电子装置及其制造方法与流程

1.本技术是有关于一种电子装置及其制造方法，特别是有关于具有保护基板的电子装置及其制造方法。


背景技术：

2.包含显示面板在内的电子装置，例如平板电脑、笔记本电脑、智能手机、显示器及电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。
3.电子装置被广泛地应用于各种空间及环境，对于安全性的要求也逐渐受到重视，因此，进一步改善所述电子装置的安全性仍为目前业界致力研究的课题之一。


技术实现要素：

4.根据本技术一些实施例，提供一种电子装置，包含框架以及保护基板，保护基板粘贴于框架上，保护基板具有侧面，侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于15微米。
5.根据本技术一些实施例，提供一种电子装置的制造方法，包含下列步骤：提供第一子基板；提供第二子基板；形成有机层于第一子基板与第二子基板之间，有机层将第一子基板与第二子基板固定，以形成保护基板；对保护基板的侧面进行抛光制程，使得侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于15微米；以及将保护基板粘贴于框架上。
附图说明
6.为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
7.图1显示根据本技术一些实施例中，电子装置的局部结构的侧视示意图；
8.图2a显示根据本技术一些实施例中，图1中的区域a的放大结构示意图；
9.图2b显示根据本技术一些实施例中，图1中的区域a的放大结构示意图；
10.图3显示根据本技术一些实施例中，电子装置的剖面结构局部示意图；
11.图4显示根据本技术一些实施例中，电子装置的制造方法的步骤流程图；
12.图5显示根据本技术一些实施例中，针对电子装置的保护基板进行的韦伯分析(weibull analysis)结果。
13.图中元件标号说明：
14.10：电子装置
15.10m：电子装置的制造方法
16.100：框架
17.100s：侧面
18.200：保护基板
19.200s：侧面
20.202a：第一子基板
21.202ab：第一下表面
22.202at：第一上表面
23.202b：第二子基板
24.202bb：第二下表面
25.202bt：第二上表面
26.204：有机层
27.300：粘着层
28.400：显示元件
29.402a、402b：粘着层
30.500：感测元件
31.600：背光模块
32.a：区域
33.as、as1、as2：侧面
34.bs、bs1、bs2：侧面
35.d1：距离
36.m1、m2：位置
37.s1～s5：步骤
38.t1：第一厚度
39.t2：第二厚度
具体实施方式
40.以下针对本技术实施例的电子装置以及电子装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本技术一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本技术一些实施例。当然，这些仅用以举例而非限定本技术。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本技术。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本技术一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
41.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本技术中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本技术的范围。
42.应理解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“较低”或“底部”或“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本技术实施例可配合附图一并理解，本技术的附图亦被视为申请说明的一部分。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形，或者，其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
43.本技术通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
的意。因此，当本技术的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
44.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本技术。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例而言，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
45.此外，应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。例如，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本技术的教导的情况下在权利要求中被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。
46.于文中，“约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值在一特征值的正负10％范围内，或正负5％范围内、或正负3％范围之内、或正负2％范围之内、或正负1％范围之内、或正负0.5％范围之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“实质上”的含义。此外，用语“范围介于第一数值及第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
