本申请涉及半导体制造的，具体涉及一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法。
背景技术：
1、目前，对多晶硅的湿法刻蚀作业主要是在湿法刻蚀机台中，利用氢氟酸、硝酸和水的混合溶剂进行，该刻蚀反应是各向同性的，在作业过程中，产生的四氟化硅气体会聚集在晶圆表面形成气泡，被气泡遮挡住的区域的后续反应被阻碍，造成晶圆表面粗糙。
2、对于上述中的湿法刻蚀作业，其时长会随着多晶硅厚度的增加而增加，当多晶硅的厚度较大时，可能会导致作业时长过长，从而气泡的数量也会增加，最终加剧晶圆表面的粗糙程度。
技术实现思路
1、本申请提供了一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法，可以改善湿法刻蚀后晶圆表面的均匀性。
2、本申请实施例提供了一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法，包括：
3、s1：将晶圆浸泡在刻蚀溶液中，并持续预定的单位作业时长；
4、其中，所述晶圆为表面形成有多晶硅层的晶圆；
5、s2：将所述晶圆从所述刻蚀溶液中移出并持续预设时长，以去除所述晶圆表面的气泡；
6、s3：以预设有的循环次数循环执行所述s1-s2，以去除所述晶圆表面的多晶硅层。
7、在一些实施例中，所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液。
8、在一些实施例中，在所述刻蚀溶液中，氢氟酸和硝酸的配比为1比50。
9、在一些实施例中，所述循环次数不小于三次。
10、在一些实施例中，所述方法应用于湿法刻蚀机台，所述湿法刻蚀机台包括反应池、升降台、移动组件和排气组件，所述刻蚀溶液盛放于所述反应池中，所述用于放置晶圆的升降台安装于所述移动组件，并能在所述移动组件的作用下进出所述反应池，所述排气组件用于排出所述湿法刻蚀机台中的气体。
11、本申请技术方案，至少包括如下优点：
12、1. 通过使用连续多次短时间的湿法刻蚀阶段取代一次性长时间的湿法刻蚀流程，并在相邻的湿法刻蚀阶段之间去除晶圆表面形成的气泡，从而能够解决表面气泡带来的刻蚀均匀性不佳的问题，提高刻蚀完成后的晶圆表面的均匀性。
1.一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀溶液中，氢氟酸和硝酸的配比为1比50。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述循环次数不小于三次。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于湿法刻蚀机台，所述湿法刻蚀机台包括反应池、升降台、移动组件和排气组件，所述刻蚀溶液盛放于所述反应池中，所述用于放置晶圆的升降台安装于所述移动组件，并能在所述移动组件的作用下进出所述反应池，所述排气组件用于排出所述湿法刻蚀机台中的气体。
