本文的描述涉及带电粒子束装置领域，并且更具体地涉及用于带电粒子检查系统的晶片边缘检查。
背景技术：
1、电粒子束装置能够通过检测由带电粒子束装置产生的带电粒子束撞击晶片衬底表面时产生的次级电子、背散射电子、镜像电子或其他类型的电子来产生晶片衬底的二维图像。各种带电粒子束装置用于半导体工业中的半导体晶片，以用于各种目的，诸如晶片处理(例如，电子束直写光刻系统)、过程监控(例如，关键尺寸扫描电子显微镜(cd-sem))、晶片检查(例如，电子束检查系统)、缺陷分析(例如，缺陷检查sem，或称为dr-sem和聚焦离子束系统，或称为fib)等。
2、在晶片检查期间，可以发现并去除晶片中任何潜在的缺陷，以便在后续阶段在晶片中形成无瑕疵的结构。在晶片检查过程期间，晶片可以被放置在晶片保持器(台)上的导电环(也称为高压(hv)环结构)内。导电环也可以称为补偿环。通常会在该导电环上施加补偿电压，以进一步减少晶片外部部分附近的电场的畸变，从而减少该区域扫描图像的错位和分辨率下降。然而，即使有这样的补偿，错位和分辨率下降仍然不能被充分减少。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了用于在带电粒子束系统中检查样品的边缘的系统和方法。
2、一些实施例提供了一种用于减少晶片的外部部分附近的电场畸变的系统，包括：晶片保持器，其包括被配置为保持晶片的保持部分，该晶片具有第一外径；第一导电电极，其被配置为围绕晶片，该第一导电电极具有第二内径和第三外径，该第二内径大于第一外径；第二导电电极，被配置为环绕第一导电电极，第二导电环具有大于第二内径的第四内径；第一电压源、第二电压源和第三电压源，该第一电压源连接到第一导电电极，第二电压源连接到第二导电电极，第三电压源连接到晶片；以及控制器，被配置为控制第一电压源、第二电压源和第三电压源中的每一者分别以第一电压、第二电压和第三电压工作；其中选择第一电压、第二电压和第三电压以减少晶片的外部部分的电场畸变，并且第一电压、第二电压和第三电压彼此不同。
3、一些实施例提供了一种非暂态计算机可读介质，该介质存储指令集，该指令集可由设备的至少一个处理器执行，以使该设备执行一种方法，包括：将晶片装载到包括保持部分的晶片保持器上，该晶片具有第一外径；向环绕该保持部分的第一导电电极施加第一电压，第一导电电极具有第二内径和第三外径，第二内径大于第一外径；向环绕第一导电电极的第二导电电极施加第二电压，第二导电电极具有大于第二内径的第四内径；以及向晶片施加第三电压；其中选择第一电压、第二电压和第三电压以减少晶片的外部部分的电场的畸变，并且第一电压、第二电压和第三电压彼此不同。
4、所公开实施例的其他目的和优点将部分地在以下描述中阐述，部分地从描述中显而易见，或者可以通过实施例的实践来了解。所公开实施例的一些目的和优点可以通过权利要求中阐述的要素和组合来实现和获得。然而，本公开的实施例不一定需要实现这些示例性目的或优点，并且一些实施例可能不实现任何所述目的或优点。
5、应当理解，前述一般描述和以下详细描述仅是示例性和解释性的，并且不限制所公开的实施例，如所要求保护的。
1.一种用于减少晶片的外部部分附近的电场畸变的系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二电压高于所述第一电压。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第三电压高于所述第一电压。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一导电电极或所述第二导电电极具有固定位置。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一导电电极或所述第二导电电极在第一方向上是可移动的。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一方向是径向方向或高度方向。
7.根据权利要求1所述的系统，其中
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一上表面或所述第二上表面被配置为基本上与所述晶片的上表面齐平或高于所述晶片的所述上表面。
9.根据权利要求7所述的系统，还包括所述第一上表面和所述晶片的上表面之间的第一高度差。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一导电电极或所述第二导电电极是导电环。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一导电电极或所述第二导电电极是非导电材料上的导电涂层。
12.根据权利要求11所述的系统，其中所述非导电材料是所述晶片保持器的围绕所述保持部分的部分。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一导电电极或所述第二导电电极被分成包括第一段和第二段的段。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述第一段相对于所述第二段是可移动的。
15.一种非暂态计算机可读介质，存储指令集，所述指令集能够由设备的至少一个处理器执行，以使所述设备执行一种方法，所述方法包括：
