本发明涉及静电防护，尤其涉及一种双向静电放电器件及其制备方法、射频端口装置。
背景技术：
1、在射频集成电路中，静电放电(electro-static discharge，esd)的设计已经成为影响射频集成电路可靠性和射频性能的重要因素。通常为了达到更大的esd鲁棒性能，则需要设计更大面积的esd器件，而在射频电路中esd器件的面积越大对应的寄生电容越大，esd器件的寄生电容会对射频电路产生严重干扰，导致射频电路性能不稳定。
技术实现思路
1、本发明提供了一种双向静电放电器件及其制备方法、射频端口装置，在保证esd器件有足够大的esd鲁棒性能的同时，解决目前esd器件的寄生电容较大的问题。
2、第一方面，本发明提供了一种双向静电放电器件，其中，双向静电放电器件包括两个串联连接的单向静电放电器件；单向静电放电器件包括：
3、衬底；
4、沿第一方向，设置于衬底一侧的外延层，第一方向为衬底的厚度方向；
5、沿第一方向，设置于外延层远离衬底一侧的埋层；
6、沿第一方向，设置于外延层远离衬底一侧的本征外延层；本征外延层在衬底的正投影覆盖埋层在衬底的正投影；
7、沿第一方向，设置于本征外延层远离衬底一侧的体区、第一有源区和第二有源区，第一有源区位于体区远离衬底的一侧；沿第二方向，第二有源区与第一有源区设置在同侧；第二方向为平行于衬底所在平面的方向；
8、沿第一方向，设置于本征外延层远离衬底一侧的第一导电层，第一导电层分别与第一有源区和第二有源区连接；两个单向静电放电器件通过第一导电层连接；
9、沿第一方向，设置于衬底远离外延层一侧的第二导电层；第二导电层作为双向静电放电器件的输入端口。
10、可选的，单向静电放电器件还包括：隔离结构；
11、隔离结构贯穿本征外延层和外延层，并延伸至衬底，沿第二方向，隔离结构将本征外延层、外延层和衬底划分为第一区域和第二区域；
12、体区和第一有源区位于第一区域；第二有源区和埋层位于第二区域。
13、可选的，单向静电放电器件还包括：介质层；
14、介质层位于本征外延层和第一导电层之间，介质层在衬底的正投影覆盖本征外延层在衬底的正投影、第一有源区在衬底的正投影和第二有源区在衬底的正投影，第一导电层贯穿介质层与第一有源区和第二有源区连接。
15、可选的，单向静电放电器件还包括：钝化层；
16、沿第二方向，钝化层位于第一导电层的两侧；钝化层用于对第一导电层物理保护。
17、可选的，埋层的掺杂浓度小于外延层的掺杂浓度；衬底和第二有源区的掺杂类型包括第一掺杂类型，外延层、体区、第一有源区和埋层的掺杂类型包括第二掺杂类型。
18、可选的，本征外延层的厚度为10-20um，电阻率大于100ω·cm；衬底的厚度为600-650um，电阻率为0.001-0.05ω·cm；外延层的厚度为4-10um，电阻率为1-10ω·cm。
19、第二方面，本发明提供了一种向静电放电器件的制备方法，其中，双向静电放电器件包括两个串联连接的单向静电放电器件；该方法包括：
20、提供衬底；
21、沿第一方向，在衬底的一侧形成外延层，第一方向为衬底的厚度方向；
22、沿第一方向，在外延层远离衬底的一侧形成埋层；
23、沿第一方向，在外延层远离衬底的一侧形成本征外延层；本征外延层在衬底的正投影覆盖埋层在衬底的正投影；
24、沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成体区、第一有源区和第二有源区，第一有源区位于体区远离衬底的一侧；沿第二方向，第二有源区与第一有源区设置在同侧；第二方向为平行于衬底所在平面的方向；
25、沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成第一导电层，第一导电层分别与第一有源区和第二有源区连接；两个单向静电放电器件通过第一导电层连接；
26、沿第一方向，在衬底远离外延层的一侧形成第二导电层；第二导电层作为双向静电放电器件的输入端口。
27、可选的，在沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成体区、第一有源区和第二有源区之后，还包括：
28、形成隔离结构，隔离结构贯穿本征外延层和外延层，并延伸至衬底，沿第二方向，隔离结构将本征外延层、外延层和衬底划分为第一区域和第二区域；体区和第一有源区位于第一区域；第二有源区和埋层位于第二区域。
29、可选的，在沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成第一导电层之前，还包括：
30、沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成介质层，介质层在衬底的正投影覆盖本征外延层在衬底的正投影、第一有源区在衬底的正投影和第二有源区在衬底的正投影，第一导电层贯穿介质层与第一有源区和第二有源区连接；
31、在沿第一方向，在本征外延层远离衬底的一侧形成第一导电层之后，还包括：
32、沿第二方向，在第一导电层的两侧形成钝化层；钝化层用于对第一导电层物理保护。
33、第三方面，本发明提供了一种射频端口装置，其中，射频端口装置包括上述第一方面提供的双向静电放电器件。
34、本发明的技术方案，双向静电放电器件中设置电阻率高的本征外延层，本征外延层与其他膜层形成的空间势垒区宽度较大，使得势垒电容较小，有效的降低了双向静电放电器件的寄生电容。同时双向静电放电器件由两个单向静电放电器件串联连接而成，串联连接的方式可以进一步有效降低双向静电放电器件的整体电容。本发明的技术方案，在保证双向静电放电器件有足够大的esd鲁棒性能的同时，有效降低了双向静电放电器件的电容值，有效提高了射频电路的性能和可靠性。
35、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
1.一种双向静电放电器件，其特征在于，包括两个串联连接的单向静电放电器件；所述单向静电放电器件包括：
2.根据权利要求1所述的双向静电放电器件，其特征在于，所述单向静电放电器件还包括：隔离结构；
3.根据权利要求1所述的双向静电放电器件，其特征在于，所述单向静电放电器件还包括：介质层；
4.根据权利要求1所述的双向静电放电器件，其特征在于，所述单向静电放电器件还包括：钝化层；
5.根据权利要求1所述的双向静电放电器件，其特征在于，所述埋层的掺杂浓度小于所述外延层的掺杂浓度；所述衬底和所述第二有源区的掺杂类型包括第一掺杂类型，所述外延层、所述体区、所述第一有源区和所述埋层的掺杂类型包括第二掺杂类型。
6.根据权利要求1所述的双向静电放电器件，其特征在于，所述本征外延层的厚度为10-20um，电阻率大于100ω·cm；所述衬底的厚度为600-650um，电阻率为0.001-0.05ω·cm；所述外延层的厚度为4-10um，电阻率为1-10ω·cm。
7.一种双向静电放电器件的制备方法，其特征在于，所述双向静电放电器件包括两个串联连接的单向静电放电器件；所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的双向静电放电器件的制备方法，其特征在于，在所述沿所述第一方向，在所述本征外延层远离所述衬底的一侧形成体区、第一有源区和第二有源区之后，还包括：
9.根据权利要求7所述的双向静电放电器件的制备方法，其特征在于，在所述沿所述第一方向，在所述本征外延层远离所述衬底的一侧形成第一导电层之前，还包括：
10.一种射频端口装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的双向静电放电器件。
