封装体及其制备方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种封装体及其制备方法。


背景技术：

2.随着科技的发展，电子产品已经成为日常生活中必不可少的一部分，而电子产品能够正常工作的前提是，内部器件之间的电气连接可靠，但是目前电子器件与电路板之间的连接并不稳定，依然存在连接开路现象，从而影响整个电子产品的正常工作。


技术实现要素：

3.本技术提供一种封装体及其制备方法，能够提高封装体与电路板的焊接可靠性，以及便于视觉检查。
4.本技术实施例第一方面提供一种封装体，所述封装体包括：封装主体；连接端子，包括相背设置的第一端部以及第二端部，所述第一端部与所述封装主体连接，所述第一端部与所述第二端部之间连接有焊接面，所述第二端部的端面的至少部分设置有与所述焊接面连接的导电层，其中，所述导电层的材料与焊接料相同，所述焊接料用于将所述封装体焊接到电路板上。
5.其中，所述第二端部的端面包括第一区域以及第二区域，所述第一区域设置有所述导电层，所述第一区域为与所述焊接面连接的凹陷区域。
6.其中，所述连接端子表面的区域，除与所述封装主体连接的区域以及所述第一区域外，其他区域均设置有所述导电层。
7.其中，所述导电层的材料为锡。
8.其中，所述封装主体包括：支撑部，设有支撑面，所述连接端子与所述支撑部连接，且所述连接端子的所述焊接面与所述支撑面相背设置；电子器件，固定在所述支撑面上，并通过所述支撑部与所述连接端子电连接；塑封体，将所述电子器件包裹在所述支撑部上。
9.其中，所述封装体还包括：散热片，与所述封装主体连接。
10.本技术实施例第二方面提供一种封装体的制备方法，所述方法包括：形成封装主体以及连接端子，其中，所述连接端子包括相背设置的第一端部以及第二端部，所述第一端部与所述封装主体连接，所述第一端部与所述第二端部之间连接有焊接面，所述第二端部的端面的至少部分设置有与所述焊接面连接的导电层，其中，所述导电层的材料与焊接料相同，所述焊接料用于将所述封装体焊接到电路板上。
11.其中，所述形成封装主体以及连接端子的步骤，包括：提供框架，所述框架包括支撑部以及与所述支撑部连接的连接部，所述支撑部设有支撑面，所述连接部设有所述焊接面，所述焊接面与所述支撑面相背设置；对所述连接部进行预切割，以形成与所述焊接面连接的凹陷区域；至少在所述凹陷区域的表面形成所述导电层；在所述支撑部上安装电子器件以及包裹所述电子器件的塑封体；沿经过所述凹陷区域的切割线切断所述连接部。
12.其中，所述对所述连接部进行预切割的步骤，包括：采用冲压工艺或者蚀刻工艺，
对所述连接部进行预切割。
13.其中，所述至少在所述凹陷区域的表面形成所述导电层的步骤，包括：采用电镀工艺，至少在所述凹陷区域的表面形成所述导电层。
14.有益效果是：本技术在连接端子的第二端部的端面设置与焊接面连接的导电层，且导电层的材料与焊接料相同，从而在将封装体焊接在电路板的过程中，焊接料在设有导电层的区域可浸润，具体而言，焊接料会沿着第二端部的端面向上蔓延，在经过焊接后，连接端子的端面形成有焊接料，最终一方面可以保证连接端子与电路板的焊接可靠性，另一方面当对焊接在电路板上的封装体进行视觉检查时，可以通过形成在端面的焊接料的含量，来判断封装体与电路板之间的连接是否可靠，从而能够提高视觉检查的便利性。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
16.图1是本技术封装体一实施方式的简单结构示意图；
17.图2是图1中封装主体的剖面结构示意图；
18.图3是图1中封装体焊接在电路板上的部分结构示意图；
19.图4是现有技术中的封装体焊接在电路板上的部分结构示意图；
20.图5是本技术封装体的制备方法一实施方式的流程示意图；
21.图6是对应图5制备方法的制备工艺流程图；
22.图7是本技术封装体的制备方法另一实施方式的制备工艺流程图；
23.图8是采用图7中的封装方法制备的封装体焊接在电路板上的部分结构示意图；
24.图9是本技术封装体另一实施方式的简单结构示意图；
25.图10是图9封装体焊接在电路板上的部分结构示意图。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.参阅图1，图1是本技术封装体一实施方式的结构示意图，封装体100包括封装主体110以及连接端子120。
