显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.显示面板通常由晶体管和发光层等膜层构成，晶体管包括氧化物有源层，而现有的氧化物有源层的结晶度较低，导致其在后续制备其他膜层时，采用蚀刻方式对相应膜层进行蚀刻的同时，会对氧化物有源层造成损伤，尤其是氧化物有源层的沟道区尤为明显，从而导致器件的稳定性下降。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，以提高氧化物有源层的沟道区的结晶度。
4.本技术提供一种显示面板，包括：
5.氧化物有源层，所述氧化物有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的非沟道区，所述氧化物有源层包括依次层叠设置的第一有源分层和第二有源分层，所述第一有源分层的靠近所述第二有源分层的一面为粗糙表面，且所述粗糙表面位于所述沟道区，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm；和
6.源漏极，所述源漏极设置于所述第二有源分层上，且位于所述非沟道区。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.8nm。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，所述粗糙表面用于诱导所述第二有源分层结晶。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述沟道区，所述第二有源分层靠近所述源漏极的部分的结晶度大于所述第二有源分层远离所述源漏极的部分的结晶度。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一有源分层和所述第二有源分层的材料包括in-x-zn，所述x包括ga、al、y和sn中的至少一种；其中，在所述第二有源分层中，所述zn在所述in-x-zn的原子百分含量为10-60％。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述粗糙表面还位于所述非沟道区。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层和所述氧化物有源层依次层叠设置于所述栅极上，所述第一有源分层和所述的第二有源分层依次层叠设置于所述栅极绝缘层上。
13.相应的，本技术还提供一种显示面板，包括：
14.提供一衬底；
15.氧化物有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的非沟道区，在所述衬底上设置所述氧化物有源层的第一有源分层的材料，并进行粗造化处理，所述第一有源分层远离所述衬底的一面形成粗糙表面，且所述粗糙表面位于所述沟道区，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm；
16.在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成所述氧化物有源层的第二有源分层；以及
17.在所述第二有源分层上形成源漏极，所述源漏极位于所述非沟道区。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成所述氧化物有源层的第二有源分层的步骤中，包括：
19.在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上设置第二有源分层的材料，并进行退火处理形成第二有源分层。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成第二有源分层的步骤中，包括：
21.在所述第二有源分层上形成源漏极时，所述第二有源分层的损失量小于0.2埃/秒。
22.本技术公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括氧化物有源层和源漏极，氧化物有源层包括沟道区和位于其两侧的非沟道区，氧化物有源层包括依次层叠设置的第一有源分层和第二有源分层，第一有源分层的靠近第二有源分层的一面为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm，源漏极设置于第二有源分层上，且位于非沟道区。在本技术中，在第一有源分层靠近第二有源分层的一面设置为粗糙表面，且粗糙表面位于氧化物有源层的沟道区，增大了第一有源分层与第二有源分层的接触面积，从而提高位于沟道区的第二有源分层结晶度，从而避免沟道区在后续蚀刻制程中，受到损伤，从而提高显示面板的稳定性。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1是本技术实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
25.图2是本技术实施例提供的第一有源分层的原子力显微镜示意图。
