控制器和具有该控制器的存储器系统的制作方法

控制器和具有该控制器的存储器系统
1.相关申请的交叉引用
2.本专利文件要求于2020年11月23日提交的、申请号为10-2020-0158149的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用全部并入本文。
技术领域
3.本专利文件中公开的技术和实施方案总体上涉及一种控制器和具有该控制器的存储器系统，并且更具体地，涉及一种执行刷新操作的控制器和具有该控制器的存储器系统。


背景技术：

4.电子数据系统可以包括一个或多个主机和存储器系统。主机可以包括移动电话或计算机，并且存储器系统可以基于来自主机的请求来存储或读取数据。存储器系统可以包括存储数据的存储器装置和控制该存储器装置的控制器。根据存储器装置在断电时保持所存储的数据的能力，存储器装置被表征为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
5.易失性存储器装置在通电时保持所存储的数据，但是当电力中断时，所存储的数据会丢失。易失性存储器装置的示例可以包括动态随机存取存储器(dram)。dram可以包括存储器单元并且以高速执行数据输入/输出操作，存储器单元包括电容器。然而，dram由于由电容器配置的存储器单元而丢失其数据。因此，dram周期性地执行刷新操作以保持存储器单元中存储的数据。


技术实现要素：

6.所公开的技术的实施方案提供一种控制器以及包括控制器的存储器系统，该控制器能够基于存储装置中存储的数据的失败位的数量和存储器系统的温度来确定刷新时段，并且基于所确定的时段来执行自刷新操作。
7.根据本公开的实施例的存储器系统包括：存储装置，包括用于存储数据的存储器单元；以及控制器，与外部装置通信并且被配置为基于来自外部装置的请求来控制存储装置。控制器被配置为接收来自外部装置的请求以执行重新写入在存储器单元中存储的数据的刷新操作，从存储装置中包括的存储器单元读取数据，基于所读取的数据的失败位的数量和控制器或存储装置的温度来设置刷新时段，并且基于刷新时段来执行对存储装置的刷新操作。
8.根据本公开的实施例的控制器包括：命令生成器，被配置为接收指示为刷新模式或自刷新模式的操作模式的模式信号，并且响应于该模式信号在刷新模式下输出刷新命令或者响应于该模式信号在自刷新模式下输出读取命令以从与控制器通信的存储装置读取数据，并且响应于刷新使能信号在自刷新模式下进一步输出刷新命令；错误校正引擎，被配置为从存储装置接收所读取的数据，对所读取的数据执行错误校正操作并且输出所读取的数据中包括的失败位的数量；温度传感器，被配置为测量控制器或存储装置中的至少一个
的温度，并且输出关于所测量的温度的温度信息；以及时段控制器，被配置为基于失败位的数量和温度信息来计算刷新时段并且基于刷新时段来输出刷新使能信号。
9.根据所公开的技术的实施方案，通过基于存储装置中存储的数据的失败位的数量和存储器系统的温度来确定刷新时段并且基于所确定的时段来执行自刷新操作，可以更有效地执行刷新操作。
附图说明
10.图1是示出基于所公开的技术的实施例的存储器系统的示图。
11.图2是示出图1所示的控制器的示例的示图。
12.图3是示出图2所示的时段控制器的示例的示图。
13.图4是示出基于所公开的技术的实施例的自刷新操作的流程图。
14.图5是具体示出参照图4描述的运算刷新时段的步骤的流程图。
15.图6a是示出确定刷新时段的第一实施例的示图。
16.图6b是示出确定刷新时段的第二实施例的示图。
17.图7a至图7c是顺序地示出在所公开的技术的一些实施方案的自刷新模式下操作控制器的方法的示图。
18.图8是示出在所公开的技术的一些实施方案的刷新模式下操作控制器的方法的示图。
19.图9是示出包括基于所公开的技术的一些实施方案的控制器的数据处理装置的示图。
20.图10是示出包括基于所公开的技术的一些实施方案的控制器的移动装置的示图。
具体实施方式
21.图1是示出根据所公开技术的实施例的存储器系统的示图。
22.参照图1，存储器系统1000可以包括：存储装置1100，能够存储数据；以及控制器1200，被配置为控制存储装置1100。
23.存储装置1100可以包括易失性存储器。存储装置1100可以包括：第一至第n存储库ba1至ban(n为正整数)，可以存储数据；以及第一至第n有源电路ac1至acn，被配置为在刷新操作期间向第一至第n存储库ba1至ban供应预充电电压。第一至第n存储库ba1至ban可以包括多个存储器单元。第一至第n有源电路ac1至acn可以分别连接到第一至第n存储库ba1至ban。第一至第n存储库ba1至ban中包括的存储器单元可以连接到字线。