28.封装主体110是封装体100的核心。参阅图2，在本实施方式中，封装主体110包括支撑部111、电子器件112以及塑封体113。支撑部111设有支撑面1111，电子器件112固定在支撑面1111上，塑封体113将电子器件112包裹在支撑部111上，对电子器件112起到保护作用。其中电子器件112具体是可以是裸芯片、电容或者电阻等元件，在此不做限制。塑封体113的材料可以是环氧树脂等材料。其中本技术对封装主体110的结构不做限制，在其他实施方式中，封装主体110还可以是其他结构。
29.连接端子120与封装主体110连接，在本实施方式中，连接端子120具体与封装主体110中的支撑部111连接，其中支撑部111与连接端子120的材料均为金属，固定在支撑部111上的电子器件112与支撑部111电连接，而连接端子120与支撑部111电连接，从而连接端子120与支撑部111电连接，使得连接端子120传输电子器件112与外界传输的通信信号。
30.结合图1以及图3，连接端子120包括相背设置的第一端部121以及第二端部122，第一端部121与封装主体110连接，第二端部122远离封装主体110，同时第一端部121与第二端部122之间连接有焊接面123，该焊接面123与支撑面1111相背设置，本实施方式采用贴片的方式将封装体100焊接在电路板b上，焊接过程具体包括：在电路板b上涂覆焊接料c，然后将封装体100放置在焊接料c上，并使连接端子120的焊接面123朝向电路板b，在经过回流后，封装体100被固定在电路板上b。
31.在本实施方式中，连接端子120的第二端部122的端面1221的至少部分设置有与焊接面123连接的导电层130，其中，导电层130的材料与焊接料c相同，焊接料c用于将封装体100焊接到电路板b上。
32.参阅图4，在现有技术中，连接端子a的端面1为切割面，均为裸露的铜，当采用焊接料c将连接端子a焊接在电路板b上时，由于焊接料c无法浸润在铜的表面，因此焊接料c不会爬上连接端子a的端面1，从而连接端子a可能无法与电路板b焊接在一起，进而无法保证连接端子a与电路板b的连接可靠性。
33.而在本实施方式中，结合图3，由于第二端部122的端面1221的至少部分设置有与焊接面123连接的导电层130，因此在焊接的过程中，焊接料c会沿着端面1221向上爬，也就是，焊接料c在端面1221设有导电层130的区域可浸润，因此在焊接后，第二端部122的至少部分区域形成有焊接料c，一方面可以保证连接端子120与电路板b的焊接可靠性，另一方面当对焊接在电路板b上的封装体100进行视觉检查时，可以通过形成在端面1221的焊接料c的含量，来判断封装体100与电路板b之间的连接是否可靠，从而能够提高视觉检查的便利性。
34.其中，考虑到焊接料c通常为锡膏，因此设置导电层130的材料为锡。当然在其他实施方式中，导电层130的材料还可以是其他，只要保证导电层130的材料与焊接料c相同即可。
35.继续参阅图1，为了提高封装体100的散热性能，设置封装主体110与散热片140连接，以传导封装主体110内部产生的热量，提高封装体100的寿命。
36.下面结合图1、图3以及图5，介绍封装体100的制备方法，该制备方法包括：
37.s110：形成封装主体110以及连接端子120，其中，连接端子120包括相背设置的第一端部121以及第二端部122，第一端部121与封装主体110连接，第一端部121与第二端部122之间连接有焊接面123，第二端部122的端面1221的至少部分设置有与焊接面123连接的导电层130，其中，导电层130的材料与焊接料c相同，焊接料c用于将封装体100焊接到电路板b上。
38.其中参阅图6，步骤s110具体包括：
39.(a1)提供框架300，框架300包括支撑部310以及与支撑部310连接的连接部320，支撑部310设有支撑面311，连接部320设有焊接面(图未示)，焊接面与支撑面311相背设置。
40.其中，与支撑部310连接的连接部320的数量可以是一个，也可以是多个，当连接部
320的数量为多个时，相邻两个连接部320之间形成有开口。
41.其中，在后续将得到的封装体焊接在电路板上的过程中，连接部320的焊接面与电路板焊接在一起，也就是说，焊接面朝向电路板，支撑面311背离电路板。
42.(b1)在支撑面311上安装电子器件(图未示)以及包裹电子器件的塑封体(图未示)。