26.图3是本技术实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
27.图4是本技术实施例提供的显示面板的制备方法的步骤示意图。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本技术中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
29.本技术公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括氧化物有源层和源漏极。氧化物有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的非沟道区。氧化物有源层包括依次层叠设置的第一有源分层和第二有源分层。第一有源分层的靠近第二有源分层的一面为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区。粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm。源漏极设置于第二有源分层上，且位于非沟道区。
30.在本技术中，在第一有源分层靠近第二有源分层的一面设置为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，增大了第一有源分层与第二有源分层的接触面积，从而提高位于沟道区的第二有源分层结晶度，从而避免沟道区在后续蚀刻制程中，受到损伤，从而提高显示面板的稳定性。
31.以下进行具体说明：
32.请参阅图1，本技术提供一种显示面板10。显示面板10包括栅极100、栅极绝缘层200、氧化物有源层300和源漏极400。以下进行详细说明。
33.栅极绝缘层200设置于栅极100上。
34.接着，氧化物有源层300包括沟道区301和位于沟道区301两侧的非沟道区302。氧化物有源层300包括依次层叠设置的第一有源分层310和第二有源分层320。第一有源分层310的靠近第二有源分层320的一面为粗糙表面311，且粗糙表面311至少位于沟道区301。粗糙表面311的粗糙度ra大于等于0.5nm。具体的，第一有源分层310和第二有源分层320依次层叠设置于栅极绝缘层200上。粗糙表面311用于诱导第二有源分层320结晶。粗糙表面311的粗糙度ra可以大于等于0.5nm、0.7nm、8nm、10nm或11nm等。
35.在本技术中，在第一有源分层310靠近第二有源分层320的一面设置为粗糙表面311，且粗糙表面311至少位于沟道区301，其用于诱导第二有源分层320结晶，同时粗糙表面311的粗糙度ra设置为大于等于0.5nm，通过增大粗糙表面311的粗糙度ra，也即增大了第一有源分层310与第二有源分层320的接触面积，从而提高位于沟道区301的第二有源分层320结晶度，从而避免沟道区301在后续蚀刻制程或其他环境中，受到损伤或破坏，从而提高显示面板10的稳定性。
36.需要说明的是，结晶度越高，意味着膜层不容易被破坏或损伤。
37.需要说明的是，粗糙度ra表示的平均粗糙度ra。
38.在一实施例中，粗糙表面311的粗糙度ra大于等于0.8nm。具体的，粗糙表面311的粗糙度ra可以大于等于0.8nm、0.9nm、1.1nm、1.5nm或1.7nm等。
39.在本技术中，将粗糙表面311的粗糙度ra设置为大于等于0.8nm，进一步提高粗糙表面311的粗糙度ra，从而进一步提高第一有源分层310诱导第二有源分层320的结晶性能，从而进一步提高第二有源分层320的结晶度，从而进一步避免位于沟道区301第二有源分层320在蚀刻时，被蚀刻液、蚀刻气体或环境影响导致第二有源分层320出现损伤或破坏，从而导致氧化物有源层300的沟道区301出现损伤或破坏，从而进一步提高显示面板10的稳定性。
40.请参阅图2，粗糙表面311的粗糙度ra为0.9nm。
41.在一实施例中，在沟道区301，第二有源分层320靠近源漏极400的部分的结晶度大于第二有源分层320远离源漏极400的部分的结晶度。可选的，在非沟道区302，第二有源分层320靠近源漏极400的部分的结晶度大于第二有源分层320远离源漏极400的部分的结晶
度.
42.在本技术中，将第二有源分层320靠近源漏极400的部分的结晶度设置为大于第二有源分层320远离源漏极400的部分的结晶度，使得位于沟道区301的第二有源分层320在后续的蚀刻制程不易被损伤，从而提高了显示面板10的稳定性。
43.在一实施例中，粗糙表面311还位于非沟道区302。在本技术中，粗糙表面311还设置于位于非沟道区302的第一有源分层310，使得其可以与位于沟道区301的第一有源分层310的粗糙表面311一起制备，简化了粗糙表面311的制备工艺，同时，可以提高位于非沟道区302的第二有源分层320结晶效果，从而避免位于非沟道区302的第二有源分层320受到损伤或破坏，从而提高显示面板10的性能。
44.在一实施例中，第一有源分层310和第二有源分层320的材料包括in-x-zn，x包括ga、al、y和sn中的至少一种；其中，在第二有源分层320中，zn在in-x-zn的原子百分含量为10-60％。具体的，在第二有源分层320中zn在in-x-zn的原子百分含量可以为10％、20％、30％、50％或60％等。
