本发明涉及层叠陶瓷电子部件。
背景技术：
1、作为层叠陶瓷电子部件，已知具有陶瓷层和配置于陶瓷层之间的边界的电极的构成的层叠陶瓷电子部件。
2、专利文献1中公开了在以ba－nd－ti系氧化物、镁橄榄石、硼硅酸钡系的玻璃、mno为主材的陶瓷中使用cu作为内部电极的电子部件的制造方法。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2013－134999号公报
技术实现思路
1、专利文献1中记载了当同时煅烧由异种材料构成的陶瓷层和内部电极时，内部电极具有抑制相互扩散的作用，但这反而导致在没有内部电极的部分集中发生相互扩散的结果，导致因陶瓷的变质而在内部电极、陶瓷层易于发生变形的不良情况。
2、作为上述不良情况的解决方法，专利文献1中记载了如下方法：通过使内部电极包含与陶瓷层中所含的成分相同的成分，在煅烧时缩小在有内部电极的部分和没有内部电极的部分可能产生的相互扩散的差异，缓和没有内部电极的部分的相互扩散的集中。而且，据说通过上述方法，抑制异种陶瓷之间、陶瓷－内部电极之间的相互扩散，提高异种陶瓷之间的密合性和结构可靠性。
3、然而，在专利文献1记载的方法中，由于陶瓷－内部电极之间的相互扩散也被抑制，所以产生了陶瓷与内部电极之间的密合强度降低的问题。
4、因此，本发明的目的在于提供一种陶瓷层与电极之间的密合强度高的层叠陶瓷电子部件。
5、本发明的层叠陶瓷电子部件是具备陶瓷层和与上述陶瓷层接触的电极的层叠陶瓷电子部件，上述陶瓷层中所含的陶瓷包含ba－nd－ti系氧化物、镁橄榄石、硼硅酸钡系玻璃和mno，在上述陶瓷层与上述电极接触的界面，在上述陶瓷层存在nd偏在的nd偏在部。
6、根据本发明，可以提供陶瓷层与电极之间的密合强度高的层叠陶瓷电子部件。
1.一种层叠陶瓷电子部件，是具备陶瓷层和与所述陶瓷层接触的电极的层叠陶瓷电子部件，
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，ba－nd－ti系氧化物在所述陶瓷层的内部扩展。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件，其中，在所述陶瓷层与所述电极接触的界面的整周上存在nd偏在部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷层包含钡长石，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述nd偏在部的nd、ti、ba的各元素浓度为所述陶瓷层的所述nd偏在部以外的部分的nd、ti、ba的各元素浓度的2倍以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷层包含多个陶瓷层，在邻接的陶瓷层之间的界面不存在nd偏在部。
7.根据权利要求6所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述多个陶瓷层包含组成不同的第一陶瓷层和第二陶瓷层，在邻接的所述第一陶瓷层与所述第二陶瓷层的界面不存在nd偏在部。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷层包含cao。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述电极包含cu。
