本公开涉及用于减少冷凝缺陷的热离子植入。
背景技术：
1、图案化工艺在集成电路(ic)制造中被广泛利用，其中，各种ic图案被转移到工件上以形成ic器件。图案化工艺可以涉及以下项：在工件上形成图案化层、在图案化层上形成抗蚀层、将抗蚀层暴露于经图案化的辐射、使暴露的抗蚀层显影以形成经图案化的抗蚀层、蚀刻图案化层、以及使用经蚀刻的图案化层来对工件进行图案化(例如，通过对由经蚀刻的图案化层暴露的工件的各部分进行掺杂和/或蚀刻)。随着ic技术向更小的技术节点迈进，为改善经蚀刻的图案化层的图案轮廓而实施的蚀刻工艺带来了其他挑战，例如会降低图案均匀性的残留气体以及相应的冷凝缺陷。因此，尽管现有的图案化工艺总体上足以达到其预期目的，但并非在所有方面都完全令人满意，而是需要加以改进。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种用于热离子植入的方法，包括：在工件上形成图案化堆栈；以及在图案化堆栈上执行光刻工艺和蚀刻工艺后，执行热离子植入工艺，以在工件中形成植入区域，其中，热离子植入工艺去除冷凝缺陷。
2、根据本公开的一个实施例，提供了一种用于热离子植入的方法，包括：执行蚀刻工艺，以在工件上形成多层植入掩模；执行热离子植入工艺，以在工件中形成植入区域，其中，热离子植入工艺使用多层植入掩模，并且热离子植入工艺将工件暴露在去除蚀刻工艺产生的冷凝缺陷的温度下；以及去除多层植入掩膜。
3、根据本公开的一个实施例，提供了一种用于热离子植入的方法，包括：在衬底上形成三层图案化堆栈，其中，三层图案化堆栈包括设置在衬底上的底层、设置在底层上的中间层以及设置在中间层上的顶层；通过对三层图案化堆栈的顶层进行图案化来形成蚀刻掩模；通过在三层图案化堆栈的中间层上执行第一干蚀刻和在三层图案化堆栈的底层上执行第二干蚀刻来形成植入掩模，其中，第一干蚀刻和第二干蚀刻中的每一个使用蚀刻掩模；执行热离子植入工艺，以在衬底中形成植入区域，其中，热离子植入工艺使用植入掩模，并且热离子植入工艺的温度高于植入掩模上的冷凝缺陷的沸点，以使冷凝缺陷从固态转变为气态；以及移除植入掩膜。
1.一种用于热离子植入的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述热离子植入工艺以在所述工件中形成所述植入区域包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求2所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
6.根据权利要求1所述的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻工艺包括：
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：执行脱卡工艺，其中，对所述脱卡工艺的参数进行调整，以去除所述冷凝缺陷。
9.一种用于热离子植入的方法，包括：
10.一种用于热离子植入的方法，包括：
