阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，用户对于显示面板的各项性能的要求也不断提高。现有技术的显示面板具有多个像素区和遮光区，像素区用于发光以形成显示画面，遮光区位于各个像素区之间，用于避免相邻像素区发出光的串扰。
3.然而，现有技术的显示面板的遮光区的遮光结构并不能够很好的阻挡光线从遮光区射出，尤其是针对曲面显示面板。


技术实现要素：

4.本发明至少部分解决现有的显示面板中的遮光结构的遮光性能差而导致漏光的问题，提供一种具有避免漏光的遮光膜的阵列基板。
5.解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，具有多个像素区以及位于任意相邻两像素区之间的遮光区，所述阵列基板包括：衬底；多个彩膜层，设置于所述衬底上并且至少部分位于所述像素区；多个第一电极层，设置于所述彩膜层远离所述衬底的一侧，并且位于所述像素区，所述第一电极层为透明电极层；遮光膜，设置于任意相邻两所述第一电极层之间，所述遮光膜为不透光膜层。
6.进一步优选的是，所述遮光膜的厚度为
7.进一步优选的是，所述彩膜层与所述像素区一一对应，任意相邻两彩膜层的颜色不同，每个所述彩膜层延伸至其所相邻的所述遮光区中，以使任意相邻两彩膜层在相邻的遮光区交叠。
8.进一步优选的是，所述第一电极层与所述像素区一一对应；所述阵列基板还包括：多个第二电极层，设置于所述衬底上并且至少部分位于所述遮光区，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与其相邻的所述像素区对应的第一电极层在所述衬底上的正投影交叠。
9.进一步优选的是，所述第二电极层设置于所述衬底和所述彩膜层之间。
10.解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，基于权上述的阵列基板，所述方法包括：在衬底上的各个像素区形成多个彩膜层；在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极层和遮光膜，所述第一电极层为透明电极层。
11.进一步优选的是，所述在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极层和遮光膜包括：在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层远离所述衬底的一侧形成掩膜层；在所述掩膜层的作用下对所述第一电极材料层进行图案化处理，以形成所述第一电极层；在所述掩膜层远离所述衬底的一侧形成遮光材料膜，所述遮光材料膜位于像素区和遮光区；去除所述掩膜层，以形成所述遮光膜。
12.进一步优选的是，所述在所述掩膜层远离所述衬底的一侧形成遮光材料膜包括：采用磁控溅射的方式形成遮光金属层，所述遮光金属层为遮光材料膜。
13.进一步优选的是，所述遮光金属层的形成材料包括氧化钼。
14.解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括上述的阵列基板。
附图说明
15.附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
16.图1为现有技术的一种阵列基板的结构示意图；
17.图2为本发明的实施例的一种阵列基板的结构示意图；
18.图3a至图3c为本发明的实施例的一种阵列基板的制备过程的结构示意图；
19.图4为本发明的实施例的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
20.其中，附图标记为：a、像素区；b、遮光区；1、衬底；2、彩膜层；3、第一电极层；31、第一电极材料层；4、遮光膜；41、遮光材料膜；5、第二电极层；6、掩膜层；7、绝缘层。
具体实施方式
21.为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
22.在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
23.以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。
