本申请涉及半导体存储器装置。
背景技术：
1、以dram(动态随机存取存储器)为代表的半导体存储器装置包含具有在字线和位线之间的交叉处设置的存储器单元的存储器单元阵列。半导体存储器装置可以包含分层结构的主字线和子字线。主字线是位于上层的字线，并且由行地址的第一部分选择。子字线是位于下层的字线，并且基于相对应的主字线(mwl)和字驱动器线(fxl)来选择，所述字驱动器线由行地址的第二部分选择。
2、可以将半导体存储器装置(例如，dram)中包含的存储器单元阵列划分为多个存储器垫(mat)，以减小子字线和位线的布线电容。每个存储器垫包含相应的主字线，使得当使用行地址的第一部分选择主字线时，还同时确定待选择的存储器垫。
3、子字线的驱动过程由子字驱动器执行，并且当子字线被驱动到高电势时，存储器单元耦合到相对应的位线。另一方面，在子字线被驱动到低电势期间，存储器单元和位线保持为截止状态。在将子字线驱动到高电势时，相对高的电压被提供给存储器垫的子字驱动器。相反，在将子字线驱动到低电势时，相对低的电压被提供给存储器垫的子字驱动器。
4、重复访问特定子字线(通常被称为“行锤”)可能会导致附近子字线中的数据退化速率的增加。期望减少行锤事件的影响。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供了一种设备，其包括：子字驱动器，其被配置成驱动子字线；和主字驱动器，其被配置成驱动耦合到所述子字驱动器的主字线，其中所述主字驱动器被配置成将所述主字线驱动到第一电势和低于所述第一电势的第二电势，其中所述主字线被配置成在所述第一电势和所述第二电势处选择所述子字驱动器。
2、另一方面，本公开提供了一种设备，其包括：子字驱动器，其被配置成驱动子字线；和主字驱动器，其被配置成驱动耦合到所述子字驱动器的主字线，其中所述主字驱动器被配置成：将所述主字线驱动到第一电势，其中在所述第一电势处选择所述子字驱动器；将所述主字线驱动到负电势，其中在所述负电势处选择所述子字驱动器；和将所述主字线驱动到大于所述第一电势和所述负电势的不同电势，其中在所述不同电势处取消选择所述子字驱动器。
3、另一方面，本公开提供了一种设备，其包括：主字驱动器，其被配置成将主字线驱动到第一电势并且被配置成在所述第一电势之后将所述主字线驱动到第二电势；和子字驱动器，其耦合到所述主字线并且被配置成由所述主字线的所述第一和第二电势启用以驱动子字线。
4、另一方面，本公开提供了一种方法，其包括：响应于激活命令而将主字线驱动到第一电势；和响应于预充电命令而将所述主字线驱动到第二电势，其中所述第二电势低于所述第一电势，并且在所述第一电势和所述第二电势处选择子字驱动器。
5、另一方面，本公开提供了一种方法，其包括：响应于激活命令而用第一电势启用子字线驱动器；和响应于预充电命令而用第二电势启用所述子字线驱动器，其中所述第二电势低于所述第一电势。
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括响应于所述激活命令而将所述主字线驱动到大于所述负电势的低电势。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述主字线在所述负电势和所述低电势处选择所述子字线的子字驱动器。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述主字线驱动到大于所述负电势和所述低电势的高电势。
5.根据权利要求4所述的方法，其中通过所述高电势禁用耦合到所述主字线的所述子字线的子字驱动器。
6.一种方法，其包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中在将所述字驱动器线驱动到所述第一非作用电势之前所述第二字驱动器线被驱动到所述作用状态。
8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括至少部分地响应于所述预充电命令而将主字线驱动到负电势。
9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括将所述子字线放电到所述第二非作用电势。
10.一种方法，其包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中在将所述字驱动器线驱动到所述第二非作用电势之后将所述第二字驱动器线驱动到所述非作用电势。
12.根据权利要求10所述的方法，其中在所述预充电命令之后接收所述作用复位信号。
13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
14.一种方法，其包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
16.根据权利要求14所述的方法，其中提供所述字驱动器线的所述作用电势、所述第一非作用电势或所述第二非作用电势中的至少一者包括将主字线驱动到第二作用电势。
17.根据权利要求14所述的方法，其中提供所述字驱动器线的所述第一非作用电势或所述第二非作用电势中的至少一者包括将主字线驱动到负电势。
18.一种方法，其包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括响应于所述激活命令而将所述主字线驱动到大于所述负电势的低电势。
20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括至少部分地响应于所述作用复位信号而将子字线驱动到低电势。
21.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
