本公开总体上涉及热处理系统。
背景技术：
1、本文所使用的热处理腔室是指加热诸如半导体晶片等工件的装置。该装置可以包括用于支撑一个或多个半导体晶片的支撑板和用于加热半导体晶片的能量源，例如加热灯、激光器或其他热源。在热处理期间，可以根据预设的温度状况在受控条件下加热半导体晶片。
2、许多半导体加热工艺要求晶片加热至高温，以便在晶片被制成装置时可以发生各种化学和物理转变。例如，在快速热处理期间，可以用一排灯通过支撑板将半导体晶片从大约300℃加热至大约1200℃，时间通常小于几分钟。在这些工艺中，主要目的是尽可能均匀地加热晶片。
技术实现思路
1、本公开实施例的方面和优势将在以下描述中部分阐述，或可从描述中理解，或可从实施例的实施中理解。
2、本公开的一个示例性方面涉及用于在热处理设备中支撑工件的支撑板。支撑板包括：基座；从基座延伸出的至少一个支撑结构，至少一个支撑结构被配置为在热处理期间支撑工件，其中，基座包括与第一透热率相关的第一部分和与第二透热率相关的第二部分，第二透热率高于第一透热率，其中，第二部分位于靠近至少一个支撑结构的位置，第二部分包括位于多个支撑销接触基座的位置的多个圆形区域，每个圆形区域具有在第二部分中的中心，该中心与多个支撑销中的对应的支撑销的中心重合，每个圆形区域的直径大于每个对应的支撑销的直径，其中，第一部分是基座的排除第二部分外的其余区域。
3、本公开的另一个示例性方面涉及用于在处理腔室中加热工件的方法。该方法包括：将工件放置在处理腔室中的支撑板上，支撑板用于在热处理期间支撑工件，支撑板包括：基座；从基座延伸出的至少一个支撑结构，至少一个支撑结构被配置为在热处理期间支撑工件，其中，基座包括与第一透热率相关的第一部分和与第二透热率相关的第二部分，第二透热率与第一透热率不同，其中，第二部分位于靠近至少一个支撑结构的位置；以及，利用多个发热灯热源通过基座和至少一个支撑结构加热工件。
4、参考以下描述和所附权利要求可以更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优势。并入本文并构成本说明书一部分的附图说明了本公开的实施例，并结合描述一起解释相关原理。
1.一种支撑板，用于在热处理设备中支撑工件，所述支撑板包括：
2.根据权利要求1所述的支撑板，其中，所述第二部分包括未经处理的石英，并且所述第一部分包括已处理的石英，其中，所述已处理的石英相较于所述第二部分具有降低的光透射率。
3.根据权利要求1所述的支撑板，其中，所述已处理的石英是通过研磨、涂覆、雕刻或掺杂中的一种或多种来处理的。
4.一种用于在处理腔室中加热工件的方法，包括：