24.在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
25.实施例1：
26.如图1至图4所示，本实施例提供一种阵列基板，具有多个像素区a以及位于任意相邻两像素区a之间的遮光区b，阵列基板包括：
27.衬底1；
28.多个彩膜层2，设置于衬底1上并且至少部分位于像素区a；
29.多个第一电极层3，设置于彩膜层2远离衬底1的一侧，并且位于像素区a，第一电极层3为透明电极层；
30.遮光膜4，设置于任意相邻两第一电极层3之间，遮光膜4为不透光膜层。
31.其中，也就是说遮光区b将各个像素区a相互间隔，具体的，各个像素区a用于发出显示光以实现阵列基板的显示；遮光区b不能够发光，用于避免任意相邻的像素区a光的串扰，从而保证显示性能。第一电极层3为透明电极层，因此位于像素区a的第一电极层3不会影响像素区a的发光，并且第一电极层3能够为各个像素区a的发光单元提供电压。
32.阵列基板(coa+boa，cf on array+bm on array)的结构分布依次为衬底1、彩膜层2、第一电极层3。由于遮光膜4设置于任意相邻两透明电极层之间，相当于遮光膜4与第一电
极层3在同一层设置。同时，透明的第一电极层3一般为氧化铟锡材料形成光的电极层(ito)，为了保证其透光率，其厚度一般比较薄；遮光膜4为不透光膜层，为了使得遮光膜4的制备方便，遮光膜4的厚度与第一电极层3差不多。
33.需要说明的是，如图1所示(图1中虚线箭头表示显示光)，现有技术的阵列基板中，由于遮光区b的遮光结构的性能比较差，从而会造成遮光区b出现漏光现象；此外，对于曲面阵列基板，由于现有的遮光结构的厚度比较大，弯曲后遮光结构的段差比较明显，从而会造成遮光区b严重的漏光现象。
34.本实施例的阵列基板中，通过在遮光区b设置不透光的遮光膜4，不仅能够保证遮光区b不会出现漏光现象，而且对于曲面阵列基板，由于遮光膜4比较薄，弯曲后遮光膜4的段差较小，从而不会影响遮光膜4的遮光性能，避免遮光区b的严重漏光现象；此外，还可增加曲面阵列基板的开口率，避免由于曝光机透镜(lens)等影响第一电极层3的性能而产生的云纹(mura)等现象的产生。
35.具体的，遮光膜4的厚度为
36.需要说明的是，遮光区b的宽度约为9.5mm(如图2中的c所示)，即遮光膜4厚度也约为9.5mm。
37.优选的，彩膜层2与像素区a一一对应，任意相邻两彩膜层2的颜色不同，每个彩膜层2延伸至相邻的遮光区b中，以使任意相邻两彩膜层2在相邻的遮光区b交叠。
38.其中，彩膜层2与像素区a一一对应相当于在每一个像素区a只设置一个彩膜层2。由于每一种颜色的彩膜层2只能透过该种颜色的光，当相邻的两个不同颜色的彩膜层2在其对应的遮光区b中交叠时可以形成阻挡光透过的遮光结构。
39.若只设置由彩膜层2交叠形成的遮光结构，不设置遮光膜4，则在遮光区b会产生严重的漏光，因此，当遮光膜4与彩膜层2交叠形成的遮光结构相结合则可以使得遮光区b的遮光效果更好。
40.优选的，第一电极层3与像素区a一一对应；该阵列基板还包括：多个第二电极层5，设置于衬底1上并且至少部分位于遮光区b，第二电极层5在衬底1上的正投影与相邻的像素区a对应的第一电极层3在衬底1上的正投影交叠。
41.其中，第一电极层3与像素区a一一对应相当于在每一个像素区a只设置一个彩膜层2，第一电极层3可作为阵列基板中的像素电极。第二电极可以是阵列基板中的晶体管(如驱动晶体管)中的源漏电极，也可以是阵列基板其他结构的电极。
42.第二电极层5在衬底1上的投影与其相邻的像素区a对应的第一电极层3在衬底1上的投影交叠，相当于第二电极层5的边缘与第一电极层3在像素区a交叠。当该阵列基板为液晶显示阵列基板时，第一电极层3和第二电极层5交叠之间区域或产生电场，从而可以控制该区域的液晶分子的偏转，以使该区域的液晶分子能够形成遮光结构，以避免光从遮光区b发出。
43.然而，若只设置由第一电极层3和第二电极层5控制液晶分子的遮光结构，不设置遮光膜4以及彩膜层2交叠形成的遮光结构，或者只设置由第一电极层3和第二电极层5控制液晶分子的遮光结构和彩膜层2交叠形成的遮光结构，不设置遮光膜4，则在遮光区b会产生严重的漏光，因此，当遮光膜4、彩膜层2交叠形成的遮光结构、由第一电极层3和第二电极层5控制液晶分子的遮光结构三者相结合则可以使得遮光区b的遮光效果更好。
44.同时，对于曲面阵列基板，上述三种遮光结构结合的设置并不会由于基板的弯曲而导致遮光性能差的问题，从而可避免遮光区b的严重漏光现象。