24.易失性存储器可以包括动态ram(dram)或同步dram(sdram)，并且可以包括各种类型的存储器。例如，存储装置1100可以包括需要刷新操作以长期保持数据的各种类型的存储器。
25.在刷新操作中，存储器单元中存储的数据被读出并且被重新写入以减少不希望的数据劣化。
26.控制器1200可以被配置为控制存储装置1100。例如，控制器1200可以响应于从外部装置(例如，主机)输出的各种请求而向存储装置1100输出用于执行各种操作的控制信号。例如，控制器1200可以输出用于执行刷新操作的刷新命令和用于执行读取操作的读取
命令。控制器1200可以向存储装置1100输出用于选择字线的行地址和用于控制有源电路的有源控制信号。另外，控制器1200可以输出便于读取操作或刷新操作的各种其他控制信号。
27.在一些实施方案中，控制器1200可以基于来自外部装置的请求而在刷新模式或自刷新模式下操作。仅当从外部装置接收到刷新请求时，控制器1200才可以在刷新模式下执行刷新操作。控制器1200可以从在从外部装置接收到自刷新请求时到接收到刷新结束请求时的每个特定时段，在自刷新模式下执行刷新操作。当自刷新模式开始时，根据本实施例的控制器1200可以执行读取操作并且对所读取的数据的失败位的数量进行计数。控制器1200可以基于经计数的失败位的数量和温度来确定用于执行刷新操作的时段，并且可以基于所确定的时段来执行刷新操作。控制器1200可以基于所确定的时段来周期性地执行刷新操作，直到接收到刷新结束请求为止。当接收到刷新结束请求时，控制器1200可以结束自刷新模式。
28.图2是示出图1所示的控制器的示例的示图。
29.参照图2，控制器1200可以包括模式选择器210、命令生成器220、计数器230、地址控制器240、错误校正引擎250、温度传感器260以及时段控制器270。
30.模式选择器210可以被配置为从外部装置接收各种请求，并且响应于接收到的请求输出信号。来自外部装置的各种请求可以包括自刷新请求rqsrf、刷新结束请求rqfn和刷新请求rqrf。从模式选择器210输出的信号可以包括自刷新模式信号mdsrf、结束信号fns和刷新模式信号mdrf。当模式选择器210接收到自刷新请求rqsrf、刷新结束请求rqfn和刷新请求rqrf时，模式选择器210可以分别输出自刷新模式信号mdsrf、结束信号fns和刷新模式信号mdrf。例如，模式选择器210可以响应于自刷新请求rqsrf来输出自刷新模式信号mdsrf，响应于刷新结束请求rqfn来输出结束信号fns，并且响应于刷新请求rqrf来输出刷新模式信号mdrf。
31.命令生成器220可以被配置为响应于自刷新模式信号mdsrf、结束信号fns或刷新模式信号mdrf，输出与不同模式相对应的命令和信号。例如，当接收到自刷新模式信号mdsrf时，命令生成器220可以输出自刷新信号srfs和读取命令cmdrd，并且当接收到刷新使能信号enrf时，命令生成器220可以输出自刷新信号srfs和刷新命令cmdrf。在一些实施方案中，可以从命令生成器220依次输出自刷新信号srft和读取命令cmdrd。从时段控制器270输出刷新使能信号enrf，稍后将参照图3对时段控制器270进行进一步说明。可以向计数器230传输自刷新信号srfs，并且可以向存储装置1100传输读取命令cmdrd。当接收到用于结束自刷新模式的结束信号fns时，命令生成器220可以输出停用信号disa。可以向时段控制器270传输停用信号disa。每当接收到刷新使能信号enrf时，命令生成器220就可以输出自刷新信号srfs和刷新命令cmdrf，直到接收到结束信号fns为止。当接收到刷新模式信号mdrf时，命令生成器220可以输出刷新信号rfs和刷新命令cmdrf。在一些实施方案中，可以从命令生成器220依次输出刷新信号rft和刷新命令cmdrf。可以向计数器230传输刷新信号rfs，并且可以向存储装置1100传输刷新命令cmdrf。
32.计数器230可以响应于自刷新信号srfs或刷新信号rfs，输出用于选择地址的地址计数值adc。例如，当接收到自刷新信号srfs时，计数器230可以输出设置为默认值的地址计数值adc，当接收到刷新信号rfs时，计数器230可以增加地址计数值adc。例如，计数器230可以在每次接收到刷新信号rfs时逐步增加地址计数值adc，并且输出值增加的地址计数值
