一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法与流程

1.本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法。


背景技术：

2.随着mems传感技术的不断发展，传感器封装追求更高的性能。以热电堆为核心部件的传感器已广泛应用于红外测温、红外检测、红外报警、红外成像、红外制导等领域。传感器的基本原理是根据热电材料的塞贝克效应，一般利用多对的热电偶连接成“堆”将外界吸收的红外辐射信号转化为电信号，实现温度的测定。两端中，吸收红外的一端称为热区，衬底一端称为冷区。传统的传感器大多采用to封装。随着手机和可穿戴设备等电子产品对集成测温芯片的需求日益增多，对芯片的体积也提出了微小化需求。
3.然而，传统的to封装过程是将热电堆芯片贴在封装底座上，再通过打线将芯片焊盘和底座的管脚相连，最后将盖帽和底座密闭封装，其封装尺寸很大(5
×5×
3mm)，管脚很长，严重制约了其在小型化设备中的应用。
4.因此，如何改善传感器的封装方法，并降低制作成本，缩减芯片的封装尺寸，满足其在小型化设备的应用需要是目前面临的问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，能够解决传感器的封装尺寸大，无法满足在小型化设备中的应用需要的问题。
6.为了实现上述目的，本发明提供一种传感器的晶圆级封装方法，包括：
7.提供第一结构，所述第一结构包括：
8.衬底，所述衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端；
9.在所述检测结构上形成第一环形围堰，所述第一环形围堰至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述第一环形围堰外部；
10.提供封盖基板，在所述封盖基板上形成第二环形围堰；
11.通过所述第一环形围堰和所述第二环形围堰将所述封盖基板键合在所述检测结构上，并在所述检测结构和所述封盖基板之间形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。
12.本发明还提供一种传感器的晶圆级封装结构，包括：
13.衬底，所述衬底中设有第一空腔；
14.检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端；
15.密封环，设置于所述检测结构上方，至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述密封环外部；所述密封环包括第一密封环和第二密封环以及设置于所述第一密封
环和所述第二密封环之间的助焊层，其中所述第一密封环靠近所述检测结构；
16.封盖基板，覆盖所述密封环形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。
17.本发明的有益效果在于：
18.晶圆级制作方法形成第一空腔和第二空腔，能制备出小尺寸的传感器器件，通过第一环形围堰、第二环形围堰将封盖基板键合在检测结构上，形成密封的第二空腔，减小了封装体积。同时将电性引出端置于第一环形围堰外部，电性引出端与外部电路连接方式可以多样化，避免tsv引线的复杂制程，节约了成本。
19.进一步地，封盖基板上形成有环形凹槽，将第二环形围堰设置在环形凹槽内，防止在键合时焊料外溢，提高了传感器的晶圆级封装的成品率和可靠性。
20.进一步地，封盖基板的材料为硅，硅材料能够通过红外辐射，不用在封盖上设置开窗，简化工艺流程。
附图说明
21.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1至图13示出了本发明实施例1的传感器的晶圆级封装方法中不同步骤对应的结构示意图。
23.图14示出了本发明实施例2的传感器的晶圆级封装结构的示意图。
24.附图标记说明：
25.100-衬底；200-封盖基板；10-第一基板；11-介质层；20-电性引出端；21-第一热电条；22-隔离层；24-钝化层；221-通孔；25-氧化硅层；26-第二基板；27-第一空腔；28-第三基板；29-键合层；31-第一环形围堰；311-第一环形金属层；312-第一助焊层；32-第二环形围堰；321-第二环形金属层；322-第二助焊层；301-第一密封环；302-第二密封环；303-助焊层；320-环形凹槽；33-第二空腔；34-第三空腔。
具体实施方式
26.以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本发明的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本发明技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
27.在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够以不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图