45.需要说明的是，第一电极层3和第二电极层5交叠的尺寸约为2mm(如图2中的d所示)。
46.具体的，第二电极层5设置于衬底1和彩膜层2之间。
47.其中，也就是说阵列基板的结构分布依次为衬底1、第二电极层5、彩膜层2、第一电极层3。
48.实施例2：
49.如图1至图4所示，本实施例提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法用于形成实施例1中的阵列基板，该方法包括：
50.s11、在衬底1上形成第二电极层5。
51.其中，第二电极可以是阵列基板中的晶体管(如驱动晶体管)中的源漏电极，也可以是阵列基板其他结构的电极层。
52.s12、在衬底1上的各个像素区a形成多个彩膜层2。
53.具体的，彩膜层2与像素区a一一对应，任意相邻两彩膜层2的颜色不同，每个彩膜层2可延伸至其所相邻的遮光区b中，以使任意相邻两彩膜层2在相邻的遮光区b交叠。
54.其中，由于每一种颜色的彩膜层2只能透过该种颜色的光，当相邻的两个不同颜色的彩膜层2在其对应的遮光区b中交叠时可以形成阻挡光透过的遮光结构。
55.s13、在彩膜层2远离衬底1的一侧形成第一电极层3和遮光膜4，第一电极层3为透明电极层。
56.具体的，在彩膜层2远离衬底1的一侧形成第一电极层3和遮光膜4包括：
57.s131、如图3a所示，在彩膜层2远离衬底1的一侧形成第一电极材料层31。
58.其中，该第一电极材料层31覆盖像素区a和遮光区b。
59.s132、如图3b所示，在第一电极材料层31远离衬底1的一侧形成掩膜层6。
60.其中，掩膜层6在遮光区b对应的位置具有开口。
61.s133、如图3b所示，在掩膜层6的作用下对第一电极材料层31进行图案化处理，以形成第一电极层3。
62.其中，图案化处理将掩膜层6开口处的第一电极材料层31去除(刻蚀)，从而形成只位于像素区a的第一电极层3。
63.s134、如图3c所示，在掩膜层6远离衬底1的一侧形成遮光材料膜41，遮光材料膜41位于像素区a和遮光区b。
64.其中，遮光材料膜41用于形成遮光膜4。
65.具体的，采用磁控溅射的方式形成遮光金属层(黑化金属)，遮光金属层为遮光材料膜41。
66.遮光金属层的形成过程具体如下：以钼mo金属为例，采用3n5钼或其他纯度的钼为靶材，在腔室内通入氧气，通过磁控溅射的方法，采用8.5g的磁控溅射设备，在28kw的功率下，通入600sccm的氩气(ar)和700sccm的氧气(o2)，成膜速率约为19a/s，形成约500a的moox薄膜。其中mo和moo3混合共存，薄膜中有许多不确定的缺陷态，还有许多不透光的mo相存在，使可见光大部分被吸收。
67.对于不同的磁控溅射设备，可以通过控制成膜的功率和氧分压，控制成膜的速率和结构，形成高可见光吸收的mo/mo-o的复合薄膜。也可以使用mo的合金作为靶材，而且在成膜过程中可以通入少量的氮气，形成氮氧化金属膜层，可以形成反射率更低的膜层，而且提高工艺的窗口。也可以通过moox的靶材直接进行成膜，提高成膜的持续性和稳定性。
68.此外，遮光层也可以通过黑化金属(或其他遮光材料)的靶材直接溅射形成，过程中不必通入氧气等反应气体。
69.s135、如图2所示，去除掩膜层6(strip off)，以形成遮光膜4。
70.其中，如图2所示，当将掩膜层6去除的同时，可将位于掩膜层6上的遮光材料膜41也去除，只留下遮光区b的遮光材料膜41，即形成遮光膜4。
71.需要说明的是，在上述各个层结构之间还形成至少一个绝缘层7，以保证各个层结构的性能不被相邻的层结构影响，形成绝缘层7步骤不再详细说明。
72.本实施例的阵列基板的制备过程中，只需同一掩膜层6则可形成第一电极层3和遮光膜4两个结构，也就是说增加遮光膜4的步骤只需增加形成遮光金属层的步骤(s134)，不仅使得该阵列基板的制备工艺简便，减低制备成本，而且能够使的遮光膜4与遮光区b的对应准确，还可减少基板制备过程的运输次数。
73.实施例3：
74.如图1至图4所示，本实施例提供一种显示面板，包括实施例1中的阵列基板。
75.优选的，显示面板为曲面液晶显示面板。
76.需要说明的是，本实施的显示面板尤其适用于曲面液晶显示面板。对于曲面液晶显示面板，由于遮光膜4比较薄，弯曲后遮光结构的段差较小，从而不会影响遮光膜4的遮光性能，避免遮光区b的严重漏光现象。此外，阵列基板中的三种遮光结构结合的设置并不会由于基板的弯曲而导致遮光性能差的问题，从而可避免遮光区b的严重漏光现象。
