一种电子产品外壳制作工艺的制作方法

1.本发明涉及玻璃减薄领域，具体涉及一种电子产品外壳制作工艺。


背景技术：

2.目前市场的多数电子产品外壳，(1)在产品结构方面，如手机、平板电脑、显示屏等外壳产品为金属壳，玻璃壳，注塑单品壳，陶瓷壳等。(2)在产品设计方面：目前市场外面设计的注塑3d产品图没有考虑后制成工艺，产品设计结构单一，导致其无法进行如淋涂、贴合，印刷，cnc落料等多工艺的组合，产品性能单一，设计用途局限性大。(3)在压缩注塑模具制作方面：目前外面开发发模具，模具结构设计考虑不全面，一些关键零件没有改进。
3.如：现有手机壳后盖制作工艺其缺点：(1)工艺制作：利用现有制作工艺制作的金属及陶瓷壳对于信号干扰程度大不利于未来5g市场手机的使用，玻璃壳抗冲击性差，制作成本高，注塑单品壳无法实现多种颜色效果。(2)产品工艺设计：结构设计单一，注塑翘曲程度大，无法进行多工艺组合或进行多工艺组合时良率低。(3)压缩注塑模具制作方面：模具在合模及弹开过程中未做特殊的设计，合模及弹开过程传统的弹簧装置易导致压缩量小，受力不均，模具接触面未做额外处理，使接触面易磨损。因此会造成产品生产厚度不稳定，良率低，产品厚度偏厚，模具使用寿命低的问题。