43.其中，在支撑部310的支撑面311上安装例如裸芯片、电容、电阻等电子器件，然后在对电子器件进行塑封，利用塑封体对电子器件进行保护。
44.(c1)沿框架300的切割线l切断连接部320，形成与支撑部310连接的连接端子321。
45.在对电子器件进行塑封后，沿切割线l切断连接部320，使与支撑部310连接的连接部320形成连接端子321。
46.(d1)在连接端子321远离支撑部310的端面3211的至少部分形成导电层(图未示)。
47.在连接端子321的端面3211的至少部分形成导电层，使得后续将封装体焊接的电路板的过程中，焊接料会在导电层上浸润，连接端子321与电路板之间的焊接料会沿着导电层向上蔓延，从而一方面可以加强连接端子321与电路板的焊接可靠性，另一方面在进行视觉检查时，可以通过导电层上形成的焊接料判断封装体的焊接可靠性。
48.其中，可以采用电镀、气相沉积等方法在连接端子321的端面3211的至少部分区域形成与焊接面连接的导电层，导电层的材料与焊接料相同，考虑到锡膏是使用最广泛的焊接料，因此设置导电层的材料为锡。
49.在上述的制备过程中，由于导电层形成在塑封体之后，因此在形成导电层的过程中，存在导电材料污染塑封体的风险，因此在本技术另一实施方式中，参阅图7，采用如下方法制备封装体：
50.(a2)提供框架400，框架400包括支撑部410以及与支撑部410连接的连接部420，支撑部410设有支撑面411，连接部420设有焊接面，焊接面(图未示)与支撑面411相背设置。
51.其中，框架400与上述的框架300结构相同，具体可参见上述内容。
52.(b2)对连接部420进行预切割，以形成与焊接面连接的凹陷区域4201。
53.其中，可以采用激光切割、蚀刻、冲压等工艺对连接部420进行预切割，以形成与焊接面连接的凹陷区域4201。其中本技术对预切割的工艺不做限制。
54.其中凹陷区域4201可以是凹槽、通槽等结构，只要凹陷区域4201与焊接面连接即可，本技术对其具体形状不做限制。
55.(c2)至少在凹陷区域4201的表面形成导电层(图未示)。
56.其中，可以采用电镀、气相沉积等工艺至少在凹陷区域4201的表面形成导电层。其中与上述相同，导电层的材料与焊接料相同，例如为锡。
57.在一应用场景中，步骤(c2)具体可以在连接部420的表面上均形成导电层。
58.(d2)在支撑部410上安装电子器件以及包裹电子器件的塑封体。
59.与上述步骤(b1)相同。
60.(e2)沿经过凹陷区域4201的切割线l切断连接部420。
61.在经过切割后，与支撑部410连接的连接部420形成连接端子421。
62.在该实施方式中，由于对连接部420进行了预切割，结合图8，此时得到的连接端子421远离支撑部410的端面4211包括第一区域42111以及第二区域42112，第二区域42112为
切割面，第一区域42111为与焊接面连接的凹陷区域，且第一区域42111设置有导电层430，此时在将得到的封装体焊接在电路板b上的过程中，由于第一区域42111设置有焊接面连接的导电层430，因此焊接料c会在导电层430上浸润，连接端子421与电路板b之间的焊接料c会沿着导电层430向上蔓延，从而一方面可以加强连接端子421与电路板b的焊接可靠性，另一方面在进行视觉检查时，可以通过导电层430上形成的焊接料c的含量判断封装体的焊接可靠性。
63.经过该实施方式，最终得到如图9和图10所示的封装体500，具体而言，该封装体500包括封装主体510以及连接端子520。
64.封装主体510与前述实施方式中的封装主体110结构相同，具体可参见前述。
65.连接端子520包括相背设置的第一端部521以及第二端部522，第一端部521与封装主体510连接，第一端部521与第二端部522之间连接有焊接面(图未示)，第二端部522的端面5221包括第一区域52211以及第二区域52212，第一区域52211设置有导电层530，第一区域52211为与焊接面连接的凹陷区域，导电层530的材料与焊接料相同，该焊接料用于将封装体500焊接到电路板上。
66.在一应用场景中，若在制备封装体500的过程中，步骤(c2)具体在连接部420的表面上均形成导电层530，则此时得到的封装体500中，连接端子520表面的区域，除与封装主体510连接的区域以及第一区域52211外，其他区域均设置有导电层530。
67.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。