本发明的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备。本发明的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。注意，本发明的一个方式不局限于上述。作为本发明的一个方式的的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如触摸传感器)、输入输出装置(例如触摸面板)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
背景技术：
1、包括晶体管的半导体装置广泛应用于显示装置及电子设备，需要半导体装置的高集成化及高速化。例如，在高清晰的显示装置中使用半导体装置时，需要高集成的半导体装置。作为提高晶体管的集成度的方法之一，对微细的晶体管进行开发。
2、近年来，对可用于虚拟现实(vr：virtual reality)、增强现实(ar：augmentedreality)、替代现实(sr：substitutional reality)或者混合现实(mr：mixed reality)的显示装置的需求很高。将vr、ar、sr及mr总称为xr(extended reality：扩展现实)。为了提高现实感及沉浸感，xr用显示装置被要求清晰度高且颜色再现性高。作为上述显示装置，例如可以举出液晶显示装置、具备有机el(electro luminescence：电致发光)器件或发光二极管(led：light emitting diode)等发光器件(也称为发光元件)的发光装置等。
3、专利文献1公开了使用有机el器件(也称为有机el元件)的面向vr的显示装置。
4、[先行技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]国际专利申请公开第2018/087625号
技术实现思路
1、发明所要解决的技术问题
2、本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括微细的晶体管的半导体装置及其制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种小型半导体装置及其制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括通态电流大的晶体管的半导体装置及其制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置及其制造方法。
3、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
4、解决技术问题的手段
5、本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。第二晶体管包括第二半导体层、第二导电层、包括隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第二导电层重叠的区域的第四导电层、第五导电层以及第四绝缘层。第四导电层、第二绝缘层及第三绝缘层包括到达第二导电层的第二开口。第二半导体层与第四导电层的顶面及侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面接触。第四绝缘层设置在第二半导体层上。第五导电层设置在第四绝缘层上。第一绝缘层具有第五绝缘层与第五绝缘层上的第六绝缘层的叠层结构。第六绝缘层包括膜密度比第五绝缘层高的区域。
6、本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。第二晶体管包括第二半导体层、第二导电层、包括隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第二导电层重叠的区域的第四导电层、第五导电层以及第四绝缘层。第四导电层、第二绝缘层及第三绝缘层包括到达第二导电层的第二开口。第二半导体层与第四导电层的顶面及侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面接触。第四绝缘层设置在第二半导体层上。第五导电层设置在第四绝缘层上。第一绝缘层具有第五绝缘层与第五绝缘层上的第六绝缘层的叠层结构。第六绝缘层包括含氮量比第五绝缘层多的区域。
7、本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。第二晶体管包括第二半导体层、第三导电层、包括隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域的第四导电层、第五导电层以及第四绝缘层。第四导电层及第二绝缘层包括到达第三导电层的第二开口。第二半导体层与第四导电层的顶面及侧面、第二绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面接触。第四绝缘层设置在第二半导体层上。第五导电层设置在第四绝缘层上。第一绝缘层具有第五绝缘层与第五绝缘层上的第六绝缘层的叠层结构。第六绝缘层包括膜密度比第五绝缘层高的区域。
8、本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。第二晶体管包括第二半导体层、第三导电层、包括隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域的第四导电层、第五导电层以及第四绝缘层。第四导电层及第二绝缘层包括到达第三导电层的第二开口。第二半导体层与第四导电层的顶面及侧面、第二绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面接触。第四绝缘层设置在第二半导体层上。第五导电层设置在第四绝缘层上。第一绝缘层具有第五绝缘层与第五绝缘层上的第六绝缘层的叠层结构。第六绝缘层包括含氮量比第五绝缘层多的区域。
9、在上述半导体装置中，第一绝缘层优选包括第七绝缘层。第七绝缘层优选位于第五绝缘层与第一导电层之间。第七绝缘层优选包括膜密度比第五绝缘层高的区域。
10、在上述半导体装置中，第一绝缘层优选包括第七绝缘层。第七绝缘层优选位于第五绝缘层与第一导电层之间。第七绝缘层优选包括含氮量比第五绝缘层多的区域。
11、在上述半导体装置中，第一绝缘层的厚度优选为0.01μm以上且小于3μm。
12、在上述半导体装置中，第一导电层优选包含氧化物导电体。
13、在上述半导体装置中，第一导电层优选包括第六导电层以及第六导电层上的第七导电层。第七导电层优选包括第三开口。第一半导体层优选包括隔着第三开口与第六导电层接触的区域。第六导电层优选包含氧化物导电体。
14、在上述半导体装置中，第一半导体层及第二半导体层优选都包含铟。第二半导体层中的相对于所有的含有金属元素的原子数之和的铟的原子数的比率优选比第一半导体层高。
15、在上述半导体装置中，第一半导体层及第二半导体层优选都包含铟。第一半导体层中的相对于所有的含有金属元素的原子数之和的铟的原子数的比率优选比第二半导体层高。
16、发明效果
17、根据本发明的一个方式可以提供一种包括微细的晶体管的半导体装置及其制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种小型半导体装置及其制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种包括通态电流大的晶体管的半导体装置及其制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖的半导体装置及其制造方法。
18、注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。
1.一种半导体装置，包括：
2.一种半导体装置，包括：
3.一种半导体装置，包括：
4.一种半导体装置，包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