中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。
28.本发明提供了一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，检测结构作为传感器的感测结构，如mems悬臂结构、热电堆结构、滤波器结构等。
29.实施例1
30.本发明实施例1提供了一种传感器的晶圆级封装方法，包括以下步骤：
31.s01：提供第一结构，所述第一结构包括：
32.衬底，所述衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端；
33.s02：在所述检测结构上形成第一环形围堰，所述第一环形围堰至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述第一环形围堰外部；
34.s03：提供封盖基板，在所述封盖基板上形成第二环形围堰；
35.s04：通过所述第一环形围堰和所述第二环形围堰将所述封盖基板键合在所述检测结构上，并在所述检测结构和所述封盖基板之间形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。
36.需要说明的是，本说明书中的s0n不代表制造工艺的先后顺序。
37.图1至图13示出了本实施例的传感器的晶圆级封装方法的不同步骤对应的结构示意图，请参考图1至图13，详细说明各步骤。
38.参考图1，提供第一结构，所述第一结构包括：衬底100，所述衬底100中设有第一空腔27；检测结构，设置于所述衬底100上方覆盖所述第一空腔27，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端20。
39.本实施例中，检测结构为热电堆结构，敏感单元为相互连接的第一热电条21和第二热电条(图中未示出)，本实施例中，所述第一热电条21和第二热电条水平设置，在其他实施例中，两个热电条也可以上下叠置。敏感单元接收红外辐射后升温，衬底100中的第一空腔27用于隔热。本实施例中衬底100包括第三基板28，通过键合层29键合于第三基板上的第一基板10，第一空腔27位于第一基板10中，贯穿第一基板10。第一基板10的材料包括半导体材料，如硅(si)、锗(ge)、锗硅(sige)、碳硅(sic)、碳锗硅(sigec)、砷化铟(inas)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)或者其它iii/v化合物半导体等。在两个热电条之间和上方设有隔离层22，隔离层22的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝等介质材料。热电堆结构的上表面还形成有钝化层24。本实施例中，第一基板10的上方还形成有介质层11，介质层11覆盖第一空腔27，介质层11阻止敏感单元向第一空腔27方向上传递热量，保证传感器的灵敏度，并对热敏单元起支撑作用，介质层11的材料包括氮化硅或氧化硅。
40.参考图2，在所述检测结构上形成第一环形围堰31，所述第一环形围堰31包围部分所述敏感单元，所述电性引出端20位于所述第一环形围堰31外部。本实施例中，形成所述第一环形围堰31包括：在所述热电堆结构上形成第一环形金属层311，在所述第一环形金属层311上形成第一助焊层312，第一环形金属层311的材料为金属，如铜。本实施例中第一助焊层312的材料为锡，在其他实施例中，第一助焊层312的材料还可以为au、ge等第一环形金属层311可以通过沉积或电镀工艺形成。本实施例中，第一环形围堰31为连续密封的环形，第一环形围堰31包围热电堆的热结围成的区域，电性引出端20置于第一环形围堰31外部，电
性引出端20与外部电路连接方式可以多样化，避免tsv引线的复杂制程，节约了成本。
41.本实施例，以衬底100作为支撑，对检测结构上方制作键合围堰以便后续键合，衬底中有第一空腔，第一空腔尺寸长或宽300-3000um，如500μm，800μm，1000μm，2000μm，第一空腔深度10-400微米，如20μm，50μm，100μm，200μm；第一环形围堰宽度范围10-1000μm，如20μm，40μm，60μm，500μm，800μm，第一环形围堰高度2-50μm，如4μm，8μm，15μm，25μm等，从而克服空腔衬底做支撑，键合形成第二空腔的技术难点，并保证围堰工艺的可行性，确保产品良率。
42.参考图3和图4，提供封盖基板200，在所述封盖基板200上形成第二环形围堰32。本实施例中，形成所述第二环形围堰32包括：在所述封盖基板200中形成环形凹槽320，在所述环形凹槽320中形成所述第二环形围堰32，且所述第二环形围堰32的外周与所述环形凹槽320之间设有间隙。第二环形围堰32和第一环形围堰31的大小形状相对应。可以通过刻蚀工艺形成环形凹槽320。第二环形围堰32包括：靠近热电堆结构的第二环形金属层321，第二环形金属层321上的第二助焊层322。第二环形围堰32的外周和环形凹槽320之间设置间隙，可以在第一助焊层312和第二助焊层322加热焊接时，将流淌下来的焊接料流入环形凹槽320中。防止焊接料与其他电路接触，造成短路，提高了传感器的晶圆级封装的成品率和可靠性。
