本发明公开的实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到极限，已提出了在基板上方以三维结构层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种三维半导体装置的结构和操作可靠性以及性能特性，开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可包括：多条字线；选择线；沟道层，其通过字线延伸到选择线中；浮置栅极，其在沟道层和选择线之间围绕沟道层的侧壁；以及电荷捕获层，其包括第一部分和第二部分，其中，第一部分在沟道层和字线之间围绕沟道层的侧壁，并且第二部分在沟道层和选择线之间围绕浮置栅极。
2、在实施方式中，一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括交替地层叠的第一导电层和绝缘层；第二导电层；隔离结构，其通过第二导电层延伸到栅极结构中；沟道层，其通过第二导电层延伸到栅极结构中，并且包括面向隔离结构的切割表面；以及浮置栅极，其部分地围绕沟道层并且位于沟道层和第二导电层之间。
3、在实施方式中，一种半导体装置可包括：源极线；位线；以及存储器串，其连接在源极线和位线之间，并且包括第一选择晶体管和存储器单元，第一选择晶体管包括电荷捕获层和浮置栅极，各个存储器单元包括电荷捕获层。
4、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成包括交替地层叠的第一材料层和绝缘层的层叠物；在层叠物上形成第二材料层；形成通过第二材料层延伸到层叠物中的第一开口；通过经由第一开口蚀刻第二材料层来形成第二开口；在第一开口和第二开口中形成第一存储器层；在第二开口中形成第二存储器层；以及在第一开口中形成沟道层。
5、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成包括交替地层叠的第一材料层和绝缘层的层叠物；在层叠物上形成第二材料层；形成沟道结构，该沟道结构包括通过第二材料层延伸到层叠物中的沟道层以及位于沟道层和第二材料层之间的浮置栅极；在层叠物中形成部分地切割沟道结构的沟槽；以及在沟槽中形成隔离结构。
6、从本发明的以下附图和详细描述，这些和其它特征和优点将变得技术人员更好理解。
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，选择晶体管位于所述沟道层和所述选择线彼此交叉的区域中，并且所述选择晶体管包括所述电荷捕获层和所述浮置栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，存储器单元位于所述沟道层和所述字线彼此交叉的区域中，并且各个所述存储器单元包括所述电荷捕获层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述选择线具有大于所述字线的高度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述字线各自包括金属，并且所述选择线包括多晶硅。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述字线和所述选择线各自包括金属。
9.一种半导体装置，该半导体装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述电荷捕获层在所述浮置栅极和所述第二导电层之间延伸。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
13.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二导电层和至少最下一个所述第一导电层是选择线，其它的所述第一导电层是字线。
15.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二导电层和至少最上一个所述第一导电层是选择线，其它的所述第一导电层是字线。
16.一种半导体装置，该半导体装置包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述存储器串包括第二选择晶体管，所述第二选择晶体管连接在所述第一选择晶体管和所述存储器单元之间并且包括所述电荷捕获层。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一选择晶体管是源极选择晶体管，所述源极选择晶体管控制所述源极线和所述存储器串之间的连接。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一选择晶体管是漏极选择晶体管，所述漏极选择晶体管控制所述位线和所述存储器串之间的连接。
20.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述第一存储器层包括电荷捕获层，并且所述第二存储器层包括浮置栅极。
22.根据权利要求20所述的制造方法，其中，形成所述第一存储器层的步骤包括以下步骤：
23.根据权利要求20所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
24.根据权利要求20所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求20所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
26.根据权利要求25所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
27.根据权利要求25所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
28.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的制造方法，其中，形成所述沟道结构的步骤包括以下步骤：
30.根据权利要求29所述的制造方法，其中，当形成所述沟槽时，对所述电荷捕获层、所述浮置栅极和所述沟道层进行蚀刻。
31.根据权利要求29所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