技术实现要素：

4.本发明提供一种电子产品外壳制作工艺，解决现有玻璃在减薄过程中因挺性和强度下降所带来的一系列问题。
5.为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
6.一种电子产品外壳制作工艺，包括如下步骤：
7.第一步：制备防爆膜，包括：
8.(a)对带oca光学胶的基础防爆膜进行加工得到所需防爆膜，具体包括：
9.(a1)对带有oca光学胶的基础防爆膜进行uv拉丝转印；
10.(a2)将a1中得到的防爆膜非oca面置于覆盖有uv液的uv拉丝模具上，滚轮压制均匀，将uv模具上纹理转印至防爆膜上；
11.(a3)对a2中得到的防爆膜进行uv光照射固化后形成稳定纹理；
12.(b)将a中uv转印后的防爆膜进行电镀，形成镀膜层；
13.(c)在b中得到的防爆膜的镀膜层上进行印刷底色；
14.(d)将c中得到的防爆膜，通过激光镭雕切割至所需形状；
15.第二步：制备电子产品外壳，包括：
16.(e)压缩注塑电子产品外壳：采用相关材料，通过压缩注塑工艺得到所需的电子产品外壳；
17.(f)对e中所得电子产品外壳，进行淋涂工艺处理，使电子产品外壳表面硬度达到所需要标准；
18.第三步：贴合，包括：
19.(g)设置具有粘接层的承载膜，并将第一步中所得防爆膜与承载膜贴合；
20.(h)将g中所得贴合承载膜的防爆膜，在真空环境下与第二步中所得电子产品外壳贴合；在防爆膜和电子产品外壳贴合中，设有用于定位电子产品外壳和防爆膜的定位装置；
21.(i)将h中所得贴合后的电子产品外壳经过相关工艺处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜；
22.(j)将i中所得电子产品外壳置于高压脱泡机内进行除泡处理，处理为一阶段或者多阶段；
23.第四步：cnc加工处理，包括：(k)将步骤三所得电子产品外壳进行cnc加工处理。
24.优选的，所述g中，所述承载膜为po材质承载膜。
25.优选的，所述g中，承载膜上的粘接层为uv感光型，即通过uv照射后失效后粘接层就会失效。
26.优选的，所述i中，相关工艺处理为使用uv照射处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜。
27.优选的，所述h中，防爆膜和电子产品外壳贴合中，根据实际需求，可对电子产品外壳进行加热或者在常温下贴合。
28.优选的，所述j中，若为除泡处理为多阶段，多阶段为四个阶段。
29.优选的，四阶段中高压脱泡机的具体设置包括：阶段1，压力1600
±
200kpa，温度50
±
10℃，时间10min
±
5min；阶段2，压力1500
±
100kpa，温度45
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段3，压力1300
±
100kpa，温度35
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段4，压力1000
±
100kpa，温度30
±
10℃，时间4min
±
2min。
30.优选的，经过所述j处理后，电子产品外壳和防爆膜附着力为10n-20n。
31.优选的，所述定位装置为ccd。
32.优选的，所述的电子产品外壳制作工艺可应用于手机前盖或后盖、超薄导光板、车载工控板、电脑显示屏或液晶显示屏的光学产品制作。
33.本发明实现的有益效果：(1)本发明提供了一种电子产品外壳制作工艺，生产的电子产品外壳相比于现有产品具有对电子信号干扰性小，抗冲击性好，价格低廉，同时，根据市场需求可制作多种外形及颜色。(2)本发明的电子产品外壳制作工艺，采用uv拉丝转印纹理，镀膜层，镀膜层上进行印刷底色，三种结构层按所需颜色效果组合的方式可以实现单色，暗哑，渐变色，高亮炫彩，高亮色，高亮渐变，分区色彩包含但不局限于此的多种颜色色彩效果。(3)本发明的电子产品外壳制作工艺，采用激光镭雕防爆膜——贴合承载膜——ccd定位真空——cnc加工处理，改进了传统贴合后防爆膜与电子产品外壳的组合间隙问题。(4)本发明的电子产品外壳制作工艺，可应用于手机前盖或后盖、超薄导光板、车载工控板、电脑显示屏或液晶显示屏的光学产品制作。
具体实施方式
34.为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本发明进行进一步详细描述。具体如下：
35.具体实施方式一
36.电子产品外壳制作工艺，本实施例以手机后盖制作工艺为例，包括如下步骤：
37.第一步：制备防爆膜，包括：
38.(a)对带oca光学胶的基础防爆膜进行加工得到所需防爆膜，具体包括：
39.(a1)对带有oca光学胶的基础防爆膜进行uv拉丝转印；
40.(a2)将a1中得到的防爆膜非oca面置于覆盖有uv液的uv拉丝模具上，滚轮压制均匀，将uv模具上纹理转印至防爆膜上；
41.(a3)对a2中得到的防爆膜进行uv光照射固化后形成稳定纹理；
42.(b)将a中uv转印后的防爆膜进行电镀，形成镀膜层；
43.(c)在b中得到的防爆膜的镀膜层上进行印刷底色；
44.(d)将c中得到的防爆膜，通过激光镭雕切割至所需形状；
45.第二步：制备手机后盖，包括：
46.(e)压缩注塑手机后盖：采用相关材料，通过压缩注塑工艺得到所需的手机后盖；
47.(f)对e中所得手机后盖，进行淋涂工艺处理，使手机后盖表面硬度达到所需要标准；
48.第三步：贴合，包括：
49.(g)设置具有粘接层的承载膜，并将第一步中所得防爆膜与承载膜贴合；
50.(h)将g中所得贴合承载膜的防爆膜，在真空环境下与第二步中所得手机后盖贴合；在防爆膜和手机后盖贴合中，设有用于定位手机后盖和防爆膜的定位装置；
51.(i)将h中所得贴合后的手机后盖经过相关工艺处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜；
52.(j)将i中所得手机后盖置于高压脱泡机内进行除泡处理，处理为一阶段或者多阶段；
53.第四步：cnc加工处理，包括：(k)将步骤三所得手机后盖进行cnc加工处理。
54.具体的，g中，承载膜为po材质承载膜。
55.具体的，g中，承载膜上的粘接层为uv感光型，即通过uv照射后失效后粘接层就会失效。
56.具体的，i中，相关工艺处理为使用uv照射处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜。
57.具体的，h中，防爆膜和手机后盖贴合中，根据实际需求，可对手机后盖进行加热或者在常温下贴合。本实施例中加热下贴合。
58.具体的，j中，若为除泡处理为多阶段，多阶段为四个阶段。本实施例中为一阶段，不是多阶段。
59.具体的，四阶段中高压脱泡机的具体设置包括：阶段1，压力1600
±
200kpa，温度50
±
10℃，时间10min
±
5min；阶段2，压力1500
±
100kpa，温度45
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段3，压力1300
±
100kpa，温度35
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段4，压力1000
±
100kpa，温度30
±
10℃，时间4min
±
2min。
60.具体的，经过j处理后，手机后盖和防爆膜附着力为10n-20n。本实施例中手机后盖和防爆膜附着力为10n。
61.具体的，定位装置为ccd。
62.具体实施方式二
63.具体实施方式二和具体实施方式一的主要区别是：
64.(1)本实施例中，h中，防爆膜和手机后盖贴合中，根据实际需求，可对手机后盖进行加热或者在常温下贴合。
65.(2)本实施例中，j中，若为除泡处理为多阶段，多阶段为四个阶段。
66.具体的，四阶段中高压脱泡机的具体设置包括：阶段1，压力1600
±
200kpa，温度50
±
10℃，时间10min
±
5min；阶段2，压力1500
±
100kpa，温度45
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段3，压力1300
±
100kpa，温度35
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段4，压力1000
±
100kpa，温度30
±
10℃，时间4min
±
2min。
67.(3)本实施例中，经过j处理后，手机后盖和防爆膜附着力为20n。
68.(4)本实施例中，定位装置不是ccd，是其他定位装置。
69.具体实施方式三
70.具体实施方式三和具体实施方式二的主要区别是：
71.(1)本实施例中，h中，防爆膜和手机后盖贴合中，本实施例中，对手机后盖进行加热下贴合。
72.(2)本实施例中，j中，除泡处理为多阶段，多阶段为四个阶段。
73.具体的，四阶段中高压脱泡机的具体设置包括：阶段1，压力1600
±
200kpa，温度50
±
10℃，时间10min
±
5min；阶段2，压力1500
±
100kpa，温度45
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段3，压力1300
±
100kpa，温度35
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段4，压力1000
±
100kpa，温度30
±
10℃，时间4min
±
2min。
74.(3)本实施例中，经过j处理后，手机后盖和防爆膜附着力为15n。
75.具体实施方式四
76.具体实施方式四和具体实施方式一的主要区别是：本实施例以超波导光板制作为例。
77.具体实施方式五
78.具体实施方式四和具体实施方式一的主要区别是：本实施例以平板电脑后盖制作为例。
79.具体实施方式六
80.具体实施方式四和具体实施方式一的主要区别是：本实施例以液晶显示屏制作为例。
81.显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