43.为了更好的防止焊接料流出环形凹槽320，本实施例中，环形凹槽320的深度大于所述第二环形围堰32的高度。当对第二环形围堰32和第一环形围堰31进行焊接时，焊接位置位于环形凹槽320内，更好的防止焊料流出环形凹槽320。第二环形围堰32的结构、材料和形成方法参照第一环形围堰31的相关描述。本实施例中，封盖基板200的下表面设有第三空腔34，环形凹槽320包围第三空腔34，环形凹槽320与第三空腔34相互独立，避免焊料污染第三空腔34。封盖基板200的材料可以为半导体材料或者介质材料，半导体材料可以参照第一基板10的材料。本实施例中，封盖基板200的材料为硅，硅材料能够通过红外辐射，不用在封盖上设置开窗，简化工艺流程。
44.参考图5，通过所述第一环形围堰31和所述第二环形围堰32将所述封盖基板200键合在所述检测结构上，并在所述检测结构和所述封盖基板200之间形成第二空腔33，所述第二空腔33在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔27在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。本实施例中，通过第一助焊层312和第二助焊层322将第二环形围堰31和第二环形围堰32焊接在一起，形成密封的第二空腔33。本实施例中，将封盖基板200键合在检测结构上之前，还包括去除部分钝化层，暴露出电性引出端20。参考图6，本实施例中，还包括去除电性引出端20垂直上方的封盖基板，以暴露出电性引出端20的上方区域，方便后期工艺对电性引出端20进行引线键合工艺实现与外部信号的电连接。
45.本实施例中，所述第二环形围堰在所述衬底表面方向上的投影包围所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影，这样键合封盖基板时，第二环形围堰的位置有衬底做支撑，防止检测结构或者封盖基板在键合时应力不均导致的裂片。
46.本实施例中，形成第一结构的方法为：提供第一基板，在所述第一基板上形成所述热电堆结构；在所述热电堆结构上形成第二基板；形成贯穿所述第一基板的所述隔热空腔；在所述第一基板上形成第三基板，遮盖所述隔热空腔，去除所述第二基板；所述衬底包括第一基板和第三基板。
47.具体为，参考图7，提供第一基板10，在第一基板上形成介质层11，第一基板10的材料为硅，介质层11的材料包括氮化硅或氧化硅，可以通过化学气相沉积或物理气相沉积或原子层沉积的方法形成介质层11。在另一个实施例中，第一基板为soi结构，可以直接在第一基板上形成热电堆结构，并可以利用顶硅层作为热电偶的至少其中一种材料。参考图8，在介质层11上形成热电偶结构，热电偶结构包括第一热电条21和第二热电条,第一热电条21和第二热电条可以上下分布也可以水平分布。本实施例中，两者水平分布，图8的剖面只示出了第一热电条21。第一热电条21和第二热电条的材料组合包括：p型单晶硅和n型单晶硅、单晶硅和多晶硅、单晶硅和金属、多晶硅和金属、p型多晶硅和n型多晶硅，金属包括铝、铜、金、钛或者钨。在热电条之间和上方形成隔离层22，隔离层22的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝等介质材料。在隔离层22上形成通孔221，暴露出部分第一热电条21和第二热电条。
48.参考图9，在通孔中形成导电材料，形成电连接第一热电条21和第二热电条的电性引出端20，电性引出端20也用于与外部电信号连接。导电材料如铝、铜、金、钛或者钨。本实施例中，第一热电条21和第二热电条的数量相等，第二热电条和对应的第一热电条21相互电连接形成多个热电偶，多个热电偶之间为串联连接。
49.参考图10，在本实施例中，形成热电偶之后还包括，形成钝化层24，覆盖热电偶和电性引出端20，钝化层24的材料包括氮化硅、二氧化硅，磷硅玻璃、硼磷硅玻璃或者聚酰亚胺膜等单层或由它们所形成的叠层绝缘膜。可以通过化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、激光烧蚀沉积或分子束沉积的方法形成钝化层24。钝化层24可以起到介质隔离作用，也可以作为吸收红外线的吸收层，将由吸收红外线产生的热有效地传至敏感单元，从而提高传感器灵敏度。在钝化层24的表面沉积形成氧化硅层25，并在氧化硅层25上熔融键合第二基板26，本实施例中第二基板26的材料为硅。
50.参考图11，翻转已形成的结构，在第一基板10中通过刻蚀工艺形成第一空腔27，第一空腔27贯穿第一基板10，暴露出介质层11，第一空腔27至少包围热对偶热结围成的区域。参考图12，在第一基板10上通过键合层29键合第三基板28。参考图13，去除氧化硅层和第二基板26，并刻蚀钝化层24，暴露出电性引出端20的部分表面。
51.实施例2
52.图14示出了本实施例的传感器的晶圆级封装结构的示意图。请参考图14，封装结构包括：
53.衬底100，所述衬底中设有第一空腔27；
54.检测结构，设置于所述衬底100上方覆盖所述第一空腔27，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端20；
