一种全自动放射性药物合成器优化校准方法及系统与流程

    专利查询2025-05-15  27


    本发明涉及化学或物理有关设备的,具体涉及一种全自动放射性药物合成器优化校准方法及系统。


    背景技术:

    1、放射性药物在医疗领域中扮演着重要角色,可用于诊断和治疗多种疾病;全自动放射性药物合成器则是专业用于在临床和研究领域中生产放射性药物一种关键的医疗设备。放射性药物的合成需要高度精确的控制,以确保放射性药物的合成过程能够安全、精确地进行,符合临床研究的质量标准和安全要求,则对于药物合成器的优化校准至关重要。

    2、现有技术中主要是利用全自动放射性药物合成器的内置控制系统,实时监测并反馈调节以优化合成过程,但由于全自动放射性药物合成器的自动优化调整通常基于系统设定参数进行校准优化,无法根据实际药物反应进程进行调整,从而导致优化校准效果不佳。


    技术实现思路

    1、为了解决现有技术中放射性药物合成器优化校准效果不佳的技术问题,本发明的目的在于提供一种全自动放射性药物合成器优化校准方法及系统,所采用的技术方案具体如下:

    2、本发明提出一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,所述方法包括:

    3、获取放射性药物合成过程中的监测数据,所述监测数据包括放射性药物合成器在每个待优化校准时刻的预设历史时段内的所有电压数据及所有辐射能谱;

    4、根据所述电压数据的波动情况,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的性能不稳定参数;根据所有所述辐射能谱中特征峰的峰值水平及峰值变化情况,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的辐射危害参数;获取每个所述辐射能谱的预设标准能谱,根据每个所述辐射能谱与对应预设标准能谱之间的特征峰差异,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的反应不良参数;

    5、根据所述辐射危害参数及所述反应不良参数,结合所述性能不稳定参数,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的优化校准参数;在每个待优化校准时刻下,根据所述优化校准参数调整放射性药物合成过程。

    6、进一步地,所述辐射危害参数的获取方法包括:

    7、根据每个所述辐射能谱中所有所述特征峰的峰值差异,获取每个所述辐射能谱对应时刻下药物合成器的反应条件不稳定性,所述峰值差异与所述反应条件不稳定性正相关;

    8、根据每个所述辐射能谱中所有所述特征峰的峰值相对预设标准辐射的强度差异,获取每个所述辐射能谱对应时刻下药物合成器的辐射风险参数,所述强度差异与所述辐射风险参数负相关;

    9、根据所述反应条件不稳定性及所述辐射风险参数,获取每个所述辐射能谱对应时刻下药物合成器的辐射危害子参数,所述反应条件不稳定性及所述辐射风险参数均与所述辐射危害子参数正相关;综合所有所述辐射能谱对应时刻下药物合成器的所述辐射危害子参数,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的辐射危害参数。

    10、进一步地,所述反应条件不稳定性的获取方法包括:

    11、在每个所述辐射能谱中,将所有不同两个所述特征峰之间的峰值差值绝对值求均,得到反应条件不稳定性。

    12、进一步地,所述辐射风险参数的获取方法包括:

    13、在每个所述辐射能谱中,分别获取预设标准辐射与每个所述特征峰的峰值之间的强度差值,将每个强度差值均进行归一化,得到所有归一化值;将所有归一化值的均值进行负相关映射,将负相关映射结果作为辐射风险参数。

    14、进一步地,所述反应不良参数的获取方法包括:

    15、将每个所述辐射能谱与对应预设标准能谱进行对比,获取每个所述辐射能谱中的额外峰;所述额外峰为所述辐射能谱中不存在于对应预设标准能谱中的特征峰,综合所有所述辐射能谱中的所述额外峰的数量,获取反应不良参数。

    16、进一步地,所述优化校准参数的获取方法包括:

    17、根据所述辐射危害参数及所述反应不良参数获取初始优化校准参数,所述辐射危害参数及所述反应不良参数均与所述初始优化校准参数正相关;将所述性能不稳定参数负相关映射后的结果作为所述初始优化校准参数的置信权重,利用所述置信权重对所述初始优化校准参数进行加权,将加权结果的归一化结果作为优化校准参数。