45.在本技术中，在第二有源分层320中，将zn在in-x-zn的原子百分含量设置为10-60％范围内，使得第二有源分层320更容易结晶，保证第二有源分层320结晶完全，从而起到保护沟道区301的作用，从而提高显示面板10的稳定性。
46.在一实施例中，在第一有源分层310中，in-x-zn的质量比为1：1：1。在本技术中，在第一有源分层310中，in-x-zn的质量比设置为1：1：1，提高了第一有源分层310诱导第二有源分层320的结晶性能。
47.在一实施例中，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比为1：(1-2)：(1-6)。具体的，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比可以为1：1：1、1：1.2：1.8、1：1.8：3、1：2：5或1：2：6等。在本技术中，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比设置在1：(1-2)：(1-6)此范围，可以保证第二有源分层320更容易结晶化，从而保证显示面板10的稳定性。
48.在一实施例中，在第二有源分层320上形成源漏极400制程中，第二有源分层320的损失量小于0.2埃/秒。在本技术中，因第二有源分层320的结晶度增高，在第二有源分层320上形成源漏极400的制程中，第二有源分层320的损失量小于0.2埃/秒，也即蚀刻源漏极400的蚀刻液对使得第二有源分层320基本无损伤，起到了保护沟道区301的作用，也即起到了保护氧化物有源层300的作用，使得显示面板10的稳定性至少提升了1v。
49.在一实施例中，第二有源分层320的厚度h为3-10nm。具体的，第二有源分层320的厚度h可以为3nm、5nm、8nm或10nm等。在本技术中，将第二有源分层320的厚度h设置在3-10nm范围内，可以进一步保证第二有源分层320更容易结晶化，从而进一步保证显示面板10的稳定性。
50.接着，源漏极400设置于第二有源分层320上，且位于非沟道区302。具体的，源漏极400包括间隔设置于第二有源分层320的源极410和漏极420。源极410位于一非沟道区302，漏极420位于另一非沟道区302。
51.栅极100、栅极绝缘层200、氧化物有源层300以及源漏极400构成晶体管，且晶体管为底栅晶体管。
52.需要说明的是，栅极100和栅极绝缘层200等膜层可以根据需要去除。
53.请参阅图3，需要说明的是，第二种结构与第一种结构的不同之处在于：
54.晶体管也可以为顶栅晶体管。晶体管还包括绝缘层500。具体的，第二有源分层320、栅极绝缘层200和栅极100依次层叠设置于第一有源分层310上，且栅极绝缘层200和栅极100位于沟道区301。绝缘层500设置于第二有源分层320、栅极绝缘层200和栅极100上。绝缘层500设置有第一过孔和第二过孔。第一过孔贯穿绝缘层500以暴露一沟道区301。第二过孔贯穿绝缘层500以暴露另一沟道区301。源极410和漏极420间隔且同层设置于绝缘层500上，且源极410填充于第一过孔中与氧化物有源层300连接，漏极420填充于第二过孔与氧化物有源层300连接。其他与第一种结构相同，此处不在赘述。
55.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
56.b11：提供一衬底。
57.b12：氧化物有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的非沟道区，在衬底上设置氧化物有源层的第一有源分层的材料，并进行粗造化处理，第一有源分层远离衬底的一面形成粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm。
58.b13：在设置有粗糙表面的第一有源分层的一面上形成氧化物有源层的第二有源分层。
59.b14：在第二有源分层上形成源漏极，源漏极位于非沟道区。
60.在本技术中，在第一有源分层靠近第二有源分层的一面设置为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，增大了第一有源分层与第二有源分层的接触面积，从而提高位于沟道区的第二有源分层结晶度，从而避免沟道区在后续蚀刻制程中，受到损伤，从而提高显示面板的稳定性。
61.请参阅图4，本技术还提供一种显示面板10的制备方法，包括：
62.b11：提供一衬底。
63.请继续参阅图1，在步骤b11之后，还包括：
64.在衬底上设置栅极100的材料，并进行图形化处理形成栅极100。然后，在衬底以及栅极100上形成栅极绝缘层200。
65.b12：氧化物有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的非沟道区，在衬底上设置氧化物有源层的第一有源分层的材料，并进行粗造化处理，第一有源分层远离衬底的一面形成粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm。