adc。
33.地址控制器240可以根据地址计数值adc，输出待对其执行读取操作或刷新操作的存储器单元的行地址radd和有源控制信号acon。例如，地址控制器240可以包括地址生成器241和有源驱动器242。地址生成器241可以响应于地址计数值adc输出行地址radd。有源驱动器242可以响应于地址计数值adc输出有源控制信号acon。在存储装置1100中包括的第一至第n有源电路ac1至acn之中选择有源电路，并且所选择的有源电路可以根据有源控制信号acon来操作。可以根据行地址radd来选择存储库中包括的字线。例如，当地址计数值adc是默认值时，可以选择第一字线，并且每当地址计数值adc增加时，可以选择下一字线。
34.错误校正引擎250可以检查从存储装置1100的所选择的存储器单元读取的数据data的错误，并且输出所读取的数据data中包括的失败位的数量fbc。当输出失败位的数量fbc时，错误校正引擎250可以输出检查信号chk。可以向时段控制器270传输失败位的数量fbc，并且可以向温度传感器260传输检查信号chk。
35.温度传感器260可以被配置为检查控制器1200或存储装置1100的温度，或者检查控制器1200和存储装置1100中的每一个的温度。温度传感器260可以输出温度信息tpif，温度信息tpif是关于响应于检查信号chk而检查的温度的信息。可以向时段控制器270传输温度信息tpif。
36.时段控制器270可以基于失败位的数量fbc和温度信息tpif来计算刷新时段，并且可以基于所计算的刷新时段来周期性地输出刷新使能信号enrf。当接收到停用信号disa时，时段控制器270可以初始化时段并且停止输出刷新使能信号enrf。
37.参照图3更详细地描述时段控制器270的配置。
38.图3是示出图2所示的时段控制器的示例的示图。
39.参照图3，时段控制器270可以包括运算器271、时段管理器272和缓冲器273。
40.运算器271可以通过基于失败位的数量fbc和温度信息tpif执行运算来计算刷新时段rfp。因此，运算器271可以根据失败位的数量和温度来计算刷新时段rfp。例如，运算器271可以随着失败位的数量增加而缩短刷新时段rep，并且可以随着失败位的数量减少而延长刷新时段rep。运算器271可以随着温度升高而缩短刷新时段rfp，并且可以随着温度降低而延长刷新时段rfp。
41.当接收到从运算器271输出的刷新时段rfp时，时段管理器272可以将接收到的刷新时段rfp存储在缓冲器273中并且输出刷新使能信号enrf。时段管理器272可以在输出刷新使能信号enrf之后计数一次，并且基于缓冲器273中存储的时段来周期性地输出刷新使能信号enrf。当接收到停用信号disa时，时段管理器272可以初始化存储刷新时段rfp的缓冲器273，并且可以停止输出刷新使能信号enrf。
42.图4是示出根据所公开的技术的实施例的自刷新操作的流程图。
43.参照图4和图2，控制器1200可以基于从外部装置(例如，主机)输出的请求在刷新模式或自刷新模式下操作(s41)。当从控制器1200接收的请求是刷新请求rm时，控制器1200可以对所选择的存储库执行刷新操作(s60)。例如，刷新操作可以执行预定的次数。例如，预定的次数可以是一次。在刷新模式下执行的刷新操作可以对应于本领域中通常执行的刷新操作，因此将省略其详细描述。参照图4，将更详细地讨论在自刷新模式下执行的自刷新操作。
44.当从控制器1200接收的请求是自刷新请求srf时，命令生成器220可以输出针对读取操作的自刷新信号srfs，并且计数器230可以响应于自刷新信号srfs输出地址计数值adc(s42)。响应于自刷新信号srfs输出的地址计数值adc可以具有默认值。
45.地址控制器240可以基于地址计数值adc来输出行地址radd和有源控制信号acon(s43)。由于在步骤s42中输出的地址计数值adc具有默认值，因此行地址radd可以是第一行地址。在本实施例中，在读取操作期间选择第一行地址，但是可以顺序地输出多个行地址，以便顺序地选择存储库中包括的多条字线之中的至少一条或多条字线。
46.当在步骤s43中选择了地址时，命令生成器220可以输出针对读取操作的读取命令cmdrd。例如，在步骤s43中，可以向存储装置传输读取命令cmdrd、行地址radd和有源控制信号acon。