47.应理解的是，以下所举实施例可以在不脱离本技术的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
48.除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本领域技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本技术的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本技术实施例有特别定义。
49.根据本技术一些实施例，提供一种电子装置，包含设置于框架上的保护基板，保护基板的侧面经过抛光处理，以具有特定表面粗糙度，借此可改善保护基板的防撞击性能。根据本技术一些实施例，保护基板可借由化学强化制程处理增加保护基板的表面压缩应力，进而可提升保护基板的结构强度或荷重能力。
50.根据本技术一些实施例，电子装置可包含显示装置、发光装置、触控装置、感测装置、拼接装置或前述的组合，但不以此为限。电子装置可包含可弯折或可挠式电子装置。根据一些实施例，电子装置可包含发光二极管(light-emitting diode，led)、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，qd)、其它合适的介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包含有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)例如次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot led，qled/qdled)、其它合适的材料或前述的任意组合，但不以此为限。根据本技术实
施例，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、不规则形、具有弯曲边缘的形状或其它合适的形状。除显示面板外，电子装置还可以具有驱动系统、控制系统、光源系统或层架系统等周边系统以支持显示面板。下文将以显示装置为例阐述电子装置，但本技术不以此为限。
51.请参照图1，图1显示根据本技术一些实施例中，电子装置10的局部结构的侧视示意图。应理解的是，为了清楚说明，图中省略电子装置10的部分元件，仅示意地绘示部分元件。根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的电子装置10。根据另一些实施例，以下所述电子装置10的部分特征可以被取代或省略。
52.如图1所示，电子装置10可包含框架100以及保护基板200，保护基板200设置于框架100上。根据一些实施例，电子装置10可包含粘着层300，粘着层300设置于保护基板200与框架100之间，粘着层300可将保护基板200粘贴于框架100上。根据一些实施例，保护基板200也可作为使用者进行触控的表面，但不限于此。
53.根据一些实施例，保护基板200与框架100之间分隔一段距离d1，框架100并未延伸于保护基板200的侧面200s上，从外观上来看，保护基板200会有漂浮于框架100上的视觉效果，此种保护基板200与框架100的配置于此称为漂浮模块(floating module)。根据一些实施例，保护基板200的侧面200s与框架100的侧面100s并未齐平。例如在一些实施例中，框架100的侧面100s为较保护基板200的侧面200s更向外突出，但本技术不限于此。例如在一些实施例中，保护基板200的侧面200s可与框架100的侧面100s齐平。
54.根据一些实施例，框架100可容纳电子装置10的多种组件于其中。根据一些实施例，框架100的材料可包含金属、塑胶、陶瓷、其它合适的材料或前述的组合，但本技术不限于此。
55.根据一些实施例，粘着层300可包含具有粘性的任意合适材料，例如，粘着层300可包含光固化型胶材、热固化型胶材、光热固化型胶材、胶带、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，粘着层300也可包含光学透明胶(optical clear adhesive，oca)、光学透明树脂(optical clear resin，ocr)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。
56.接着，请参照图2a，图2a显示根据本技术一些实施例中，图1中的区域a的放大结构示意图。如图2a所示，根据一些实施例，保护基板200为复合结构。例如，根据一些实施例，保护基板200可包含第一子基板202a、第二子基板202b以及有机层204，有机层204设置于第一子基板202a与第二子基板202b之间。另外，有机层204可与第一子基板202a以及第二子基板202b贴合。
57.根据一些实施例，保护基板200的侧面的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)，或大于或等于1微米且小于或等于5微米(1微米≤表面粗糙度≤5微米)，例如，2微米、3微米或4微米。根据一些实施例，可借由抛光制程(polishing process)使保护基板200的侧面具有特定的表面粗糙度。
58.前述保护基板200的侧面可包含第一子基板202a的侧面及/或第二子基板202b的侧面。再者，根据一些实施例，保护基板200的侧面可具有倒角(chamfer)结构，例如倒角结构可具有转折的轮廓。根据一些实施例，保护基板200可具有c型倒角，但不限于此。详细而言，根据一些实施例，第一子基板202a具有侧面as1及侧面as2，侧面as1与侧面as2相连，且
侧面as1的斜率与侧面as2的斜率不同，侧面as1以及侧面as2可构成倒角结构。根据一些实施例，侧面as1与侧面as2的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)，或大于或等于1微米且小于或等于5微米(1微米≤表面粗糙度≤5微米)。再者，侧面as1的表面粗糙度可与侧面as2的表面粗糙度相同或不同。