66.在第一有源分层310的材料设置于栅极绝缘层200上，采用干蚀刻方式蚀刻第一有源分层310的材料形成第一有源分层310，远离栅极100的第一有源分层310的一面形成粗糙表面311，且粗糙表面311位于沟道区301，粗糙表面311的粗糙度ra大于等于0.5nm。具体的，然后，将第一有源分层310的材料设置于栅极绝缘层200上，将其置于干刻设备中；然后，向干刻设备中通入蚀刻气体，将压强设置为3-12kw，蚀刻气体的流量设置为100sccm-850sccm，蚀刻时间设置为5s-30s，第一有源分层310的材料经过粗糙化处理形成第一有源分层310，远离栅极100的第一有源分层310的一面形成粗糙表面311，粗糙表面311位于沟道区301和非沟道区302。
67.在一实施例中，第一有源分层310的材料包括in-x-zn，x包括ga、al、y或sn中的至少一种。in-x-zn的质量比为1：1：1。在本技术中，在第一有源分层310中，in-x-zn的质量比设置为1：1：1，提高了第一有源分层310诱导第二有源分层320结晶性能。
68.在一实施例中，蚀刻气体包括含氟气体、惰性气体或氧气等。含氟气体包括nf3。惰
性气体包括he、ar和kr等。
69.在一实施例中，蚀刻气体为nf3，nf3在解离过程中产生大量含f等离子体，f对第一有源分层310的粗糙化处理具有更强的效果。
70.在一实施例中，压强可以为3kw、5kw、8kw、10kw或12kw等。在本技术中，将压强设置为3-12kw，在此范围内既能起到对第一有源分层310进行表面处理的作用，也即起到粗造化处理的作用，同时也可以避免因为处理压强强度过大，导致的第一有源分层310的表面出现过度损伤，造成相反效果。
71.在一实施例中，蚀刻气体的流量可以为100sccm、200sccm、500sccm、600sccm或850sccm等。在本技术中，将蚀刻气体的流量设置为100sccm-850sccm，在此范围内既能起到对第一有源分层310进行表面处理的作用，也即起到粗造化处理的作用，同时也可以避免因蚀刻气体的流量过大，导致的第一有源分层310的表面出现过度损伤，造成相反效果。
72.在一实施例中，蚀刻时间可以为5s、10s、20s或30s等，将蚀刻时间设置为5s-30s，在此范围内既能起到对第一有源分层310进行表面处理的作用，也即起到粗造化处理的作用，同时也可避免因蚀刻时间过长，导致的第一有源分层310的表面出现过度损伤，造成相反效果。
73.在本技术中，通过控制蚀刻气体压强、蚀刻气体的流量以及蚀刻时间，来调控第一有源分层310的表面形貌，以达到控制第一有源层的粗糙表面311的粗糙度ra的目的。
74.在一实施例中，粗糙表面311的粗糙度ra大于等于0.8nm。具体的，粗糙表面311的粗糙度ra可以大于等于0.8nm、0.9nm、1.1nm、1.5nm或1.7nm等。
75.在本技术中，将粗糙表面311的粗糙度ra设置为大于等于0.8nm，进一步提高粗糙表面311的粗糙度ra，从而进一步提高第一有源分层310诱导第二有源分层320的结晶性能，从而进一步提高第二有源分层320的结晶度，从而进一步避免位于沟道区301的第二有源分层320在蚀刻时，被蚀刻液、蚀刻气体或环境影响，导致第二有源分层320出现损伤或破坏，从而导致氧化物有源层300的沟道区301出现损伤或破坏，从而进一步提高显示面板10的稳定性。
76.b13：在设置有粗糙表面的第一有源分层的一面上形成氧化物有源层的第二有源分层。
77.在设置有粗糙表面311的第一有源分层310的一面上设置第二有源分层320的材料；然后，对第二有源分层320的材料进行退火处理，形成第二有源分层320。具体的，退火处理包括先对第二有源分层320的材料进行第一热处理，然后，再对其进行第二热处理，第二有源分层320的材料形成第二有源分层320。其中，第一热处理的温度大于第二热处理的温度。第一热处理的时间小于第二热处理的时间。即先对第二有源分层320的材料进行急速高温退火，然后再对其进行快速低温退火。
78.在一实施例中，第二有源分层320的材料包括in-x-zn，x包括ga、al、y或sn中的至少一种；其中，在第二有源分层320中，zn在in-x-zn的原子百分含量为10-60％。具体的，在第二有源分层320中zn在in-x-zn的原子百分含量可以为10％、20％、30％、50％或60％等。
79.在本技术中，在第二有源分层320中，将zn在in-x-zn的原子百分含量设置为10-60％范围内，使得第二有源分层320容易结晶，从而起到保护沟道区301的作用，从而提高显示面板10的稳定性。
80.在一实施例中，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比为1：(1-2)：(1-6)。具体的，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比可以为1：1：1、1：1.2：1.8、1：1.8：3、1：2：5或1：2：6等。在本技术中，在第二有源分层320中，in-x-zn的质量比设置在1：(1-2)：(1-6)此范围，可以保证第二有源分层320更容易结晶化，从而保证显示面板10的稳定性。
