一种散热结构

1.本发明属于散热器技术领域，具体涉及一种散热结构。


背景技术：

2.高温是集成电路的大敌。高温不但会导致系统运行不稳，使用寿命缩短，甚至有可能使某些部件烧毁。导致高温的热量不是来自计算机外，而是计算机内部，或者说是集成电路内部。散热器的作用就是将这些热量吸收，然后发散到机箱内或者机箱外，保证计算机部件的温度正常。对散热器来说，最重要的是其底座能够在短时间内能尽可能多的吸收cpu释放的热量，即瞬间吸热能力，我们最常接触的就是cpu的散热器，但市场上大部分散热器材质均为铝制散热器，铝的导热率不是很好，影响了温度从散热器吸收cpu的速率，导致散热器的散热效率不是很好。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种散热结构，解决上述存在的问题。本发明的技术方案如下：
4.一种散热结构，由散热翅片、散热底座和金属层组成。
5.其中所述的金属层是使用激光打标机在铝散热器底座上铺上金属箔激光烧蚀制成。
6.优选的，所述的金属箔是铜箔，铜箔的热导率很高，加快了cpu向散热器的传热速率。
7.优选的，所述的铜箔是用激光扫描法制得，激光波长为1.06微米，铜箔厚度为0.01-0.5mm，优选为0.01-0.1mm。
8.与现有散热结构相比，本发明的有益效果是：
9.本发明的铝铜散热器和铝散热器相比，是在铝散热器底座表面镀一层金属铜，铝制散热器具有较高的比热容，使散热器的热量快速传递到空气中，但是铝的导热系数低，从cpu的温度传递到散热器的过程会较慢，铜的导热系数比铝的导热系数大的多，从而使cpu的温度也快速的传递到铜表面，最后温度从铝制散热器表面快速传递到空气中，与传统的铝制散热器相比，显著提高了散热器的散热性能。
附图说明
10.图1为本发明的结构示意图。
11.图中序号说明如下：1.金属层、2.散热底座、3.散热翅片。
具体实施方式
12.为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但
不限制本发明的保护范围。如无特殊说明，本发明所采用的实验方法均为常规方法，所用实验器材、材料、试剂等均可从商业途径获得。
13.现有技术所制备的金属铜层为机械物理结合，而本发明是在高温下形成的冶金结合，导热率高(大于100w/ms)，附着力强(大于20mpa)，热阻低(小于0.1℃/w cm2)。
14.实施例1
15.如图1，本发明的铝铜散热器结构，由散热翅片3、散热底座2和金属层1构成。所述的金属层1是在散热底座2上铺上厚度为0.01mm的铜箔，激光扫描速度为100m/s，采用激光打标机激光烧蚀制成。导热率(120w/ms)，附着力(20mpa)，热阻(0.1℃/w cm2)。
16.实施例2
17.本发明的铝铜散热器结构，由散热翅片3、散热底座2和金属层1构成。所述的金属层1是在散热底座2上铺上厚度为0.05mm的铜箔，激光扫描速度为80m/s，采用光纤激光打标机激光烧蚀制成。导热率(130w/ms)，附着力(22mpa)，热阻(0.2℃/w cm2)。
18.实施例3
19.本发明的铝铜散热器结构，由散热翅片3、散热底座2和金属层1构成。所述的金属层1是在散热底座2上铺上厚度为0.1mm的铜箔，激光扫描速度为60m/s，采用光纤激光打标机激光烧蚀制成。导热率高导热率(110w/ms)，附着力(23mpa)，热阻(0.08℃/w cm2)。
20.对比例1
21.普通散热器铜柱与铝散热片之间采用机械链接，中间含有大量孔洞，气孔，显著降低了其导热率，增加了热阻，现有的普通散热器导热率为110w/ms，热阻为2℃/w cm2。
22.以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种散热结构，包括铝散热器，所述铝散热器包括散热底座(2)和散热翅片(3)；其特征在于，还包括金属层(1)，所述散热底座(2)的下端镀有金属层(1)。2.如权利要求1所述的一种散热结构，其特征在于，所述金属层(1)为使用光纤激光打标机在铝散热器底座表面烧蚀所得到。3.如权利要求1所述的一种散热结构，其特征在于，所述金属层(1)为金属铜层。4.如权利要求3所述的一种散热结构，其特征在于，金属铜层厚度为0.001-0.5mm。

技术总结
本发明属于散热器技术领域，公开了一种散热结构。本发明公开的铝铜散热器结构，包括铝散热器主体和金属层。该主体为传统铝散热器的结构，金属层以激光器将金属箔烧蚀在铝散热器的底座上。本发明通过提高温度从CPU向散热器传递这一过程的传热速率，提高散热器的散热效率。率。率。


技术研发人员：惠宇 姜伟伟 武英斌 孙文萍 郭佳星 那兆麟 刘旭东 王兴安
受保护的技术使用者：大连大学
技术研发日：2022.03.09
技术公布日：2022/5/25