55.密封环，设置于所述检测结构上方，至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端20位于所述密封环外部；所述密封环包括第一密封环301和第二密封环302以及设置于所述第一密封环301和所述第二密封环302之间的助焊层303，其中所述第一密封环301靠近所述检测结构；
56.封盖基板200，覆盖所述密封环形成第二空腔33，所述第二空腔33在所述衬底100表面方向上的投影与所述第一空腔27在所述衬底100表面方向上的投影设有交叠的部分。
57.具体地，本实施例中，检测结构为热电堆结构，敏感单元为相互连接的第一热电条
21和第二热电条，本实施例中，所述第一热电条21和第二热电条23平行设置，图中的剖面只示出了第一热电条21，在其他实施例中，两个热电条也可以上下叠置。本实施例中衬底100包括第三基板28，通过键合层29键合于第三基板28上的第一基板10，第一空腔27位于第一基板10中，贯穿第一基板10。第一基板10的材料包括半导体材料，半导体材料的选择参照方法实施例。热电堆结构的上表面形成有钝化层24，钝化层24暴露出至少部分电性引出端20，电性引出端20用于与外部信号电连接。本实施例中，第一基板10的上方还形成有介质层11，介质层11覆盖第一空腔27，介质层11阻止敏感单元向第一空腔27方向传递热量，保证传感器的灵敏度，介质层11的材料包括氮化硅或氧化硅。
58.密封环设置于所述检测结构上方，围成第二空腔33，密封环包括三部分，靠近检测结构的第一密封环301，靠近封盖基板200的第二密封环302，设置于第一密封环301和第二密封环302之间的助焊层303。本实施例中，第一密封环301和第二密封环302的材料均为铜，在其他实施例中，第一密封环301和第二密封环302的材料还可以是其他金属材料或介电材料或聚合物中的至少一种。助焊层303可以是单层结构也可以是双层结构，当助焊层为双层结构时，两层材料可以相同也可以不同。本实施例中，助焊层为双层材料，两种材料均为锡。电性引出端20置于密封环外部，电性引出端20与外部电路连接方式可以多样化，避免tsv引线的复杂制程，节约了成本。
59.本实施例中，封盖基板200中设有环形凹槽320，第二密封环302位于所述环形凹槽320内，所述环形凹槽320的深度大于所述第二密封环的高度且所述第二密封环302的外周与所述环形凹槽320之间填充有焊料。本实施例中，助焊层303也位于所述环形凹槽320内，以上设置的原因参见方法实施例，此处不再赘述。本实施例中，封盖基板200中设有第三空腔34，增大热电堆与上封盖的距离，从而减小热电堆热端向上封盖的散热速度，维持热端的温度，环形凹槽320环绕第三空腔34外周。封盖基板的材料为硅，硅材料能够通过红外辐射，不用在封盖上设置开窗，简化工艺流程。本实施例的密封环结构相当于方法实施例中第一环形围堰和第二环形围堰的结合，其结构和位置关系参照方法实施例的相关描述。
60.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于结构实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
61.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

技术特征：
1.一种传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供第一结构，所述第一结构包括：衬底，所述衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端；在所述检测结构上形成第一环形围堰，所述第一环形围堰至少包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述第一环形围堰外部；提供封盖基板，在所述封盖基板上形成第二环形围堰；通过所述第一环形围堰和所述第二环形围堰将所述封盖基板键合在所述检测结构上，并在所述检测结构和所述封盖基板之间形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。2.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述第一环形围堰包括：在所述检测结构上形成第一环形金属层，在所述第一环形金属层上形成第一助焊层；和/或形成所述第二环形围堰包括：在所述封盖基板上形成第二环形金属层，在所述第二环形金属层上形成第二助焊层。3.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述第二环形围堰包括：在所述封盖基板中形成环形凹槽，在所述环形凹槽中形成所述第二环形围堰，且所述第二环形围堰的外周与所述环形凹槽之间设有间隙。4.根据权利要求3所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述环形凹槽的深度大于所述第二环形围堰的高度。5.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述电性引出端垂直上方的所述封盖基板。6.