本发明属于半导体，涉及一种电子源结构及制作方法。
背景技术：
1、随着半导体微细加工产业的发展，对电子束直写技术的要求越来越高，例如，保证精细图形成像准确性、提升直写速度等。高技术节点图形的成像既需要更精细、更准确地直写，还需要在图形数据量剧增的情况下实现高速直写，从精细图形的准确直写角度来讲，需要把电子束斑变小，以便进行精准扫描，在电流密度不变的情况下，把电子束斑变小就意味着把电子束的电流变小，其结果是导致直写时间变长。为了提高电子束直写设备单位时间内的生产能力，使用复数个电子束同时直写的多电子束直写机成为了必要的工具，多电子束直写机的直写电子束数量需要在几十万左右。
2、基于多孔硅材料可制备出电流密度大、电流准直度高、电子能量集中的电子源，并将其加工为密集电子源阵列，用于多电子束直写，在形成多束电子源阵列时，需要考虑：1)电子源阵列需要外部cmos控制电路提供驱动信号，为了减小信号延迟，提高直写速率，需要将其与cmos电路进行必要的封装互联，在制备电子源阵列时，需要考虑其与cmos电路的封装可实现性；2)对于阵列中不同区域的电子源，其发射的电子在直写设备中的运动路径是与位置相关的，通常情况下，需要对处于不同位置的电子源施加针对性的控制信号、偏置电压等，以调节电子初速、电子束流强度等，矫正因电子源位置导致的成像偏差、改良最终的电子束直写效果。
3、现有技术中，为了将多孔硅电子源器件与cmos共集成，需要先在soi衬底上制备多孔硅电子源阵列，再通过硅通孔工艺实现背电极引出，最后与cmos控制芯片进行键合。该方法工艺流程较为复杂，工艺难度大：1)在soi衬底上制备多孔硅材料比较困难；2)在soi衬底背部制备通孔的时候，需要与顶部器件进行对准；3)工艺流程采用了硅通孔，而穿过硅衬底的通孔直径比较大(比如>5μm)，这限制了电子源阵列的集成密度。
4、因此，如何提供一种电子源结构及制作方法，以提升工艺灵活性、降低工艺难度，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电子源结构及制作方法，用于解决现有技术中制备电子源时工艺流程较为复杂、工艺难度大的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电子源结构的制作方法，包括以下步骤：
3、提供第一基板，所述第一基板上形成有层叠的多孔层和第一导电层；
4、图形化所述第一导电层和所述多孔层，形成垂向贯穿所述第一导电层并延伸入所述多孔层的开口；
5、于所述第一导电层远离所述第一基板的一侧形成钝化层，且所述钝化层填充入所述开口中，并于所述钝化层中形成凹槽，所述凹槽显露所述第一导电层；
6、于所述钝化层远离所述第一基板的一侧形成第二导电层，所述第二导电层并填充入所述凹槽中与所述第一导电层电连接；
7、提供第二基板，将所述第二导电层键合于所述第二基板；
8、去除所述第一基板，于所述多孔层远离所述第二基板的一侧形成顶电极，所述顶电极与所述多孔层电连接。
9、可选地，所述开口垂向贯穿所述第一导电层并垂向贯穿所述多孔层。
10、可选地，所述多孔层包括层叠的第一多孔层和第二多孔层，所述第一多孔层的孔隙率大于所述第二多孔层的孔隙率；其中，所述开口垂向贯穿所述第一导电层并垂向贯穿所述第二多孔层；剥离所述第一多孔层以去除所述第一基板，并去除所述第二多孔层上残留的所述第一多孔层。
11、可选地，所述第二基板上设有绝缘层，所述第二导电层键合于所述绝缘层，其中，还包括形成背电极的步骤，所述背电极贯穿所述钝化层与所述第二导电层电连接。
12、可选地，形成所述第二导电层之前，还包括于所述钝化层中形成刻蚀槽的步骤，其中，所述第二导电层还填充入所述刻蚀槽中，所述背电极与位于所述刻蚀槽中的所述第二导电层电连接。
13、可选地，所述第二基板中设置有控制电路，所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接。
14、可选地，形成所述第二导电层后，还包括形成导电插塞的步骤，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层且与所述第二导电层绝缘隔离，将所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接，所述导电插塞与所述控制电路电连接，并且，所述顶电极与所述导电插塞电连接。
15、可选地，形成所述第二导电层后，还包括形成导电插塞的步骤，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层且与所述第二导电层绝缘隔离，将所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接，所述导电插塞与所述控制电路电连接，并且，形成所述顶电极后，还包括于所述钝化层上形成电场透镜的步骤，所述电场透镜与所述导电插塞电连接。
16、本发明还提供一种电子源结构，包括：
17、第二基板；
18、第二导电层，位于所述第二基板上；
19、第一导电层，位于所述第二导电层上，所述第一导电层与所述第二导电层电连接；
20、多孔层，位于所述第一导电层上；
21、钝化层，垂向贯穿所述多孔层和所述第一导电层；
