钉架、霍尔电流传感器及其封装工艺的制作方法

    专利查询2025-08-07  27


    本申请属于霍尔电流传感器,尤其涉及一种钉架、霍尔电流传感器及其封装工艺。


    背景技术:

    1、霍尔效应是指当导电材料中有电流流过时,垂直于电流方向和磁场方向的方向上会产生电压差,而电流流过导体后会在导体周围产生磁场,因此可以利用霍尔效应检测导体电流的大小。

    2、在相关技术中,霍尔电流传感器可利用霍尔效应检测通电导体的电流大小,但霍尔电流传感器在工作时灵敏度差,需要对其进行改进。


    技术实现思路

    1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种钉架、霍尔电流传感器及其封装工艺,以增加霍尔电流传感器的检测灵敏度。

    2、第一方面,本申请提供了一种钉架,应用于霍尔电流传感器,包括:第一导电段、第二导电段、第三导电段及沿第一方向延伸的开口槽,所述第一导电段和所述第三导电段分别位于所述开口槽在第二方向的两侧;所述第二导电段的两端分别与所述第一导电段和所述第三导电段在所述第一方向的同一端相连,且分别位于所述开口槽在第二方向的两侧;

    3、其中,所述第二导电段在所述开口槽的端部设有第一安装槽,所述第一安装槽的宽度大于所述开口槽的槽宽;所述第二导电段的外壁设置有第二安装槽。

    4、根据本申请的钉架,通过设置所述第一安装槽的宽度大于所述开口槽的槽宽,可以增加所述第一安装槽的内壁周长,从而可增加第一安装槽在此处汇聚磁感应强度的能力,进一步提高霍尔电流传感器的检测精度。

    5、根据本申请的一个实施例,满足:1<h/l≤4;其中,h为所述开口槽的槽深,l为所述开口槽的槽宽。

    6、根据本申请的一个实施例,所述第一导电段的横截面积大于所述第二导电段的横截面积,所述第三导电段的横截面积大于所述第二导电段的横截面积。

    7、根据本申请的一个实施例,所述钉架包括被镀物和电镀于所述被镀物外表面的电镀层。

    8、根据本申请的一个实施例,所述第二安装槽包括两个,两个所述第二安装槽以所述第二导电段的对称轴为对称中心对称设置于所述第二导电段的外壁。

    9、根据本申请的一个实施例,所述第一导电段和所述第三导电段沿所述第二导电段的对称轴对称设置。

    10、第二方面,本申请提供了一种霍尔电流传感器,该霍尔电流传感器包括:传感组件和上述实施例中任一项所述的钉架;所述传感组件包括基板、第一霍尔传感单元和第二霍尔传感单元,所述基板的第一侧壁设置有所述第一霍尔传感单元和所述第二霍尔传感单元;所述第一霍尔电流传感单元在所述钉架的厚度方向上的投影位于第一安装槽内,所述第二霍尔电流传感单元在所述钉架的厚度方向上的投影位于第二安装槽内。

    11、根据本申请的一个实施例,所述基板的第一侧壁背离所述钉架设置;所述霍尔电流传感器还包括:封装模具;

    12、所述封装模具包括第一引脚和第二引脚,所述钉架键合于所述封装模具,且所述第一引脚与所述传感组件电连接,所述第二引脚与所述钉架电连接。

    13、根据本申请的一个实施例,所述第二引脚与所述钉架通过多根导线接合。

    14、根据本申请的一个实施例,所述基板的第一侧壁朝向所述钉架设置;所述霍尔电流传感器还包括:封装模具,所述封装模具具有第三引脚和第四引脚;

    15、所述传感组件还包括转接引脚,所述转接引脚的一端分别与所述第一霍尔传感单元和所述第二霍尔传感单元电连接,所述转接引脚的另一端与所述第三引脚电连接;所述第四引脚与所述钉架连接。

