本发明涉及划片刀的制备，公开了一种划片刀电镀液组合物及其制备方法。
背景技术：
1、在半导体封装制造过程中，有一道工序称为划片，是用以金刚石为磨料、电镀镍为粘合剂的划片刀对芯片单元进行切割分离，这是一种高精度加工，对芯片质量及成本有重要影响。
2、随着芯片尺寸的微型化和集成化发展，芯片厚度在向两个极端发展，一类是变薄，另一类是变厚。薄的芯片要求在划片过程中受到的冲击力要小，进刀速度较快，有的速度高达180mm/s，这就要求划片刀刀刃要有足够的强度，否则很容易出现蛇形切割；而厚的芯片在划片过程中最容易出现的问题是斜切，这主要是由于刀刃强度不够和刀刃由于内应力产生变形造成的。
3、在芯片划片过程中为了消除静电，会向切割冷却水中加入二氧化碳气体，以使冷却水呈弱酸性，这就会对划片刀的粘合剂产生腐蚀，从而造成划片刀刀刃破裂，影响划片过程的正常进行。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种划片刀电镀液组合物及其制备方法，针对上述情况，为解决现有技术之缺陷，本发明之目的就是提供一种划片刀电镀液组合物及其制备方法，提高划片刀的强度、降低划片刀的内应力、提高划片刀的耐腐蚀。
2、为了解决上述技术问题，本发明首先提供了一种划片刀电镀液组合物，所述电镀液组合物的配方包括以下组分：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。
3、本发明首先还提供了一种划片刀电镀液组合物的制备方法，所述方法包括将以下组分混合：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。
4、本发明还提供了一种划片刀的制备方法，所述方法包括以下步骤：
5、提供一基体；
6、于所述基体上电镀金刚石得到划片刀粗品；
7、对所述划片刀粗品进行修整、抛光、开刃得到所述划片刀；
8、其中，所述电镀用的电镀液组合物包括以下组分：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l 2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。
9、较为优化地，所述基体在5％的氢氧化钠中碱洗2分钟、5％的硝酸中酸洗40秒、dsn-4沉锌剂中沉锌1分钟。
10、较为优化地，所述基体为铝基体。
11、较为优化地，所述基体在电镀之前经过碱洗、酸洗以及沉锌的步骤。
12、较为优化地，所述电镀参数包括：ph为3.5～4.5，温度为40℃～45℃，电流密度为1.6～3.5asd。
13、较为优化地，所述电镀金刚石包括在电镀槽中加入人造金刚石微粉搅拌，所述搅拌方式为阴极移动。
14、较为优化地，所述划片刀粗品修整包括对所述基体进行线切割、斜车以及蚀刻。
15、较为优化地，进行所述蚀刻时，采用氢氧化钠蚀刻液。
16、较为优化地，所述抛光包括使用抛光液，所述抛光液为50％磷酸和50％硫酸的混合液。
17、与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
18、1.划片刀的电镀液配方选用含硫带苯环的初级、次级光亮剂即苯二磺酸、2-巯基苯并咪唑，以及硬化剂二苯磺酰基丙胺获得了维氏硬度高达650～700的电沉积镍结合剂。
19、2.加入了一种调节镀层内应力的添加剂苯亚磺酸钠，使得电沉积镍的内应力接近于0。
20、3.对电镀液配方及电镀参数进行了配方设计，大大减少了镀层的空隙率，提高了耐腐蚀性能，使划片刀在整个使用生命周期中的腐蚀非常轻微，质量稳定。
1.一种划片刀电镀液组合物，其特征在于，所述电镀液组合物的配方包括以下组分：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。
2.一种划片刀电镀液组合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括将以下组分混合：45～90g/l氨基磺酸镍，5～15g/l氯化镍，30～45g/l硼酸，10～15g/l苯二磺酸，10～15g/l2-巯基苯并咪唑，5～10g/l二苯磺酰基丙胺，0.1～0.5g/l苯亚磺酸钠，4～8ml/l十二烷基磺酸钠。
3.一种划片刀的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述基体为铝基体。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述基体在电镀之前经过碱洗、酸洗以及沉锌的步骤。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述电镀参数包括：ph为3.5～4.5，温度为40℃～45℃，电流密度为1.6～3.5asd。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述电镀金刚石包括在电镀槽中加入人造金刚石微粉搅拌，所述搅拌方式为阴极移动。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述划片刀粗品修整包括对所述基体进行线切割、斜车以及蚀刻。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：进行所述蚀刻时，采用氢氧化钠蚀刻液。
10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述抛光包括使用抛光液，所述抛光液为50％磷酸和50％硫酸的混合液。
