本发明涉及基板处理装置、基板的制造处理等。
背景技术：
1、在专利文献1中记载了将含有升华性物质的基板载置在处理室内的基板保持部，通过在处理室内加热使升华性物质蒸发，由此从基板除去升华性物质的基板处理装置。在处理室经由连结部连结有真空泵，在真空泵与处理室之间设有检测器。检测器检测由于升华性物质的升华而产生的气化气体。如果由检测器检测出的气化气体的浓度为规定值以上，则能够判断为升华性物质正在升华。另一方面，如果由检测器检测出的气化气体的浓度小于规定值，则能够判断为升华性物质的升华结束。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2016-25233号公报
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、在进行使基板所具有的膜干燥的处理的装置中，该处理结束的时刻能够以确保膜充分干燥的方式决定。但是，尽管膜充分干燥，但如果该检测延迟，则干燥处理花费必要以上的时间，难以提高处理量。
3、另外，在对基板赋予使溶质分散于混合了多种溶剂的混合溶剂而成的墨，使其干燥而形成固体膜的情况下，由于蒸发速度根据溶剂的种类而不同，因此，蒸发的进展状况随时间而变化。施加在基板上的墨的体积和粘度随着混合溶剂的蒸发进展而变化，但如果不适当地管理干燥处理的条件，则蒸发速度会急剧变化，有时干燥后的固体膜的表面形状和形态不稳定。在这一点上，即使通过检测器检测腔室内的总压力来控制干燥处理，也不能适当地管理混合溶剂的干燥的进展。
4、因此，要求以高的处理量适当地处理基板的干燥的技术。
5、用于解决课题的方案
6、本发明的第一方式是基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具备：腔室；减压机构，对所述腔室的内部进行减压；基板保持部，在所述腔室的内部保持具有膜的基板；挡板罩，在所述腔室的内部覆盖由所述基板保持部保持的所述基板；气体分析部，具备分压真空计；以及控制部，所述气体分析部构成为能够单独检测存在于由所述基板保持部和所述挡板罩包围的基板收容空间中的气体和存在于所述腔室和所述挡板罩之间的内部空间中的气体，所述控制部使用所述减压机构对所述腔室的内部进行减压，使用从所述气体分析部取得的所述基板收容空间中的特定的气体成分的检测结果和所述内部空间中的所述特定的气体成分的检测结果，判定与所述特定的气体成分有关的所述膜的干燥的结束。
7、另外，本发明的第二方式是基板的处理方法，是使用基板处理装置的基板的处理方法，其特征在于，所述基板的处理方法具备：将具有膜的基板载置在配置在腔室的内部的基板保持部的工序；用挡板罩覆盖载置在所述基板保持部的所述基板的工序；对所述腔室的内部进行减压而使所述膜干燥的工序；使用具备分压真空计的气体分析部，单独地检测存在于由所述基板保持部和所述挡板罩包围的基板收容空间中的气体和存在于所述腔室和所述挡板罩之间的内部空间中的气体的工序；以及判定工序，使用所述基板收容空间中的特定的气体成分的检测结果和所述内部空间中的所述特定的气体成分的检测结果，判定与所述特定的气体成分有关的所述膜的干燥的结束。
8、发明的效果
9、本发明提供一种能够以高的处理量适当处理基板的干燥的技术。
1.一种基板处理装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
14.一种基板的处理方法，是使用基板处理装置的基板的处理方法，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的基板的处理方法，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的基板的处理方法，其特征在于，
17.根据权利要求14～16中任一项所述的基板的处理方法，其特征在于，
18.根据权利要求17所述的基板的处理方法，其特征在于，
19.一种物品的制造方法，其特征在于，
20.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，
21.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，