59.需说明的是，在本技术中，表面的表面粗糙度的测量方式，是以仪器(如探针式表面粗糙度测量仪、白光干涉仪、3d激光扫描仪、光学扫描仪等)沿着一测量线(例如剖面照片所对应的剖面线，或是探针扫描时的轨迹线)取得该表面起伏高度的数据或附图后，取其表面起伏高度的平均值作为计算基准线，再由该测量表面上各位置的起伏高度与该计算基准线之间高度差异的绝对值的平均值作为该表面的表面粗糙度。另外，考量到第一子基板202a与第二子基板202b之间还有一有机层204，且该有机层204的侧面粗糙度可能较大，因此在计算整个保护基板侧面的表面粗糙度时，应该要排除有机层的部分。换句话说，可以在测量时删除有机层204侧面的测量数据，然后再计算其余两子基板侧面的测量数据，或是在各自计算出第一子基板202a与第二子基板202b的表面粗糙度后，以其中较大者作为该保护基板的表面粗糙度。且不论以上述方式中的任何一种方式计算，在本技术中的保护基板200侧面的表面粗糙度都应可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)。
60.根据一些实施例，第二子基板202b具有侧面bs1及侧面bs2，侧面bs1与侧面bs2相连，且侧面bs1的斜率与侧面bs2的斜率不同，侧面bs1以及侧面bs2亦可构成倒角结构。根据一些实施例，侧面bs1与侧面bs2的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)，或大于或等于1微米且小于或等于5微米(1微米≤表面粗糙度≤5微米)。再者，侧面bs1的表面粗糙度可与侧面bs2的表面粗糙度相同或不同。
61.值得注意的是，具有前述特定表面粗糙度的侧面使得保护基板200的防撞击性能提升，当保护基板200遭受到撞击时，具有特定粗糙度的侧面可控制受损区域扩大，例如防止裂痕进一步延伸。
62.如图2a所示，第一子基板202a具有第一上表面202at以及第一下表面202ab，第二子基板202b具有第二上表面202bt以及第二下表面202bb。详细而言，根据一些实施例，第一上表面202at、第一下表面202ab、第二上表面202bt以及第二下表面202bb可为经过化学强化处理的(chemical strengthening treatment)表面(附图中以斜线表示)。
63.进一步而言，根据一些实施例，经过化学强化处理的第一上表面202at及第一下表面202ab的压缩应力(compressive stress)大于第一子基板202a在二分之一厚度t1/2处(例如图中标示的位置m1)的压缩应力。相似地，根据一些实施例，经过化学强化处理的第二上表面202bt及第二下表面202bb的压缩应力大于第二子基板202b在二分之一厚度t2/2处(例如图中标示的位置m2)的压缩应力。在本技术中，可采用离子交换的化学强化处理方式，但不限于此。例如，当采用硝酸钾(kno3)进行玻璃强化时，因钠离子与钾离子在玻璃表面进行离子交换，玻璃钠离子浓度会降低，钾离子浓度会升高，使玻璃表面压缩应力升高。
64.值得注意的是，表面经由化学强化制程处理的第一子基板202a以及第二子基板202b，可提升保护基板保护基板200的结构强度或荷重能力。
65.此外，第一子基板202a具有第一厚度t1，第二子基板202b具有第二厚度t2。根据一些实施例，第一厚度t1大于或等于0.4毫米且小于或等于2毫米(0.4毫米≤第一厚度t1≤2
毫米)，例如0.9毫米或1.6毫米，或大于或等于1毫米且小于或等于1.5毫米(1毫米≤第一厚度t1≤1.5毫米)，例如，1.1毫米、1.2毫米、1.3毫米或1.4毫米。而根据一些实施例，第二厚度t2大于或等于0.4毫米且小于或等于2毫米(0.4毫米≤第二厚度t2≤2毫米)，或大于或等于0.4毫米且小于或等于0.7毫米(0.4毫米≤第二厚度t2≤0.7毫米)，例如，0.5毫米或0.6毫米。
66.根据一些实施例，前述第一厚度t1指的是于第一子基板202a的法线方向(如图中的方向z)上，第一子基板202a的最大厚度。根据一些实施例，前述第二厚度t2指的是于第二子基板202b的法线方向上，第二子基板202b的最大厚度。
67.根据本技术实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量元件之间的距离、或各元件的厚度或宽度。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像，并测量元件之间的距离、或各元件的厚度或宽度。
68.根据一些实施例，第一子基板202a以及第二子基板202b可为硬质基板。具体而言，根据一些实施例，第一子基板202a以及第二子基板202b的材料可包含玻璃材料，但不限于此。根据一些实施例，所述玻璃材料钠钙玻璃(soda-lime glass)、铅玻璃(lead glass)、硼硅酸玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃或其它合适的玻璃材料，但不限于此。再者，第一子基板202a的材料可与第二子基板202b的材料相同或不同。
69.根据一些实施例，有机层204的材料可包含聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，pvb)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate，eva)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，pva)、离子性中间膜(sentry glas plus，sgp)、聚氨酯(polyurethane，pu)、其它合适的有机材料或前述的组合，但不限于此。
70.接着，请参照图2b，图2b显示根据本技术另一些实施例中，图1中的区域a的放大结构示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。