47.在存储装置中包括的多个存储库之中，可以选择连接到基于有源控制信号acon选择的有源电路的存储库，并且可以基于行地址radd来选择所选择的存储库中包括的多条字线之中的一条字线。随后，可以对连接到所选择的字线的存储器单元执行读取操作(s45)。存储装置可以向控制器1200输出从连接到所选择的字线的存储器单元读取的数据。
48.控制器1200中包括的错误校正引擎250可以对读取的数据进行解码(s46)，根据解码结果对失败位的数量进行计数，并且输出失败位的数量fbc(s47)。
49.控制器1200中包括的温度传感器260可以感测控制器1200或存储装置1100中的至少一个的温度，并且输出关于所感测的温度的温度信息tpif(s48)。
50.时段控制器270可以根据失败位的数量fbc和温度信息tpif来计算刷新时段(s49)。例如，时段控制器270可以基于温度信息来确定刷新时段，然后基于失败位的数量fbc来控制或调整刷新时段。
51.时段控制器270可以确定是否接收到刷新结束请求(s50)。当没有接收到刷新结束请求时(否)，时段控制器270可以检查刷新时段(s51)。在步骤s50中，当没有接收到停用信号disa时，时段控制器270可以确定没有接收到刷新结束请求。
52.在步骤s51中，当首次生成刷新时段时，时段控制器270可以输出刷新使能信号enrf，然后，时段控制器270可以根据刷新时段来周期性地输出刷新使能信号enrf。
53.可以将刷新使能信号enrf输入到命令生成器220，命令生成器220可以响应于刷新使能信号enrf输出针对刷新操作的刷新信号rfs，并且计数器230可以响应于刷新信号rfs输出地址计数值adc(s52)。响应于第一刷新信号rfs输出的地址计数值adc可以具有默认值，并且地址计数值adc可以从第二刷新信号rfs逐步增加。
54.地址控制器240可以基于地址计数值adc来输出行地址radd和有源控制信号acon(s53)。
55.当在步骤s53中选择了地址时，命令生成器220可以输出刷新命令cmdrf以执行刷新操作。例如，在步骤s53中，可以向存储装置传输刷新命令cmdrf、行地址radd和有源控制信号acon。
56.在存储装置中包括的多个存储库之中，可以选择连接到基于有源控制信号acon选择的有源电路的存储库，并且可以基于行地址radd来选择所选择的存储库中包括的多条字线之中的一条字线。随后，可以对连接到所选择的字线的存储器单元执行刷新操作(s55)。
57.当在步骤s55中对所选择的存储库中包括的所有存储器单元的刷新操作完成时，
时段控制器270可以确定是否接收到刷新结束请求(s50)，并且当没有接收到刷新结束请求时(否)，时段控制器270可以检查刷新时段(s51)。
58.当与在步骤s51中存储的时段相对应的时间来临时，可以再次对所选择的存储库执行步骤s52至s55。也就是说，可以通过步骤s52至s55再次执行所选择的存储库的刷新操作。
59.在步骤s50中，当响应于刷新结束请求而从时段控制器270接收到停用信号disa，即接收到刷新结束请求时(是)，控制器1200可以结束自刷新模式。
60.图5是示出参照图4描述的运算刷新时段的步骤的流程图。
61.参照图5，在运算参照图4描述的刷新时段(s49)时，在基于温度确定刷新时段rp之后，可以基于失败位的数量fbc来确定刷新时段rp。例如，当运算刷新时段(s49)开始时，图2的时段控制器270可以基于在步骤s48中感测的温度来确定刷新时段rp(s61)。例如，刷新时段rp可以被设置为随着温度降低而变长，也可以被设置为随着温度升高而变短。例如，可以定义多个温度范围，并且时段控制器270可以基于包括感测的温度的温度范围来确定刷新时段rp。
62.当基于温度确定刷新时段rp时，时段控制器270可以基于失败位的数量fbc来维持或控制刷新时段rp。例如，时段控制器270可以将在图4的步骤s47中计数的失败位的数量fbc与失败位的参考数量fbc_ref进行比较(s62)。这里，失败位的参考数量fbc_ref可以是预设的固定值或者可以是在先前的操作中计数的失败位的数量。
63.在步骤s62中，当确定失败位的数量fbc等于失败位的参考数量fbc_ref(fbc＝fbc_ref)时，时段控制器270可以保持在步骤s61中确定的刷新时段rp(s63)。
64.在步骤s62中，当确定失败位的数量fbc小于失败位的参考数量fbc_ref(fbc＜fbc_ref)时，时段控制器270可以增加在步骤s61中确定的刷新时段rp(s64)。