22、顶电极，位于所述多孔层上与所述多孔层电连接。
23、可选地，所述第二基板与所述第二导电层之间还设置有绝缘层，所述电子源结构还包括背电极，所述背电极贯穿所述钝化层与所述第二导电层电连接。
24、可选地，所述钝化层中还设置有刻蚀槽，其中，所述第二导电层还位于所述刻蚀槽中，所述背电极与位于所述刻蚀槽中的所述第二导电层电连接。
25、可选地，所述第二基板中设置有控制电路，所述第二导电层与所述控制电路电连接。
26、可选地，还包括导电插塞，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层，所述导电插塞的一端与所述顶电极电连接，所述导电插塞的另一端与所述控制电路电连接。
27、可选地，还包括电场透镜，所述电场透镜位于所述钝化层上方，所述钝化层中设置有垂向贯穿所述钝化层的导电插塞，所述导电插塞的一端与所述电场透镜电连接，所述导电插塞的另一端与所述控制电路电连接。
28、如上所述，本发明的电子源结构及制作方法中，在有源层转移前于有源层开口中形成钝化层，钝化层能够作为支撑层提高有源层的机械强度，进一步提高有源层的转移成功率；另外，通过有源层的转移，提升了基板方案的灵活性，基板的材料类型、结构类型、功能类型可以灵活选配，提升了电子源与cmos系统、mems系统等其他辅助功能系统的集成灵活度。
1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述开口垂向贯穿所述第一导电层并垂向贯穿所述多孔层。
3.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述多孔层包括层叠的第一多孔层和第二多孔层，所述第一多孔层的孔隙率大于所述第二多孔层的孔隙率；其中，所述开口垂向贯穿所述第一导电层并垂向贯穿所述第二多孔层；剥离所述第一多孔层以去除所述第一基板，并去除所述第二多孔层上残留的所述第一多孔层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第二基板上设有绝缘层，所述第二导电层键合于所述绝缘层，其中，还包括形成背电极的步骤，所述背电极贯穿所述钝化层与所述第二导电层电连接。
5.根据权利要求4所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：形成所述第二导电层之前，还包括于所述钝化层中形成刻蚀槽的步骤，其中，所述第二导电层还填充入所述刻蚀槽中，所述背电极与位于所述刻蚀槽中的所述第二导电层电连接。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第二基板中设置有控制电路，所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接。
7.根据权利要求6所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：形成所述第二导电层后，还包括形成导电插塞的步骤，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层且与所述第二导电层绝缘隔离，将所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接，所述导电插塞与所述控制电路电连接，并且，所述顶电极与所述导电插塞电连接。
8.根据权利要求6所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：形成所述第二导电层后，还包括形成导电插塞的步骤，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层且与所述第二导电层绝缘隔离，将所述第二导电层与所述第二基板键合后，所述第二导电层与所述控制电路电连接，所述导电插塞与所述控制电路电连接，并且，形成所述顶电极后，还包括于所述钝化层上形成电场透镜的步骤，所述电场透镜与所述导电插塞电连接。
9.一种电子源结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的电子源结构，其特征在于：所述第二基板与所述第二导电层之间还设置有绝缘层，所述电子源结构还包括背电极，所述背电极贯穿所述钝化层与所述第二导电层电连接。
11.根据权利要求10所述的电子源结构，其特征在于：所述钝化层中还设置有刻蚀槽，其中，所述第二导电层还位于所述刻蚀槽中，所述背电极与位于所述刻蚀槽中的所述第二导电层电连接。
12.根据权利要求9所述的电子源结构，其特征在于：所述第二基板中设置有控制电路，所述第二导电层与所述控制电路电连接。
13.根据权利要求12所述的电子源结构，其特征在于：还包括导电插塞，所述导电插塞垂向贯穿所述钝化层，所述导电插塞的一端与所述顶电极电连接，所述导电插塞的另一端与所述控制电路电连接。
14.根据权利要求12所述的电子源结构，其特征在于：还包括电场透镜，所述电场透镜位于所述钝化层上方，所述钝化层中设置有垂向贯穿所述钝化层的导电插塞，所述导电插塞的一端与所述电场透镜电连接，所述导电插塞的另一端与所述控制电路电连接。