71.如图2b所示，根据一些实施例，保护基板200的侧面的倒角结构可具有圆滑的轮廓。根据一些实施例，第一子基板202a具有侧面as，侧面as的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)，或大于或等于1微米且小于或等于5微米(1微米≤表面粗糙度≤5微米)。再者，根据一些实施例，第二子基板202b具有侧面bs，侧面bs的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)，或大于或等于1微米且小于或等于5微米(1微米≤表面粗糙度≤5微米)。再者，第一子基板202a的侧面as的表面粗糙度可与第二子基板202b的侧面bs的表面粗糙度相同或不同。此外，根据一些实施例，侧面as的曲率半径可与侧面bs的曲率半径可相同或不同，或是侧面as与侧面bs的其中一者并未弯曲，如图2b所示。
72.此外，于此实施例中，第一厚度t1可相同或不同于第二厚度t2。例如，于此实施例中，第一厚度t1大于或等于0.4毫米且小于或等于2毫米(0.4毫米≤第一厚度t1≤2毫米)，或大于或等于1毫米且小于或等于1.5毫米(1毫米≤第一厚度t1≤1.5毫米)，例如，1.1毫米、1.2毫米、1.3毫米或1.4毫米。于此实施例中，第二厚度t2大于或等于0.7毫米且小于或等于1.1毫米(0.4毫米≤第二厚度t2≤1.1毫米)，例如0.5毫米、0.6毫米、0.7毫米、0.8毫
米、0.9毫米或1毫米。
73.接着，请参照图3，图3显示根据本技术一些实施例中，电子装置10的剖面结构局部示意图。应理解的是，图3省略了电子装置10的粘着层300，图3进一步绘示出容纳于框架100中的元件。根据一些实施例，电子装置10包含显示元件400、感测元件500及背光模块600。根据一些实施例，显示元件400、感测元件500及背光模块600可设置于保护基板200与框架100之间。详细而言，显示元件400、感测元件500及背光模块600可设置于保护基板200与框架100之间所定义出的空间中。根据一些实施例，感测元件500邻近于保护基板200，显示元件400可设置于感测元件500与背光模块600之间。但感测元件500、显示元件400、背光模块600间的相对位置关系可不限于此，例如在一些实施例中，感测元件500可设置于显示元件400与背光模块600之间。
74.根据一些实施例，显示元件400可包含液晶显示器，但不限于此。根据一些实施例，液晶显示器可包含扭转向列(twisted nematic，tn)型液晶面板、超扭转向列(super twisted nematic，stn)型液晶面板、双层超扭转向列(double layer super twisted nematic，dstn)型液晶面板、垂直配向(vertical alignment，va)型液晶面板、水平电场效应(in-plane switching，ips)型液晶面板、胆固醇(cholesteric)型液晶面板、蓝相(blue phase)型液晶面板、边际电场效应(ffs)型液晶面板、或其它合适的显示面板，但本技术不限于此。
75.根据一些实施例，显示元件400可进一步包含配向膜(图未示)、遮光层(图未示)、棱镜片(prism，图未示)、增亮膜(brightness enhancement film，bef，图未示)、导光板(图未示)、扩散板(图未示)、反射片(图未示)、量子点膜(qd film)、其它合适的元件、或前述的组合，但本技术不限于此。
76.根据一些实施例，感测元件500可包含触控层，触控层可包含触控电极(图未示)以及导线(图未示)。根据一些实施例，触控电极以及导线的材料可包含金属材料或透明导电材料。例如，金属材料可包含铜(cu)、铝(al)、铟(in)、钌(ru)、锡(sn)、金(au)、铂(pt)、锌(zn)、银(ag)、钛(ti)、铅(pb)、镍(ni)、铬(cr)、镁(mg)、钯(pd)、上述材料的合金、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。而透明导电材料可包含例如铟锡氧化物(indium tin oxide，ito)、氧化锡(tin oxide，sno)、氧化锌(zinc oxide，zno)、氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，igzo)、氧化铟锡锌(indium tin oxide，itzo)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ato)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，azo)、其它合适的透明导电材料或前述的组合，但不限于此。
77.再者，根据一些实施例，电子装置10可进一步包含粘着层402a及粘着层402b，粘着层402a及粘着层402b可设置于感测元件500的两侧，粘着层402a可用于粘着保护基板200与感测元件500，粘着层402b可用于粘着显示元件400与感测元件500。粘着层402a及粘着层402b的材料可与前述粘着层300的材料相同或相似，于此便不再重复。
78.此外，背光模块600可提供显示元件400所需的光源。根据一些实施例，背光模块可包含发光二极管(light emitting diode，led)，例如次毫米发光二极管(mini led)、微型发光二极管(micro led)、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、电致发光元件(electroluminescence)、其它合适的发光元件、或前述的组合，但本技术不限于此。
process)(步骤s4)，在抛光制程进行之后，保护基板200的侧面的表面粗糙度可大于或等于1微米且小于或等于15微米(1微米≤表面粗糙度≤15微米)。此外，根据一些实施例，在对保护基板200的侧面进行抛光制程之前，可选择性地先对保护基板200的侧面进行磨削制程(grinding process)，但本技术不以此为限。