65.在步骤s62中，当确定失败位的数量fbc大于失败位的参考数量fbc_ref(fbc》fbc_ref)时，时段控制器270可以减小在步骤s61中确定的刷新时段rp(s65)。
66.在步骤s63至s65中的任意一个中确定的刷新时段rp可以是最终刷新时段rp。当确定了最终刷新时段rp时，可以执行步骤s50。
67.图6a是示出确定刷新时段的第一实施例的示图。
68.参照图6a，可以首先基于感测的温度t来确定刷新时段rp，然后基于新计数的失败位的数量fbc_new来控制或调整刷新时段rp。例如，假定温度t可以落在1t、2t和3t三个范围中的一个内。1t是最低温度范围，2t是高于1t的温度范围，3t是高于2t的温度范围。当感测的温度t包括在1t中时，刷新时段rp可以被确定为3p。在图6a中，3p是长于2p的刷新时段rp，2p是长于1p的刷新时段rp。之后，随着新计数的失败位的数量fbc_new减少(-)，可以将刷新时段rp控制或调整为长于3p，而随着新计数的失败位的数量fbc_new增加( )，可以将刷新时段rp控制或调整为短于3p。可以基于新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref的比较结果来确定刷新时段rp。例如，当新计数的失败位的数量fbc_new小于失败位的参考数量fbc_ref，并且随着数量差异增加时，可以将刷新时段rp控制或调整为在
“‑”
方向上更长。当新计数的失败位的数量fbc_new大于失败位的参考数量fbc_ref，并且随着数量差异的增加时，可以将刷新时段rp控制或调整为在“ ”方向上更短。
69.当感测的温度t落在2t范围内时，刷新时段rp可以首先被确定为2p，并且可以基于
新计数的失败位的数量fbc_new而将刷新时段rp控制或调节为更长或更短。当感测的温度t落在3t范围内时，刷新时段rp可以首先被确定为1p，并且可以基于新计数的失败位的数量fbc_new而将刷新时段rp控制或调节为更长或更短。
70.在图6a所示的第一实施例中，可以基于新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差，以相同的第一步长时段df1来控制刷新时段rp，而与感测的温度t无关。例如，当感测的温度t落入1t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在
“‑”
方向上的1时，可以将刷新时段rp控制或调整为比3p长第一步长时段df1。当感测的温度t落入2t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在
“‑”
方向上的1时，将刷新时段rp控制或调整为比2p长第一步长时段df1。当感测的温度t落入3t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在
“‑”
方向上的1时，将刷新时段rp控制或调整为比1p长第一步长时段df1。
71.在另一示例中，当感测的温度t落入1t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在“ ”方向上的2时，将刷新时段rp控制或调整为比3p短两倍的第一步长时段df1。当感测的温度t落入2t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在“ ”方向上的2时，将刷新时段rp控制或调整为比2p短两倍的第一步长时段df1。当感测的温度t落入3t并且新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差是在“ ”方向上的2时，将刷新时段rp控制或调整为比1p短两倍的第一步长时段df1。
72.在上述实施例中，不管温度t如何，基于新计数的失败位的数量fbc_new来控制刷新时段rp的单位是相同的，但是如以下呈现的另一实施例中所讨论的，可以基于温度t来不同地设置刷新时段rp的步长时段。
73.图6b是示出确定刷新时段的第二实施例的示图。
74.随着感测的温度t升高，需要更频繁地执行刷新操作。因此，在第二实施例中，随着温度t升高，用于控制刷新时段rp的步长时段可以被设置为相对较短，并且随着温度t降低，用于控制刷新时段rp的步长时段可以被设置为相对较长。