    16、根据本申请的一个实施例,所述第四引脚与所述钉架通过多根导线接合。

    17、第三方面,本申请提供了一种霍尔电流传感器的封装工艺,该霍尔电流传感器的封装工艺包括:包括:

    18、将钉架键合于所述封装模具,并将所述封装模具的第二引脚与所述钉架打线连接;

    19、将所述传感组件的第一侧壁安装到所述钉架,并将所述封装模具的第一引脚与所述传感组件打线连接。

    20、第四方面,本申请提供了一种霍尔电流传感器的封装工艺,该霍尔电流传感器的封装工艺包括:

    21、将钉架键合于所述封装模具,并将所述封装模具的第四引脚与所述钉架打线连接;

    22、将所述传感组件与所述传感组件的第一侧壁相对设置的第二侧壁安装到所述钉架,并将所述封装模具的第三引脚与所述传感组件打线连接。

    23、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。



    技术特征:

    1.一种钉架,应用于霍尔电流传感器,其特征在于,包括:第一导电段、第二导电段、第三导电段及沿第一方向延伸的开口槽,所述第一导电段和所述第三导电段分别位于所述开口槽在第二方向的两侧;所述第二导电段的两端分别与所述第一导电段和所述第三导电段在所述第一方向的同一端相连,且分别位于所述开口槽在第二方向的两侧;

    2.根据权利要求1所述的钉架,其特征在于,满足:1<h/l≤4;

    3.根据权利要求1所述的钉架,其特征在于,所述第一导电段的横截面积大于所述第二导电段的横截面积,所述第三导电段的横截面积大于所述第二导电段的横截面积。

    4.根据权利要求1所述的钉架,其特征在于,所述钉架包括被镀物和电镀于所述被镀物外表面的电镀层。

    5.根据权利要求1所述的钉架,其特征在于,所述第二安装槽包括两个,两个所述第二安装槽以所述第二导电段的对称轴为对称中心对称设置于所述第二导电段的外壁。

    6.根据权利要求1所述的钉架,其特征在于,所述第一导电段和所述第三导电段沿所述第二导电段的对称轴对称设置。

    7.一种霍尔电流传感器,其特征在于,包括:

    8.根据权利要求7所述的霍尔电流传感器,其特征在于,所述基板的第一侧壁背离所述钉架设置;所述霍尔电流传感器还包括:封装模具;

    9.根据权利要求8所述的霍尔电流传感器,其特征在于,所述第二引脚与所述钉架通过多根导线接合。

    10.根据权利要求7所述的霍尔电流传感器,其特征在于,所述基板的第一侧壁朝向所述钉架设置;所述霍尔电流传感器还包括:封装模具,所述封装模具具有第三引脚和第四引脚;

    11.根据权利要求10所述的霍尔电流传感器,其特征在于,所述第四引脚与所述钉架通过多根导线接合。

    12.一种如权利要求8或9所述的霍尔电流传感器的封装工艺,其特征在于,包括:

    13.一种如权利要求10或11所述的霍尔电流传感器的封装工艺,其特征在于,包括:


    技术总结
    本申请公开了一种钉架、霍尔电流传感器及其封装工艺,属于霍尔电流传感器领域。钉架包括:第一导电段、第二导电段、第三导电段及沿第一方向延伸的开口槽,第一导电段和第三导电段分别位于开口槽在第二方向的两侧;第二导电段的两端分别与第一导电段和第三导电段在第一方向的同一端相连,且分别位于开口槽在第二方向的两侧;其中,第二导电段在开口槽的端部设有第一安装槽,第一安装槽的宽度大于开口槽的槽宽;第二导电段的外壁设置有第二安装槽。本申请通过设置第一安装槽的宽度大于开口槽的槽宽,可以增加第一安装槽的内壁周长,从而可增加第一安装槽在此处汇聚磁感应强度的能力,进一步提高霍尔电流传感器的检测精度。

    技术研发人员:刘云鹏,孙剑文,卓启明
    受保护的技术使用者:合肥美镓传感科技有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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