本发明涉及等离子体处理装置的清洁方法。
背景技术：
1、在专利文献1中公开了对真空处理装置的真空处理室的内部进行干式清洁的方法。该干式清洁在真空处理室的内部在试样台载置仿真晶片(dummy wafer)的状态下进行。
2、在专利文献2中公开了对等离子体处理系统的等离子体处理腔室的内部进行干式清洁的方法。该干式清洁是所谓的无晶片干式清洁，在等离子体处理腔室的内部在基座没有载置仿真晶片地进行。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开平5-74739号公报
6、专利文献2：日本特表2019-511843号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明的技术在等离子体处理装置的腔室的内部适当地对载置基片的载置台进行干式清洁。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本发明的一个方式是等离子体处理装置的清洁方法，包括：在设置于腔室的内部的载置台载置产品基片，对上述产品基片进行等离子体处理的步骤；和将具有比上述产品基片小的直径的第一仿真基片载置在上述载置台，进行在上述腔室的内部生成等离子体而清洁上述载置台的第一干式清洁的步骤。
5、发明效果
6、根据本发明，能够在等离子体处理装置的腔室的内部适当地对载置基片的载置台进行干式清洁。
1.一种等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
9.如权利要求7所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
10.如权利要求7所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
11.如权利要求7所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
12.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
14.如权利要求13所述的等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于：
15.一种等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于，包括：
16.一种等离子体处理装置的清洁方法，其特征在于，包括：
