本申请属于硅片制造，具体涉及晶棒切割方法及硅片。
背景技术：
1、大面积硅片在单位产出芯片的数量和单位成本相较于小面积硅片更具有优势，因此，半导体硅衬底片的尺寸也向着大直径化发展。
2、然而，在硅片的切割过程中，大尺寸的晶棒由于直径较大，在切割过程中因为用线量设置的不合理会使得切割所得的硅片更容易产生质量问题。
技术实现思路
1、发明目的：本申请提供一种二次电池，用于解决针对因为用线量设置不合理而产生质量问题的技术问题；本申请的另一目的在于提供一种硅片。
2、技术方案，本申请提供了一种晶棒切割方法，控制切割线切割晶棒，所述切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；所述第一阶段具有第一用线量，所述第二阶段具有第二用线量；
3、其中，所述第一用线量由第一预设用线量l1增大至第二预设用线量l2；所述第二用线量由第二预设用线量l2降低至第三预设用线量l3。
4、在一些实施例中，所述切割方法进一步满足：
5、l1＝l3＜l2；或者
6、l1＜l3＜l2；或者
7、l3＜l1＜l2。
8、在一些实施例中，所述第一阶段包括m个依次进行的第一子阶段；所述第一子阶段的用线量为ax，x＝1，2，3，…，m；
9、所述第一阶段进一步满足：a1＝l1，am＝l2，m为大于等于2的正整数，x为小于等于m的正整数。
10、在一些实施例中，所述第一阶段进一步满足：ax≤ax+1。
11、在一些实施例中，所述第一阶段进一步满足：ax+1-ax＝δa，且所述δa随着x的增加先增大后减小。
12、在一些实施例中，所述第二阶段包括n个依次进行的第二子阶段；所述第二子阶段的用线量为bx，x＝1，2，3，…，n；
13、所述第二阶段进一步满足：b1＝l2，bn＝l3，n为大于等于2的正整数，x为小于等于n的正整数。
14、在一些实施例中，所述第二阶段进一步满足：bx≥bx+1。
15、在一些实施例中，所述第二阶段进一步满足：bx-bx+1＝δb，且所述δb随着x的增加先增大后减小。
16、在一些实施例中，所述切割完成后，还包括：检测切割后所得所有硅片的ttv值；
17、若所有的所述硅片的ttv值小于等于预设阈值，则维持所述第一用线量和所述第二用线量不变；
18、若所有的所述硅片中的至少一者的ttv值大于预设阈值，则对所述第一用线量和所述第二用线量进行调整。
19、在一些实施例中，
20、所述晶棒包括沿长度方向连接的第一部和第二部；所述切割线具有沿所述长度方向形成的新线端和旧线端，所述第一部朝向所述新线端，所述第二部朝向所述旧线端；
21、对所述第一用线量和所述第二用线量进行调整的步骤，进一步包括：
22、当切割所述第一部所得不合格硅片的数量小于切割所述第二部所得不合格硅片的数量，增大所述第一用线量和所述第二用线量；
23、当切割所述第一部所得不合格硅片的数量大于切割所述第二部所得不合格硅片的数量，减小所述第一用线量和所述第二用线量。
24、在一些实施例中，增大所述第一用线量和所述第二用线量的步骤，进一步包括：
25、令第一用线量为a，第二用线量为b，增大后的第一用线量为a’、增大后的第二用线量为b’；
26、所述a’和所述b’进一步满足：a’＝ya，b’＝yb，且1＜y，其中y为调整系数。
27、在一些实施例中，减小所述第一用线量和所述第二用线量的步骤，进一步包括：
28、令第一用线量为a，第二用线量为b，减小后的第一用线量为a’、减小后的第二用线量为b’；
29、所述a’和所述b’进一步满足：a’＝ya，b’＝yb，且0＜y＜1，其中y为调整系数。
30、相应的，本申请还提供一种硅片，使用如上述实施例中任一项所述的晶棒切割方法得到。
31、有益效果：与现有技术相比，本申请实施例提供的晶棒切割方法，控制切割线切割晶棒，切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；第一阶段具有第一用线量，第二阶段具有第二用线量；其中，第一用线量由第一预设用线量l1增大至第二预设用线量l2；第二用线量由第二预设用线量l2降低至第三预设用线量l3。本申请通过使得用线量先增大后减小，即先从第一预设用线量l1增大至第二预设用线量l2，再由第二预设用线量l2降低至第三预设用线量l3，能够使得晶棒在切割过程中，晶棒各处受到的切割力趋于相同，从而使得切割晶棒所得硅片的质量相近，避免因用线量设置不合理而产生质量不合格的硅片。
1.一种晶棒切割方法，其特征在于，控制切割线切割晶棒(1)，所述切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；所述第一阶段具有第一用线量，所述第二阶段具有第二用线量；
2.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述切割方法进一步满足：
3.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第一阶段包括m个依次进行的第一子阶段；所述第一子阶段的用线量为ax，x＝1，2，3，…，m；
4.根据权利要求3所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第一阶段进一步满足：ax≤ax+1。
5.根据权利要求4所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第一阶段进一步满足：ax+1-ax＝δa，且所述δa随着x的增加先增大后减小。
6.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第二阶段包括n个依次进行的第二子阶段；所述第二子阶段的用线量为bx，x＝1，2，3，…，n；
7.根据权利要求6所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第二阶段进一步满足：bx≥bx+1。
8.根据权利要求7所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述第二阶段进一步满足：bx-bx+1＝δb，且所述δb随着x的增加先增大后减小。
9.根据权利要求1所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述切割完成后，还包括：
10.根据权利要求9所述的晶棒切割方法，其特征在于，所述晶棒(1)包括沿长度方向连接的第一部(11)和第二部(12)；所述切割线具有沿所述长度方向形成的新线端和旧线端，所述第一部(11)朝向所述新线端，所述第二部(12)朝向所述旧线端；
11.根据权利要求10所述的晶棒切割方法，其特征在于，增大所述第一用线量和所述第二用线量的步骤，进一步包括：
12.根据权利要求10所述的晶棒切割方法，其特征在于，
13.一种硅片，其特征在于，使用由权利要求1-12中任一项所述的晶棒(1)切割方法得到。