81.在一实施例中，第一热处理的温度为400-700摄氏度。具体的，第一热处理的温度可以为400摄氏度、500摄氏度、600或700摄氏度等。在本技术中，将第一热处理的温度设置为400-700摄氏度，即高温退火，可以使得金属弱键强化，提高了第二有源分层320的结晶度，从而可以避免位于沟道区301的第二有源分层320在后续蚀刻中或处于其他环境中，受到损伤，从而提高了显示面板10的稳定性，同时，第一热处理的温度与第二有源分层320的配比搭配，可以进一步避免位于沟道区301的第二有源分层320在后续蚀刻中或处于其他环境中，受到损伤，从而进一步提高了显示面板10的稳定性。
82.在一实施例中，第一热处理的时间为10-30min。具体的，第一热处理的时间可以为10min、20min、25min或30min等。在本技术中，将第一热处理的时间设置为10-30min，可以使得金属弱键强化，提高了第二有源分层320的结晶度，从而可以避免位于沟道区301的第二有源分层320在后续蚀刻中或处于其他环境中，受到损伤，从而提高了显示面板10的稳定性，同时，若是与第二有源分层320的配比搭配，可以进一步避免位于沟道区301的第二有源分层320在后续蚀刻中或处于其他环境中，受到损伤，从而进一步提高了显示面板10的稳定性。
83.在一实施例中，第二热处理的温度小于400摄氏度。具体的，第二热处理的温度为小于400摄氏度且大于100摄氏度，第二热处理的温度可以为100摄氏度、200摄氏度、300或400摄氏度等。在本技术中，将第二热处理的温度设置为小于400摄氏度，即快速低温退火，使得第二有源分层320快速冷却，保证第二有源分层320的结晶完全，从而可以避免位于沟道区301的第二有源分层320在后续蚀刻中或处于其他环境中，受到损伤，从而提高了显示面板10的稳定性。
84.在一实施例中，第二热处理的时间为2-5h。具体的，第二热处理的时间可以为2h、3h、4h或5h等。
85.在本技术中，结合对第一有源分层310粗糙化处理，搭配第二有源层采用zn含量不同组分材料，通过提高第一有源分层310的粗糙度ra，使得比表面积增加，从而使得第一有源分层310与第二有源层接触面积增加，从而可以诱导第二有源分层320加速结晶，搭配急速高温退火，即进行第一热处理，第一热处理的温度400-700摄氏度，第一热处理时间10-30min；然后快速低温退火，即进行第二热处理，第二热处理的2-5h，第二热处理温度小于400℃以下，从而使得第二有源分层320结晶完全，使得第二有源分层320靠近源漏极400的部分的结晶度大于第二有源分层320远离源漏极400的部分的结晶度，从而提高显示面板10的稳定性。
86.b14：在第二有源分层上形成源漏极，源漏极位于非沟道区。
87.在第二有源分层320上设置源漏极400的材料，采用蚀刻液对源漏极400的材料进行蚀刻形成源漏极400。源漏极400包括间隔设置的源极410和漏极420。源极410位于一非沟道区302，漏极420位于另一非沟道区302。然后，对显示面板10进行测试，测试结果显示，显示面板10的稳定提高1v及以上。
88.在第二有源分层320上形成源漏极400时，第二有源分层320的损失量小于0.2埃/秒。
89.在一实施例中，在步骤b14之后，还包括：
90.去除衬底。
91.作为示例，请参阅图4，在衬底上形成栅极100；然后，在栅极100以及衬底上形成栅极绝缘层200；然后，在栅极绝缘层200上设置igzo(in-ga-zn的质量比为1：1：1)；然后，将其置于干刻设备中；然后，向干刻设备中通入nf3，将压强设置为5kw，蚀刻气体的流量设置为120sccm，蚀刻时间设置为20s。第一有源分层310的材料经过粗糙化处理形成第一有源分层310，远离栅极100的第一有源分层310的一面形成粗糙表面311，粗糙表面311的粗糙度ra为0.9；然后，在第一有源分层310上设置igzo(in-ga-zn的质量比为1：2：3，其中，in在igzo的原子百分含量为20％)；然后，对igzo进行急速高温退火，高温退火温度为500摄氏度，高温退火时间为20min；然后，对igzo进行快速低温退火，低温退火温度为300摄氏度，低温退火时间为2h，igzo形成第二有源分层320；然后，在第二有源分层320上形成源漏极400。
92.本技术提供一种显示面板10的制备方法，在本技术中，结合对第一有源分层310粗糙化处理，搭配第二有源层采用zn含量不同组分材料，通过提高第一有源分层310的粗糙度ra，使得比表面积增加，从而使得第一有源分层310与第二有源层接触面积增加，从而可以诱导第二有源分层320加速结晶，搭配急速高温退火；然后快速低温退火，从而使得第二有源分层320结晶完全，从而提高显示面板10的稳定性。