75.例如，当感测的温度为1t时，可以基于新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差，以第二步长时段df2为单位来控制或调整刷新时段rp。当感测的温度是高于1t的2t时，可以基于新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差，以比第二步长时段df2短的第三步长时段df3为单位来控制或调整刷新时段rp。当感测的温度是高于2t的3t时，可以基于新计数的失败位的数量fbc_new与失败位的参考数量fbc_ref之差，以比第三步长时段df3短的第四步长时段df4为单位来控制或调整刷新时段rp。
76.因此，随着感测的温度t升高，通过精确地控制刷新时段rp，可以提高存储器系统1000的可靠性。
77.图7a至图7c是顺序地示出在所公开的技术的自刷新模式下操作控制器的方法的示图。
78.参照图7a，当接收到自刷新请求rqsrf时，模式选择器210可以输出自刷新模式信号mdsrf。命令生成器220可以响应于自刷新模式信号mdsrf顺序地输出自刷新信号srfs和读取命令cmdrd。计数器230可以响应于自刷新信号srfs输出设置为默认值的地址计数值
adc。地址控制器240可以根据地址计数值adc来输出所选择的字线的行地址radd和有源控制信号acon。例如，地址生成器241可以输出行地址radd，并且有源驱动器242可以输出有源控制信号acon。
79.存储装置1100可以响应于读取命令cmdrd、行地址radd和有源控制信号acon，执行对连接到所选择存储库的所选择字线的存储器单元的读取操作。
80.参照图7b，当读取操作完成时，存储装置1100可以将读取的数据data输出到控制器1200。控制器1200的错误校正引擎250可以检查从存储装置1100输出的数据data的错误并且输出检查到的失败位的数量fbc。当错误校正引擎250输出失败位的数量fbc时，错误校正引擎250可以将检查信号chk输出到温度传感器260。温度传感器260可以响应于检查信号chk输出关于感测的温度的温度信息tpif。
81.时段控制器270可以根据温度信息tpif和失败位的数量fbc来设置刷新时段，并且可以在每个设置时段将刷新使能信号enrf输出到命令生成器220。
82.命令生成器220可以响应于刷新使能信号enrf，顺序地输出刷新信号rfs和刷新命令cmdrf。计数器230可以响应于刷新信号rfs，输出地址计数值adc。地址控制器240可以输出有源控制信号acon和根据地址计数值adc选择的字线的行地址radd。例如，地址生成器241可以输出行地址radd，并且有源驱动器242可以输出有源控制信号acon。
83.存储装置1100可以响应于刷新命令cmdrf，执行对所选择的存储库的刷新操作。
84.时段控制器270可以通过在每个设置时段将刷新使能信号enrf输出到命令生成器220来周期性地执行对存储装置1100中包括的存储库的刷新操作。
85.参照图7c，当从模式选择器210接收到刷新结束请求rqfn时，模式选择器210可以输出结束信号fns。命令生成器220可以响应于结束信号fns，将停用信号disa输出到时段控制器270。当接收到停用信号disa时，时段控制器270结束自刷新模式并且不输出刷新使能信号enrf。
86.图8是示出在所公开的技术的刷新模式下操作控制器的方法的示图。
87.参照图8，当接收到刷新请求rqrf时，模式选择器210可以输出刷新模式信号mdrf。命令生成器220可以响应于刷新模式信号mdrf，顺序地输出刷新信号rfs和刷新命令cmdrf。计数器230可以响应于刷新信号rfs，输出地址计数值adc。地址控制器240可以输出有源控制信号acon和根据地址计数值adc选择的字线的行地址radd。例如，地址生成器241可以输出行地址radd，并且有源驱动器242可以输出有源控制信号acon。
88.存储装置1100可以响应于刷新命令cmdrf，执行对所选择的存储库的刷新操作。
89.图9是示出应用了根据所公开的技术的实施例的控制器的数据处理装置的示图。
90.参照图9，数据处理装置2000可以包括控制器802、输入装置804、输出装置806和数据存储装置808。另外，为了方便用户，图9的数据处理装置2000可以进一步包括用户输入装置812。用户输入装置812可以是包括数字键、功能键等的装置，并且可以用于在存储器系统2000和用户之间接口连接数据。
91.控制器802可以包括图2所示的控制器1200的配置，并且数据存储装置808可以包括图1所示的存储装置1100的配置。