86.根据一些实施例，接着可将保护基板200粘贴于框架100上(步骤s5)。详细而言，根据一些实施例，在对保护基板200的侧面进行抛光制程之后，可先将保护基板200与感测元件500及显示元件400等进行组装，例如，使用粘着层402a将保护基板200与感测元件500固定，以及使用粘着层402b将保护基板200与显示元件400固定。之后，再将显示元件400与背光模块600组装，以完成电子装置10。
87.请参照图5，图5显示根据本技术一些实施例中，针对电子装置的保护基板200进行的韦伯分析(weibull analysis)结果。具体而言，在分析中，可利用推力测试仪器测量保护基板200的边缘可承受的推力大小，以评估保护基板200在人为使用时可能失效的几率。仪器的相关设定如下：加载速度(loading speed)为5毫米/分钟，压轮材料为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，pmma)，压轮的厚度为1毫米，压轮的直径为16毫米。测试中会逐渐增加压轮施加于保护基板200的力量直到保护基板200破裂，测试取得的数据会经过韦伯分析，得到图5所示的失效重量与失效几率的关系图，需说明的是，上述测试步骤中的各项设定与压轮材料尺寸等参数仅为一示例，本技术并不以此为限。
88.如图5所示，图中的实施例(右线)代表侧面经过抛光制程处理且表面经过化学强化制程处理的保护基板200的测试结果，比较例(左线)则为未经过抛光制程以及化学强化制程处理的保护基板200的测试结果。由图5的结果可知，在相同的重量下，实施例的失效几率(即基板破裂)明显较比较例来的小，换言之，在相同的失效几率下，实施例可承受的重量明显较比较例来的大。由此可知，即便在用力按压或敲击保护基板的边缘的情况下，亦造成保护基板的破裂或损坏的几率也会降低许多。
89.综上所述，根据本技术一些实施例，电子装置的保护基板的侧面经过抛光处理，具有特定表面粗糙度，借此可改善保护基板的防撞击性能。再者，保护基板可借由化学强化制程处理增加保护基板的表面压缩应力，进而可提升保护基板的结构强度或荷重能力。因此，可提升电子装置适用于各种环境(例如，室内、室外或车内等环境)的安全性。
90.虽然本技术的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，本领域技术人员在不脱离本技术的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。本技术实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。此外，本技术的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，本领域技术人员可从本技术揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本技术使用。因此，本技术的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本技术的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。本技术的任一实施例或权利要求不须达成本技术所公开的全部目的、优点、特点。

技术特征：
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一框架；以及一保护基板，粘贴于所述框架上；其中所述保护基板具有一侧面，所述侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于15微米。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述保护基板为一复合结构。3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述保护基板包括：一第一子基板；一第二子基板；以及一有机层，设置于所述第一子基板与所述第二子基板之间。4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一子基板以及所述第二子基板为硬质基板。5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一子基板具有一第一厚度，所述第二子基板具有一第二厚度，其中所述第一厚度大于或等于0.4毫米且小于或等于2毫米，且所述第二厚度大于或等于0.4毫米且小于或等于2毫米。6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于5微米。7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述侧面具有倒角结构。8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括一显示元件，设置于所述保护基板与所述框架之间。9.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一第一子基板；提供一第二子基板；形成一有机层于所述第一子基板与所述第二子基板之间，所述有机层将所述第一子基板与所述第二子基板固定，以形成一保护基板；对所述保护基板的一侧面进行抛光制程，使得所述侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于15微米；以及将所述保护基板粘贴于一框架上。10.如权利要求9所述的电子装置的制造方法，其特征在于，更包括：对所述第一子基板的一第一上表面以及一第一下表面进行化学强化处理；以及对所述第二子基板的一第二上表面以及一第二下表面进行化学强化处理。

技术总结
本申请提供一种电子装置，包含框架以及保护基板，保护基板粘贴于框架上，保护基板具有侧面，侧面的表面粗糙度大于或等于1微米且小于或等于15微米。本申请亦提供一种电子装置的制造方法。制造方法。制造方法。


技术研发人员：罗立奇 黄柏谕
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：2020.11.23
技术公布日：2022/5/25