93.本技术公开了一种显示面板10及其制备方法，显示面板10包括氧化物有源层300和源漏极400。氧化物有源层300包括沟道区301和位于其两侧的非沟道区302。氧化物有源层300包括依次层叠设置的第一有源分层310和第二有源分层320。第一有源分层310的靠近第二有源分层320的一面为粗糙表面311，且粗糙表面311至少位于沟道区301。粗糙表面311的粗糙度ra大于等于0.5nm。源漏极400设置于第二有源分层320上，且位于非沟道区302。在本技术中，在第一有源分层310靠近第二有源分层320的一面设置为粗糙表面311，且粗糙表面311位于沟道区301，增大了第一有源分层310与第二有源分层320的接触面积，从而提高位于沟道区301的第二有源分层320结晶度，从而避免沟道区301在后续蚀刻制程中，受到损伤，从而提高显示面板10的稳定性。
94.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：氧化物有源层，所述氧化物有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的非沟道区，所述氧化物有源层包括依次层叠设置的第一有源分层和第二有源分层，所述第一有源分层的靠近所述第二有源分层的一面为粗糙表面，且所述粗糙表面位于所述沟道区，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm；和源漏极，所述源漏极设置于所述第二有源分层上，且位于所述非沟道区。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.8nm。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙表面用于诱导所述第二有源分层结晶。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述沟道区，所述第二有源分层靠近所述源漏极的部分的结晶度大于所述第二有源分层远离所述源漏极的部分的结晶度。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源分层和所述第二有源分层的材料包括in-x-zn，所述x包括ga、al、y和sn中的至少一种；其中，在所述第二有源分层中，所述zn在所述in-x-zn的原子百分含量为10-60％。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙表面还位于所述非沟道区。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层和所述氧化物有源层依次层叠设置于所述栅极上，所述第一有源分层和所述的第二有源分层依次层叠设置于所述栅极绝缘层上。8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；氧化物有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的非沟道区，在所述衬底上设置所述氧化物有源层的第一有源分层的材料，并进行粗造化处理，所述第一有源分层远离所述衬底的一面形成粗糙表面，且所述粗糙表面位于所述沟道区，所述粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm；在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成所述氧化物有源层的第二有源分层；以及在所述第二有源分层上形成源漏极，所述源漏极位于所述非沟道区。9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成所述氧化物有源层的第二有源分层的步骤中，包括：在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上设置第二有源分层的材料，并进行退火处理形成第二有源分层。10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在设置有所述粗糙表面的所述第一有源分层的一面上形成第二有源分层的步骤中，包括：在所述第二有源分层上形成源漏极时，所述第二有源分层的损失量小于0.2埃/秒。

技术总结
本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括氧化物有源层和源漏极，氧化物有源层包括沟道区和位于其两侧的非沟道区，氧化物有源层包括依次层叠设置的第一有源分层和第二有源分层，第一有源分层的靠近第二有源分层的一面为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，粗糙表面的粗糙度大于等于0.5nm，源漏极设置于第二有源分层上，且位于非沟道区。在本申请中，在第一有源分层靠近第二有源分层的一面设置为粗糙表面，且粗糙表面位于沟道区，增大了第一有源分层与第二有源分层的接触面积，从而提高位于沟道区的第二有源分层结晶度，从而避免沟道区在后续蚀刻制程中，受到损伤，从而提高显示面板的稳定性。高显示面板的稳定性。高显示面板的稳定性。


技术研发人员：王帅毅
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.02.11
技术公布日：2022/5/25