    18、进一步地,所述初始优化校准参数的获取方法包括:

    19、将所述辐射危害参数及所述反应不良参数的平方和进行二次开根运算,得到初始优化校准参数。

    20、进一步地,所述在每个待优化校准时刻下,根据所述优化校准参数调整放射性药物合成过程的方法包括:

    21、调整过程至少包括反应环境温度的调节;

    22、所述反应环境温度的调节过程,包括:获取预设历史时段内的平均环境温度,将所述平均环境温度与所述优化校准参数的乘积作为降温幅度,将所述平均环境温度减去所述降温幅度,得到优化校准温度,将待优化校准时刻的温度调整至所述优化校准温度。

    23、进一步地,所述预设历史时段的获取方法包括:

    24、将每个待优化校准时刻与相邻上一待优化校准时刻之间的时间段,作为预设历史时段;所述预设历史时段内包括待优化校准时刻,不包括相邻上一待优化校准时刻。

    25、本发明还提出一种全自动放射性药物合成器优化校准系统,所述系统包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现所述一种全自动放射性药物合成器优化校准方法的步骤。

    26、本发明具有如下有益效果:

    27、本发明实施例首先获取放射性药物合成过程中的监测数据,监测数据包括放射性药物合成器在每个待优化校准时刻的预设历史时段内的所有电压数据及所有辐射能谱;根据电压数据的波动情况,获取药物合成器的性能不稳定参数;进一步根据所有辐射能谱中特征峰的峰值水平及峰值变化情况,获取药物合成器的辐射危害参数;进一步获取每个辐射能谱的预设标准能谱,根据每个辐射能谱与对应预设标准能谱之间的特征峰差异,获取药物合成器的反应不良参数;根据辐射危害参数及反应不良参数,结合性能不稳定参数,获取每个待优化校准时刻下药物合成器的优化校准参数;最终在每个待优化校准时刻下,根据优化校准参数调整放射性药物合成过程。本发明在药物合成器的性能稳定情况的基础上,分析药物合成过程中辐射危害及反应产物等反应情况,根据实际药物反应进程对药物合成器进行优化校准,提高了对药物合成器的优化校准效果。



    技术特征:

    1.一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根据权利要求1中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述辐射危害参数的获取方法包括:

    3.根据权利要求2中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述反应条件不稳定性的获取方法包括:

    4.根据权利要求2中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述辐射风险参数的获取方法包括:

    5.根据权利要求1中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述反应不良参数的获取方法包括:

    6.根据权利要求1中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述优化校准参数的获取方法包括:

    7.根据权利要求6中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述初始优化校准参数的获取方法包括:

    8.根据权利要求1中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述在每个待优化校准时刻下,根据所述优化校准参数调整放射性药物合成过程的方法包括:

    9.根据权利要求1中所述的一种全自动放射性药物合成器优化校准方法,其特征在于,所述预设历史时段的获取方法包括:

    10.一种全自动放射性药物合成器优化校准系统,其特征在于,所述系统包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1~9任意一项所述一种全自动放射性药物合成器优化校准方法的步骤。


    技术总结
    本发明涉及化学或物理有关设备的技术领域,具体涉及一种全自动放射性药物合成器优化校准方法及系统。本发明首先获取放射性药物合成过程中的监测数据,监测数据包括放射性药物合成器在每个待优化校准时刻的预设历史时段内的所有电压数据及所有辐射能谱;进一步获取药物合成器的性能不稳定参数、辐射危害参数及反应不良参数;从而综合获取每个待优化校准时刻下药物合成器的优化校准参数;根据优化校准参数调整放射性药物合成过程。本发明在药物合成器的性能稳定情况的基础上,分析药物合成过程中辐射危害及反应产物等反应情况,根据实际药物反应进程对药物合成器进行优化校准,提高了对药物合成器的优化校准效果。

    技术研发人员:庞燕,梁万胜,邵亚辉
    受保护的技术使用者:陕西正泽生物技术有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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