本申请涉及芯片处理的，更具体地说，它涉及一种通电去毛刺的酸洗工艺。
背景技术：
1、oj二极管是一种直接切割无保护的芯片并焊接封装工艺的产品，由于芯片本身无保护，需要在焊接后通过酸腐蚀芯片侧面洗去芯片前工艺造成的损伤和外形不良，再使用硅胶包裹保护；但由于化学腐蚀控制能力较低，所以会保留芯片的异形结构或边角处留有明显的尖端结构，在高温高压及大电流下都可能因尖端放电造成性能下降，因此急需对酸洗工艺进行改进。
技术实现思路
1、为了改善芯片留存异形结构或尖端结构的缺陷，本申请提供一种通电去毛刺的酸洗工艺。
2、本申请提供的一种通电去毛刺的酸洗工艺，采用如下的技术方案：
3、第一方面，本申请提供一种通电去毛刺的酸洗工艺，包括以下步骤：
4、s1、清洗产品准备：将焊接后的半成品转移至酸洗工装；
5、s2、酸洗前准备：向酸洗机中注入混合酸，控制混合酸的温度为18-25℃；
6、s3、酸洗处理：将酸洗工装移入酸洗机，进行酸洗处理，在酸洗处理过程中进行通电处理，冲洗，得到酸洗后的产品；
7、s4、钝化处理：将酸洗机中的混合酸倒出，冲洗后，向酸洗机中注入钝化液，将酸洗后的产品移入酸洗机中，进行钝化处理，冲洗，得到钝化处理后的产品；
8、s5、后处理：将钝化处理后的产品移入超声水槽，进行超声清洗，取出产品，甩干，移入异丙醇超声槽，得到半成品产品。
9、通过采用上述技术方案，在酸洗腐蚀过程中，进行通电处理，电流的引入能够使反应优选在芯片表面突出部分进行，使芯片表面更加圆润，能够有效消除尖端凸起，降低后续芯片因尖端放电导致性能下降的可能性。
10、可选的，所述步骤s2中的混合酸包括质量比为9:9:12:4的hno3、hf、ch3cooh以及h2so4。
11、可选的，所述步骤s3中的通电处理的时长为60-90s。
12、可选的，所述步骤s3中的通电处理的电流强度为0.4-0.6a。
13、可选的，所述酸洗处理包括5-6工位，在最后2工位进行通电处理。
14、可选的，所述通电处理中，镀镍探针直接与混合酸接触。
15、通过采用上述技术方案，通过镀镍探针直接与混合酸接触，能够对酸洗槽中的酸洗工装有效加电，有利于混合酸优选与芯片突出部分反应，消除尖端凸起，降低尖端放电导致芯片性能失效。
16、可选的，所述酸洗机包括：
17、壳体；
18、酸洗槽，所述酸洗槽开设于所述壳体，所述酸洗槽用以放置酸洗工装；
19、降温腔，所述降温腔设于所述酸洗槽下方，所述降温腔内填充有冷却水。
20、通过采用上述技术方案，通过降温腔的设置，使酸洗工装在酸洗槽内进行酸洗处理时，降温腔内的冷却水能够持续对酸洗槽内的酸洗液进行降温，使酸洗液持续处于18-25℃，使酸液能够充分对芯片进行腐蚀。
21、可选的，所述钝化处理中使用钝化液，所述钝化液包括质量比为1:4的磷酸以及双氧水。
22、可选的，所述钝化处理的温度为80-90℃。
23、可选的，所述钝化处理的时间为60-90s。
24、综上所述，本申请具有以下有益效果：
25、1、本申请在酸洗腐蚀过程中，进行通电处理，电流的引入能够使反应优选在芯片表面突出部分进行，使芯片表面更加圆润，能够有效消除尖端凸起，降低后续芯片因尖端放电导致性能下降的可能性。
26、2、本申请中通过镀镍探针直接与混合酸接触，能够对酸洗槽中的酸洗工装有效加电，有利于混合酸优选与芯片突出部分反应，消除尖端凸起，降低尖端放电导致芯片性能失效。
27、3、本申请通过降温腔的设置，使酸洗工装在酸洗槽内进行酸洗处理时，降温腔内的冷却水能够持续对酸洗槽内的酸洗液进行降温，使酸洗液持续处于18-25℃，使酸液能够充分对芯片进行腐蚀。
1.一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述步骤s2中的混合酸包括质量比为9:9:12:4的hno3、hf、ch3cooh以及h2so4。
3.根据权利要求2所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述步骤s3中的通电处理的时长为60-90s。
4.根据权利要求3所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述步骤s3中的通电处理的电流强度为0.4-0.6a。
5.根据权利要求4所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述酸洗处理包括5-6工位，在最后2工位进行通电处理。
6.根据权利要求5所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述通电处理中，镀镍探针直接与混合酸接触。
7.根据权利要求1所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述酸洗机包括：
8.根据权利要求1所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述钝化处理中使用钝化液，所述钝化液包括质量比为1:4的磷酸以及双氧水。
9.根据权利要求1所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述钝化处理的温度为80-90℃。
10.根据权利要求1所述的一种通电去毛刺的酸洗工艺，其特征在于：所述钝化处理的时间为60-90s。
