本公开的实施方式涉及一种电子装置，更具体地说，涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。
背景技术：
1、半导体器件的集成度主要由单位存储单元占据的面积决定。近来，随着用于在基板上形成单层存储单元的半导体器件的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储单元的三维半导体器件。此外，为了提高这种半导体器件的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体器件可以包括：第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极线、包括第一焊盘的第一阶梯结构、位于所述第一栅极线与所述第一阶梯结构之间的第一间隙填充绝缘层以及分别连接所述第一栅极线和所述第一焊盘的第一布线；以及第二栅极结构，所述第二栅极结构包括位于所述第一栅极线上的第二栅极线、位于所述第一间隙填充绝缘层上且包括第二焊盘的第二阶梯结构、位于所述第一阶梯结构上的第二间隙填充绝缘层以及分别连接所述第二栅极线和所述第二焊盘的第二布线。
2、在实施方式中，一种半导体器件可以包括：层叠的第一栅极线；第一阶梯结构，所述第一阶梯结构包括与所述第一栅极线连接的第一焊盘；第一间隙填充绝缘层，所述第一间隙填充绝缘层位于所述第一栅极线与所述第一阶梯结构之间；层叠的第二栅极线；第二阶梯结构，所述第二阶梯结构包括与所述第二栅极线连接的第二焊盘；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述第一栅极线和所述第二栅极线；以及支撑件，所述支撑件延伸穿过所述第二阶梯结构和所述第一间隙填充绝缘层。
3、在实施方式中，一种半导体器件的制造方法可以包括：形成第一层叠物；在所述第一层叠物中形成第一阶梯结构；在所述第一层叠物中形成第一间隙填充绝缘层；在所述第一层叠物上形成第二层叠物；在所述第二层叠物中形成位于所述第一间隙填充绝缘层上的第二阶梯结构；以及形成延伸穿过所述第二阶梯结构和所述第一间隙填充绝缘层的支撑件。
4、在实施方式中，一种半导体器件的制造方法可以包括：形成第一层叠物，所述第一层叠物包括第一单元区域、第二单元区域、位于所述第一单元区域与所述第二单元区域之间的阶梯区域、位于所述第一单元区域与所述阶梯区域之间的第一非阶梯区域以及将所述阶梯区域共同连接至所述第一单元区域和所述第二单元区域的布线区域；在所述阶梯区域中形成第一阶梯结构；在所述第一非阶梯区域中形成第一间隙填充绝缘层；在所述第一层叠物上形成第二层叠物；在所述第二层叠物中形成位于所述第一间隙填充绝缘层上的第二阶梯结构；以及形成延伸穿过所述第二阶梯结构和所述第一间隙填充绝缘层的第一支撑件。
5、本领域技术人员将根据以下附图和本发明的各种实施方式的详细描述更好地理解本发明的这些和其它特征及优点。
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线沿着所述第一阶梯结构的侧壁和所述第一间隙填充绝缘层的侧壁延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一布线将所述第三焊盘共同连接至所述第一栅极线和所述第三栅极线。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一布线沿着所述第三阶梯结构的侧壁和所述第三间隙填充绝缘层的侧壁延伸。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二布线将所述第二焊盘共同连接至所述第二栅极线和所述第四栅极线，并且
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二布线沿着所述第二间隙填充绝缘层的侧壁和所述第四阶梯结构的侧壁延伸。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
16.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
17.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
18.根据权利要求17所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述外围电路包括：
20.根据权利要求17所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
21.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，形成所述支撑件的步骤包括以下步骤：
23.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述第一层叠物包括：
24.根据权利要求23所述的制造方法，其中，在所述阶梯区域中形成所述第一阶梯结构，并且在所述非阶梯区域中形成所述第一间隙填充绝缘层。
25.根据权利要求23所述的制造方法，其中，当形成所述第一阶梯结构时，在所述非阶梯区域中形成第一沟槽，并且在所述第一沟槽中形成所述第一间隙填充绝缘层。
26.根据权利要求23所述的制造方法，其中，形成所述第一阶梯结构的步骤包括以下步骤：
27.根据权利要求23所述的制造方法，其中，形成所述第一间隙填充绝缘层的步骤包括以下步骤：
28.根据权利要求21所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的制造方法，其中，当形成所述第二阶梯结构时，在所述第二层叠物中形成位于所述第一阶梯结构上的第二沟槽，并且在所述第二沟槽中形成所述第二间隙填充绝缘层。
30.根据权利要求21所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
31.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
32.根据权利要求31所述的制造方法，其中，形成所述第一支撑件的步骤包括以下步骤：
33.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述第二层叠物包括位于所述第一阶梯结构上的第二非阶梯区域，并且
34.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述第一层叠物包括位于所述阶梯区域与所述第二单元区域之间的第三非阶梯区域，并且
35.根据权利要求34所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
