本发明涉及晶圆，具体涉及一种外延前晶圆表面处理方法及装置。
背景技术：
1、在半导体制造过程中，晶圆表面的质量直接影响后续外延生长及器件性能。因此，晶圆表面的处理工艺对生产效率和产品良率起到至关重要的作用。目前，常规的晶圆表面处理方法主要依赖于单一的检测技术和简单的表面清洗手段，无法有效识别和处理微小的表面瑕疵，特别是那些涉及痕量元素和表面微纳结构的瑕疵。此外，现有的处理方法通常缺乏针对性，容易在处理过程中造成交叉感染，影响晶圆整体的表面质量，进而降低生产效率。因此，亟需一种更为智能化和精确的晶圆表面处理方法，能够在不损伤晶圆的前提下，实时监测、识别并优化处理表面瑕疵，从而提高产品的整体质量和生产效率。
技术实现思路
1、本申请提供了一种外延前晶圆表面处理方法及装置，解决了现有技术中晶圆表面瑕疵处理效率较低的技术问题。
2、鉴于上述问题，本申请提供了一种外延前晶圆表面处理方法及装置。
3、本申请的第一个方面，提供了一种外延前晶圆表面处理方法，所述方法包括：
4、设定预设入射角度，基于荧光光谱仪对目标晶圆进行x射线全反射扫描，探测器捕捉并生成所述目标晶圆的三维映射光谱；调用表面检测记录，以痕量元素、表面化学状态与微纳结构为识别维度，预处理所述表面检测记录，数据驱动监督训练表面检测模块，其中，预处理结果包含维度检测架构与预处理样本；接收所述三维映射光谱，基于所述表面检测模块进行瑕疵要素识别与整合，确定表面瑕疵分布，其中，各分布瑕疵标识有相对空间位置；协同干法处理方式与湿法处理方式，遍历所述表面瑕疵分布进行单项瑕疵处理决策，以交叉感染为约束进行全局性寻优，确定表面处理策略，所述表面处理策略包含多处理节点；设备组响应所述表面处理策略，对所述目标晶圆进行预定位与瑕疵处理。
5、本申请的第二个方面，提供了一种外延前晶圆表面处理装置，所述装置包括：
6、扫描组件，所述扫描组件用于设定预设入射角度，基于荧光光谱仪对目标晶圆进行x射线全反射扫描，探测器捕捉并生成所述目标晶圆的三维映射光谱；预处理组件，所述预处理组件用于调用表面检测记录，以痕量元素、表面化学状态与微纳结构为识别维度，预处理所述表面检测记录，数据驱动监督训练表面检测模块，其中，预处理结果包含维度检测架构与预处理样本；识别组件，所述识别组件用于接收所述三维映射光谱，基于所述表面检测模块进行瑕疵要素识别与整合，确定表面瑕疵分布，其中，各分布瑕疵标识有相对空间位置；寻优组件，所述寻优组件用于协同干法处理方式与湿法处理方式，遍历所述表面瑕疵分布进行单项瑕疵处理决策，以交叉感染为约束进行全局性寻优，确定表面处理策略，所述表面处理策略包含多处理节点；表面处理组件，所述表面处理组件用于设备组响应所述表面处理策略，对所述目标晶圆进行预定位与瑕疵处理。
7、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
8、首先，设定预设入射角度，基于荧光光谱仪对目标晶圆进行x射线全反射扫描，探测器捕捉并生成目标晶圆的三维映射光谱。接着，调用表面检测记录，以痕量元素、表面化学状态与微纳结构为识别维度，预处理表面检测记录，数据驱动监督训练表面检测模块，其中，预处理结果包含维度检测架构与预处理样本。进一步，接收三维映射光谱，基于表面检测模块进行瑕疵要素识别与整合，确定表面瑕疵分布，其中，各分布瑕疵标识有相对空间位置。然后，协同干法处理方式与湿法处理方式，遍历表面瑕疵分布进行单项瑕疵处理决策，以交叉感染为约束进行全局性寻优，确定表面处理策略，表面处理策略包含多处理节点。最后，设备组响应表面处理策略，对目标晶圆进行预定位与瑕疵处理。解决了现有技术中晶圆表面瑕疵处理效率较低的技术问题，通过优化表面处理策略，达到了提高晶圆表面瑕疵处理效率的技术效果。
1.一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，所述设定预设入射角度，包括：
3.如权利要求1所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，预处理所述表面检测记录，包括：
4.如权利要求3所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，确定所述维度检测架构与所述预处理样本，包括：
5.如权利要求1所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，遍历所述表面瑕疵分布进行单项瑕疵处理决策，以交叉感染为约束进行全局性寻优，包括：
6.如权利要求5所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，基于策略交叉污染进行全局性迭代寻优，包括：
7.如权利要求6所述的一种外延前晶圆表面处理方法，其特征在于，所述进行循环判断与策略转移，包括：
8.一种外延前晶圆表面处理装置，其特征在于，用于实施权利要求1-7任意一项所述的一种外延前晶圆表面处理方法，所述装置包括：
