本发明涉及太阳能电池，尤其是涉及一种基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法。
背景技术：
1、 hjt电池（即本征薄膜异质结电池）具备对称双面电池结构，中间为n型单晶硅片。正面依次沉积本征非晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜，从而形成p-n结；背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和p型微晶硅薄膜，以形成背表面场。鉴于非晶硅的导电性比较差，因此在电池两侧沉积透明导电薄膜进行导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极。
2、现有技术中制备hjt电池时，对硅衬底制绒后直接沉积非晶硅膜层，并且直接在ito透明导电薄膜上印刷金属ag电极。例如，在中国专利文献上公开的“一种hjt电池片和hjt组件制备方法”，其公开号cn110429149a，所述hjt电池片制备方法具体包括：提供原始硅片；对原始硅片进行切割；对切割后硅片进行制绒操作，在硅片表面形成绒面；在所述制绒后的硅片表面上沉积形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积形成掺杂非晶硅层；在所述掺杂非晶硅层上沉积形成透明导电氧化层；在所述透明导电氧化层上形成栅线电极。
3、但制绒后直接沉积非晶硅膜层，衬底材料底层有绒面，导致接触面积大、复合率高，金字塔底层减少了光子产生率，从而影响了电池效率。并且直接将ag电极印刷在ito膜上，由于ag电极与ito透明导电薄膜之间存在能级匹配性差异，会影响载流子的传输和收集，不利于电池性能的提升。
技术实现思路
1、本发明是为了克服现有技术中的hjt电池存在的上述问题，提供一种基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，制绒后对硅片衬底底层进行平整化处理，增强衬底底层平面效果，产生更多的光子，提升光的利用率；并在金属ag电极与ito导电膜之间增加一层缓冲层，可提升电流收集率，提高了电池片转换效率。
2、为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
3、一种基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，包括如下步骤：
4、（1）对硅片进行清洗和制绒，在硅片表面制出金字塔绒面；
5、（2）对制绒后的硅片底层进行激光消融平整化处理，使底层成为平整化塔基；
6、（3）在消融处理后的硅片表面依次沉积本征非晶硅层及掺杂微晶硅层；
7、（4）在掺杂微晶硅层表面沉积ito透明导电层；
8、（5）在ito透明导电层表面真空溅射缓冲层；缓冲层的原料包括质量比为3~5:1~3:1的moo3、pt和钨钼合金，钨钼合金中钨的质量分数为30~50%；
9、（6）在缓冲层上印刷导电银浆，固化得到银电极。
10、本发明在制绒后对硅片衬底底层进行激光消融平整化处理，用激光照射在衬底底层瞬间加热融化，使其金字塔逐渐消失，最后底层成为平整化塔基，塔基平整后接触面减小，悬挂键数相应减少，减少了复合，提升了底层钝化效果；同时底层平整化形成的平面效果将提高底层反射率，可增加光的再次利用，提升了光的利用率。同时，为了缓解ag电极与ito导电层之间能级匹配性差异，本发明在ito导电层与ag电极之间设置了缓冲层，缓冲层中的moo3具有高透光率，高功函数，能带上也与ito层匹配，是良好的缓冲层材料；但moo3的导电性不佳，仅用其作为缓冲层会影响导电效果，因此本发明同时在缓冲层中添加了pt和钨钼合金确保缓冲层的导电性，通过对moo3、pt和钨钼合金用量的调节，使缓冲层与ito层能级匹配性高，且导电性好，可提升电流收集率，提高了电池片转换效率及稳定性。
11、作为优选，步骤（1）中通过碱液湿法腐蚀对硅片进行制绒，硅片采用厚度为90~120μm的n型衬底硅片。
12、作为优选，步骤（2）中激光消融深度为3~4μm。
13、作为优选，步骤（3）中采用pecvd法沉积本征非晶硅层及掺杂微晶硅层。
14、作为优选，步骤（3）中沉积的本征非晶硅层的厚度为5~15nm，掺杂微晶硅层的厚度为15~35nm。
15、作为优选，步骤（4）中采用pvd法沉积ito层。
16、 作为优选，步骤（4）中沉积的ito层的厚度为50~130 nm。
17、作为优选，步骤（5）中缓冲层的厚度为2~4nm。
18、作为优选，步骤（6）中银电极的厚度为8~25μm。
19、作为优选，步骤（6）的固化温度为200℃~220℃。
20、因此，本发明具有如下有益效果：
21、（1）在异质结硅片制绒后对衬底底层进行激光平整化处理，增强衬底底层平面效果，产生更多的光子，提升光的利用率；同时衬底底层进行激光平整化处理后，界面接触面积减小，悬挂键数相应减少，减少了复合，提升了底层钝化效果；
22、（2）在金属ag电极与ito导电层之间设置包括moo3、pt和钨钼合金的缓冲层，改善ag电极与ito层的接触性，提升电流收集率，提高了电池片转换效率。
1.一种基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（1）中通过碱液湿法腐蚀对硅片进行制绒，硅片采用厚度为90~120μm的n型衬底硅片。
3.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（2）中激光消融深度为3~4μm。
4.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（3）中采用pecvd法沉积本征非晶硅层及掺杂微晶硅层。
5.根据权利要求1或4所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（3）中沉积的本征非晶硅层的厚度为5~15nm，掺杂微晶硅层的厚度为15~35nm。
6.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（4）中采用pvd法沉积ito层。
7.根据权利要求1或6所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（4）中沉积的ito层的厚度为50~130 nm。
8.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（5）中缓冲层的厚度为2~4nm。
9.根据权利要求1所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（6）中银电极的厚度为8~25μm。
10.根据权利要求1或9所述的基于n型异质结电池衬底平整化的电极接触改善方法，其特征是，步骤（6）的固化温度为200℃~220℃。
