材料。3.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述母基板的厚度小于80μm。4.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述母基板包括：附接有所述载体膜的第一表面，以及包括其上附接的多个半导体芯片的第二表面。5.根据权利要求4所述的载体膜，其中：所述母基板在其第一表面上包括多个开放区域，所述多个开放区域被所述载体膜的所述多个开口暴露，以及所述多个开放区域中的每一个包括焊球区域，所述焊球区域上分别包括焊球。6.根据权利要求1所述的载体膜，其中，在所述载体膜的与所述母基板的第一表面相邻的部分处，所述多个开口中每一个的侧壁相对于所述母基板的所述第一表面形成直角。7.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述粘合层包括具有不同厚度的多个部分。8.根据权利要求7所述的载体膜，其中，在所述载体膜的与所述母基板的第一表面相邻的部分处，所述多个开口中每一个的侧壁相对于所述母基板的所述第一表面形成锐角。9.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述粘合层在其与所述母基板接触的表面上包括多个向内凹陷的凹槽。10.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述粘合层在所述多个开口中的每一个开口处的侧壁中包括至少一个凹槽。11.根据权利要求1所述的载体膜，其中，所述粘合层包括在其中的多个气胞。12.根据权利要求1所述的载体膜，其中，在所述粘合层中所述多个开口中的每一个的宽度与在所述基材层中所述多个开口中的每一个的宽度不同。13.一种能够保持在载体膜上的母基板，所述母基板包括：第一表面，包括多个焊球区域和第一开放区域，所述多个焊球区域上包括多个焊球，并且所述第一开放区域包括所述多个焊球区域；安装有半导体芯片的第二表面；以及在所述第一表面和所述第二表面之间的多层电路，其中：在所述第一表面和所述第二表面之间所述母基板的厚度小于80μm，以及所述载体膜包括水溶性粘合层和第一开口，所述载体膜能够附接在所述第一表面上，使得所述第一开放区域与所述第一开口对准。14.根据权利要求13所述的母基板，其中，所述第一开放区域的宽度大于所述多个焊球区域中的每一个的宽度。15.根据权利要求13所述的母基板，其中，通过在所述母基板的所述第一表面上形成所述多个焊球之后执行清洗工艺，能够将所述载体膜与所述母基板分离。
16.根据权利要求15所述的母基板，其中，通过执行所述清洗工艺，能够将残存在所述多个焊球中每一个上或附近的颗粒或残留物与所述载体膜一起与所述母基板分离。17.根据权利要求13所述的母基板，其中：所述载体膜还包括基材层，所述基材层的刚度比所述粘合层的刚度大，以及所述粘合层被配置为将所述基材层附接到所述母基板的所述第一表面。18.根据权利要求17所述的母基板，其中，所述基材层包括水溶性材料。19.根据权利要求13所述的母基板，其中：所述载体膜还包括第二开口，以及所述第一表面被所述第二开口暴露，并且还包括第二开放区域，在所述第二开放区域中未设置所述多个焊球区域。20.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供附接有载体膜的母基板，所述载体膜包括水溶性粘合层，所述母基板包括被附接的载体膜部分地暴露的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；物理抛光所述母基板的所述第二表面以去除所述母基板的一部分；将半导体芯片安装在所述第二表面上；在所述第二表面上形成围绕所述半导体芯片的边缘的模制材料；在所述第一表面的部分暴露区域中形成焊球；以及执行清洗工艺以分离所述载体膜并去除残存在所述第一表面的部分暴露区域上的残留物和来自所述焊球的颗粒。

技术总结
一种用于对包括多层电路的母基板执行半导体封装工艺的载体膜、母基板以及制造半导体封装的方法，该载体膜包括：具有预定刚度的基材层；以及粘合层，被配置为将基材层附接到母基板上，粘合层包括水溶性材料，其中载体膜包括从其顶表面到底表面穿通的多个开口。括从其顶表面到底表面穿通的多个开口。括从其顶表面到底表面穿通的多个开口。


技术研发人员：金泰性
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2022/5/25