92.图10是示出应用了根据所公开的技术的实施例的控制器的移动装置的示图。
93.参照图10，移动装置3000可以包括调制解调器1010、控制器1001、dram 1050、闪速
存储器1040、显示装置1020和输入装置1030。
94.控制器1001、dram 1050和闪速存储器1040可以被制造或封装为一个芯片。控制器1001可以根据预设程序来控制移动装置3000的全部操作。控制器1001可以包括图2所示的控制器1200的配置。
95.调制解调器1010可以执行通信数据的调制/解调功能。显示装置1020可以包括作为诸如具有背光的液晶、具有led光源的液晶或oled的元件的触摸屏。显示装置1020可以用作以彩色显示诸如字母、数字和图片的图像的输出装置。输入装置1030可以是包括数字键、功能键等的装置，并且可以在移动装置3000和用户之间接口连接数据。闪速存储器1040可以是nor型或nand型闪速存储器。dram 1050可以用作控制器1001的主存储器并且可以由图1所示的存储装置1100配置。
96.移动装置3000可以用作移动通信装置，但是在某些情况下可以通过添加或减去一些组件来用作智能卡或ssd。移动装置3000可以通过单独的接口连接到外部通信装置。通信装置可以是数字多功能光盘(dvd)播放器、计算机、机顶盒(stb)、游戏机或数码摄像机。
97.尽管在附图中未示出，但是移动装置3000可以进一步包括应用芯片组、摄像机图像处理器(cis)、移动dram等。
98.可以使用各种类型的封装来安装形成移动装置3000的芯片。例如，可以以如下方式封装芯片：层叠封装(pop)、球栅阵列(bga)、芯片级封装(csp)、塑料引线芯片载体(plcc)、塑料双列直插式封装(pdip)、井状管芯封装、晶片式管芯、板上芯片(cob)、陶瓷双列直插式封装(cerdip)、公制四方扁平封装(mqfp)、薄型四方扁平封装(tqfp)、小外型集成电路(soic)、收缩小轮廓封装(ssop)、薄型小尺寸封装(tsop)、系统级封装(sip)、多芯片封装(mcp)、晶圆级制造封装(wfp)、晶圆级堆叠封装(wsp)等。
99.仅描述所公开的技术的一些实施例。可以基于本专利文件中公开的内容对所公开的实施例和其他实施例进行改变和增强。

技术特征：
1.一种存储器系统，包括：存储装置，包括存储数据的存储器单元；以及控制器，与外部装置通信，并且基于来自所述外部装置的请求来控制所述存储装置，其中所述控制器接收来自所述外部装置的请求以执行重新写入在所述存储器单元中存储的数据的刷新操作，从所述存储装置中包括的所述存储器单元读取数据，基于所读取的数据中包括的失败位的数量和所述控制器或所述存储装置的温度来设置刷新时段，并且基于所述刷新时段来执行对所述存储装置的所述刷新操作。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储装置包括：存储库，包括所述存储器单元；以及有源电路，在所述刷新操作期间向所述存储库供应预充电电压。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述控制器包括：模式选择器，从所述外部装置接收所述请求，并且当从所述外部装置接收到自刷新请求时输出自刷新模式信号；命令生成器，响应于所述自刷新模式信号，输出自刷新信号和读取命令；计数器，响应于所述自刷新信号，输出用于选择地址的地址计数值；地址控制器，响应于所述地址计数值，输出用于选择所述存储库的字线的行地址和用于选择所述有源电路的有源控制信号；错误校正引擎，对所读取的数据执行错误校正操作，对在所述错误校正操作期间检测到的失败位的数量进行计数，并且输出所述失败位的数量；温度传感器，感测所述存储装置的温度或所述控制器的温度并且输出关于所感测的温度的温度信息；以及时段控制器，基于所述失败位的数量和所述温度信息来计算所述刷新时段，并根据所述刷新时段来输出刷新使能信号。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述时段控制器包括：运算器，接收所述失败位的数量和所述温度信息，并且基于所述失败位的数量和所述温度信息来计算所述刷新时段；缓冲器，存储所述刷新时段；以及时段管理器，根据所述刷新时段来输出所述刷新使能信号。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述运算器基于所述温度信息来设置所述刷新时段，并且根据所述失败位的数量来重置所述刷新时段。