技术特征：
1.一种电子产品外壳制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：第一步：制备防爆膜，包括：(a)对带oca光学胶的基础防爆膜进行加工得到所需防爆膜，具体包括：(a1)对带有oca光学胶的基础防爆膜进行uv拉丝转印；(a2)将a1中得到的防爆膜非oca面置于覆盖有uv液的uv拉丝模具上，滚轮压制均匀，将uv模具上纹理转印至防爆膜上；(a3)对a2中得到的防爆膜进行uv光照射固化后形成稳定纹理；(b)将a中uv转印后的防爆膜进行电镀，形成镀膜层；(c)在b中得到的防爆膜的镀膜层上进行印刷底色；(d)将c中得到的防爆膜，通过激光镭雕切割至所需形状；第二步：制备电子产品外壳，包括：(e)压缩注塑电子产品外壳：采用相关材料，通过压缩注塑工艺得到所需的电子产品外壳；(f)对e中所得电子产品外壳，进行淋涂工艺处理，使电子产品外壳表面硬度达到所需要标准；第三步：贴合，包括：(g)设置具有粘接层的承载膜，并将第一步中所得防爆膜与承载膜贴合；(h)将g中所得贴合承载膜的防爆膜，在真空环境下与第二步中所得电子产品外壳贴合；在防爆膜和电子产品外壳贴合中，设有用于定位电子产品外壳和防爆膜的定位装置；(i)将h中所得贴合后的电子产品外壳经过相关工艺处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜；(j)将i中所得电子产品外壳置于高压脱泡机内进行除泡处理，处理为一阶段或者多阶段；第四步：cnc加工处理，包括：(k)将步骤三所得电子产品外壳进行cnc加工处理。2.根据权利要求1所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述g中，所述承载膜为po材质承载膜。3.根据权利要求2所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述g中，承载膜上的粘接层为uv感光型，即通过uv照射后失效后粘接层就会失效。4.根据权利要求3所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述i中，相关工艺处理为使用uv照射处理，使承载膜的粘接层失效，并除去承载膜。5.根据权利要求1-4任意一项所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述h中，防爆膜和电子产品外壳贴合中，根据实际需求，可对电子产品外壳进行加热或者在常温下贴合。6.根据权利要求5所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述j中，若为除泡处理为多阶段，多阶段为四个阶段。7.根据权利要求6所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：四阶段中高压脱泡机的具体设置包括：阶段1，压力1600
±
200kpa，温度50
±
10℃，时间10min
±
5min；阶段2，压力1500
±
100kpa，温度45
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段3，压力1300
±
100kpa，温度35
±
10℃，时间8min
±
3min；阶段4，压力1000
±
100kpa，温度30
±
10℃，时间4min
±
2min。
8.根据权利要求1所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：经过所述j处理后，电子产品外壳和防爆膜附着力为10n-20n。9.根据权利要求5所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述定位装置为ccd。10.根据权利要求1-9任意所述的电子产品外壳制作工艺，其特征在于：所述的电子产品外壳制作工艺可应用于手机前盖或后盖、超薄导光板、车载工控板、电脑显示屏或液晶显示屏的光学产品制作。

技术总结
本发明公开了一种电子产品外壳制作工艺，生产的电子产品外壳相比于现有产品具有对电子信号干扰性小，抗冲击性好，价格低廉，同时，根据市场需求可制作多种外形及颜色。本发明采用UV拉丝转印纹理，镀膜层，镀膜层上进行印刷底色，三种结构层按所需颜色效果组合的方式可以实现单色，暗哑，渐变色，高亮炫彩，高亮色，高亮渐变，分区色彩包含但不局限于此的多种颜色色彩效果。且本发明采用激光镭雕防爆膜——贴合承载膜——定位装置——CNC加工处理，改进了传统贴合后防爆膜与电子产品外壳的组合间隙问题。本发明解决了现有电子产品外壳在制作过程中的一系列问题。过程中的一系列问题。


技术研发人员：杨建文 吴超 章朝龙 杨俊 黄健翔 朱思伟 陈振宇
受保护的技术使用者：伯恩光学（惠州）有限公司
技术研发日：2020.11.23
技术公布日：2022/5/25