77.具体的，该显示面板可为液晶显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
78.应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
79.依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，具有多个像素区以及位于任意相邻两像素区之间的遮光区，所述阵列基板包括：衬底；多个彩膜层，设置于所述衬底上并且至少部分位于所述像素区；多个第一电极层，设置于所述彩膜层远离所述衬底的一侧，并且位于所述像素区，所述第一电极层为透明电极层；遮光膜，设置于任意相邻两所述第一电极层之间，所述遮光膜为不透光膜层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光膜的厚度为3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜层与所述像素区一一对应，任意相邻两彩膜层的颜色不同，每个所述彩膜层延伸至相邻的所述遮光区中，以使任意相邻两彩膜层在相邻的遮光区交叠。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层与所述像素区一一对应；所述阵列基板还包括：多个第二电极层，设置于所述衬底上并且至少部分位于所述遮光区，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与相邻的所述像素区对应的第一电极层在所述衬底上的正投影交叠。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层设置于所述衬底和所述彩膜层之间。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，基于权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，所述方法包括：在衬底上的各个像素区形成多个彩膜层；在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极层和遮光膜，所述第一电极层为透明电极层。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极层和遮光膜包括：在所述彩膜层远离所述衬底的一侧形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层远离所述衬底的一侧形成掩膜层；在所述掩膜层的作用下对所述第一电极材料层进行图案化处理，以形成所述第一电极层；在所述掩膜层远离所述衬底的一侧形成遮光材料膜，所述遮光材料膜位于像素区和遮光区；去除所述掩膜层，以形成所述遮光膜。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层远离所述衬底的一侧形成遮光材料膜包括：采用磁控溅射的方式形成遮光金属层，所述遮光金属层为遮光材料膜。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述遮光金属层的形成材料包括氧化钼。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为曲面液晶显示面板。

技术总结
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示面板中的遮光结构的遮光性能差而导致漏光的问题。本发明的一种阵列基板，具有多个像素区以及位于任意相邻两像素区之间的遮光区，阵列基板包括：衬底；多个彩膜层，设置于衬底上并且至少部分位于像素区；多个第一电极层，设置于彩膜层远离衬底的一侧，并且位于像素区，第一电极层为透明电极层；遮光膜，设置于任意相邻两第一电极层之间，遮光膜为不透光膜层。膜层。膜层。


技术研发人员：李梁梁 伍蓉 刘正
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.11.06
技术公布日：2022/5/25