6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中随着所述温度升高，所述运算器将所述刷新时段调整为较短，且随着所述温度降低，所述运算器将所述刷新时段调整为较长，并且随着所述失败位的数量增加，所述运算器将所述刷新时段调整为较短，且随着所述失败位的数量减少，所述运算器将所述刷新时段调整为较长。7.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述运算器基于所述温度信息来设置所述刷新时段，并且再基于所述失败位的数量来调整所述刷新时段。8.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述模式选择器响应于从所述外部装置接收的结束请求，将结束信号输出到所述命令生成器，并且所述命令生成器响应于所述结束信号，将停用信号输出到所述时段控制器。
9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述时段控制器响应于所述停用信号，停止输出所述刷新使能信号。10.根据权利要求3所述的存储器系统，其中当从所述外部装置接收到刷新请求时，所述模式选择器将刷新模式信号输出到所述命令生成器；并且所述命令生成器响应于所述刷新模式信号，将刷新命令输出到所述存储装置。11.一种控制器，包括：命令生成器，接收指示为刷新模式或自刷新模式的操作模式的模式信号，并且响应于所述模式信号在所述刷新模式下输出刷新命令或者响应于所述模式信号在所述自刷新模式下输出读取命令以从与所述控制器通信的存储装置读取数据，并且响应于刷新使能信号进一步在所述自刷新模式下输出所述刷新命令；错误校正引擎，从所述存储装置接收所读取的数据，对所读取的数据执行错误校正操作，并且输出所读取的数据中包括的失败位的数量；温度传感器，测量所述控制器或所述存储装置中的至少一个的温度，并且输出关于所测量的温度的温度信息；以及时段控制器，基于所述失败位的数量和所述温度信息来计算刷新时段，并且基于所述刷新时段来输出所述刷新使能信号。12.根据权利要求11所述的控制器，其中当输出所述失败位的数量时，所述错误校正引擎将检查信号输出到所述温度传感器。13.根据权利要求12所述的控制器，其中所述温度传感器响应于所述检查信号，将所述温度信息输出到所述时段控制器。14.根据权利要求11所述的控制器，其中所述温度传感器测量所述控制器或所述存储装置的温度，或者测量所述控制器和所述存储装置的温度，并且将所测量的温度作为所述温度信息输出。15.根据权利要求11所述的控制器，其中所述时段控制器包括：运算器，接收所述失败位的数量和所述温度信息，并且基于所述失败位的数量和所述温度信息来计算所述刷新时段；缓冲器，存储所述刷新时段；以及时段管理器，基于所述刷新时段周期性地输出所述刷新使能信号。16.根据权利要求15所述的控制器，其中所述运算器基于所述温度信息来设置所述刷新时段，并且基于所述失败位的数量来调整所述刷新时段。17.根据权利要求15所述的控制器，其中随着所述温度升高，所述运算器缩短所述刷新时段，并且随着所述温度降低，所述运算器延长所述刷新时段。18.根据权利要求17所述的控制器，其中随着所述失败位的数量增加，所述运算器将所述刷新时段调整为较短，并且随着所述失败位的数量减少，所述运算器将所述刷新时段调整为较长。19.根据权利要求11所述的控制器，其中所述命令生成器响应于在所述自刷新模式下接收到的结束信号而将停用信号输出到所述时段控制器。20.根据权利要求19所述的控制器，其中所述时段控制器响应于所述停用信号，初始化所述刷新时段并且停止输出所述刷新使能信号。

技术总结
本技术涉及一种控制器和包括该控制器的存储器系统。该存储器系统包括：存储装置，包括用于存储数据的存储器单元；以及控制器，与外部装置通信，并且被配置为基于来自外部装置的请求来控制存储装置。控制器被配置为接收来自外部装置的请求以执行重新写入在存储器单元中存储的数据的刷新操作，从存储装置中包括的存储器单元读取数据，基于所读取的数据的失败位的数量和控制器或存储装置的温度来设置刷新时段，并且基于刷新时段来执行存储装置的刷新操作。新操作。新操作。


技术研发人员：尹铉柱 姜敏 高东郁 金东槿 吴映树 全焌弦
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2022/5/25