根据权利要求5所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法还包括，通过引线键合工艺将所述电性引出端与外部信号连接。7.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第二环形围堰在所述衬底表面方向上的投影包围所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影。8.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述检测器结构的上表面形成有覆盖所述敏感单元和所述电性引出端的钝化层，将所述封盖基板键合在所述检测结构上之前还包括：去除部分所述钝化层，暴露出所述电性引出端。9.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封盖基板的材料包括半导体。10.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述第一结构包括：提供第一基板，在所述第一基板上形成所述检测结构；在所述检测结构上形成第二基板；形成贯穿所述第一基板的所述第一空腔；在所述第一基板上形成第三基板，遮盖所述第一空腔，去除所述第二基板；所述衬底包括第一基板和第三基板。11.根据权利要求2所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一环形围堰包括第一助焊层，所述第一助焊层的材料包括锡；和/或，所述第二环形围堰包括第二助焊层，所述第二助焊层的材料包括锡。12.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述敏感单元包括
相互连接的第一热电条和第二热电条，所述第一热电条和第二热电条叠置或者并列设置。13.根据权利要求1所述的传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一环形围堰和/或所述第二环形围堰的材料包括金属材料、介电材料、聚合物的一种或组合。14.一种传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于所述衬底上方覆盖所述第一空腔，所述检测结构包括敏感单元和电性引出端；密封环，设置于所述检测结构上方，包围部分所述敏感单元，所述电性引出端位于所述密封环外部；所述密封环包括第一密封环和第二密封环以及设置于所述第一密封环和所述第二密封环之间的助焊层，其中所述第一密封环靠近所述检测结构；封盖基板，覆盖所述密封环形成第二空腔，所述第二空腔在所述衬底表面方向上的投影与所述第一空腔在所述衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。15.根据权利要求14所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述封盖基板中设有环形凹槽，所述第二密封环位于所述环形凹槽内，且所述第二密封环的外周与所述环形凹槽之间填充有焊料。16.根据权利要求14所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述环形凹槽的深度大于所述第二密封环的高度。17.根据权利要求16所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述助焊层位于所述环形凹槽内。18.根据权利要求14所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一密封环和/或所述第二密封环的材料包括金属材料、介电材料、聚合物的一种或组合。19.根据权利要求14所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述封盖基板的材料包括半导体。20.根据权利要求14所述的传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述敏感单元包括相互连接的第一热电条和第二热电条，所述第一热电条和第二热电条叠置或者并列设置。

技术总结
本发明公开传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，其中封装方法包括：提供第一结构，第一结构包括：衬底，衬底中设有第一空腔；检测结构，设置于衬底上方覆盖第一空腔，检测结构包括敏感单元和电性引出端；在检测结构上形成第一环形围堰，第一环形围堰至少包围部分敏感单元，电性引出端位于第一环形围堰外部；提供封盖基板，在封盖基板上形成第二环形围堰；通过第一环形围堰和第二环形围堰将封盖基板键合在检测结构上，并在检测结构和封盖基板之间形成第二空腔，第二空腔在衬底表面方向上的投影与第一空腔在衬底表面方向上的投影设有交叠的部分。将电性引出端置于第一环形围堰外部，电连接方式可以多样化，避免TSV引线的复杂制程，节约成本。节约成本。节约成本。


技术研发人员：狄云翔 刘孟彬 韩凤芹
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2020.11.23
技术公布日：2022/5/25