本发明属于晶圆后处理，具体而言，涉及一种晶圆后处理方法。
背景技术：
1、集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光(chemicalmechanical polishing,cmp)属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。
2、完成化学机械抛光的晶圆需要进行清洗、干燥等后处理，以避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。常见的清洗方式有：双流体喷射清洗、滚刷清洗和兆声波清洗等；常见的干燥方式有：旋转干燥或马兰戈尼干燥等。
3、现有技术中，晶圆后处理需要在不同的工位分别处理，这需要配置多个处理腔，使得晶圆后处理装置的占地面积增加；同时，晶圆在多个处理腔之间传输，会增加晶圆二次污染的可能，致使无法获取符合工艺要求的洁净晶圆。
技术实现思路
1、本发明实施例提供了一种晶圆后处理方法，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
2、本发明的实施例提供了一种晶圆后处理方法，其包括：
3、s1，承载装置的第二承载体升起，将待处理的晶圆装载于第二承载体；
4、s2，第二承载体带动晶圆旋转，兆声喷淋作业装置摆动至晶圆上方，以兆声清洗晶圆；
5、s3，第二承载体下降，以将晶圆交互于承载装置的第一承载体；
6、s4，刷洗作业装置朝向晶圆摆动，使得滚刷位于晶圆的上下方，滚刷绕其轴线转动，以带动晶圆旋转而刷洗晶圆；
7、s5，晶圆刷洗完成后，刷洗作业装置复位，以喷淋清洗晶圆并甩干。
8、在一些实施例中，所述承载装置的外周侧设置有防护罩，其能够沿竖向移动；步骤s1中，承载装置外周侧的防护罩位于低位，以防止装载的晶圆与所述防护罩发生干涉。
9、步骤s2中，所述防护罩位于高位，以阻挡并引导晶圆表面离心分散的清洗废液，防止清洗废液离心飞溅至箱体的内侧壁。
10、步骤s3中，同心设置于第一承载体内部的第二承载体沿竖直方向移动，以改变第二承载体与第一承载体之间的高度差。
11、在一些实施例中，所述第一承载体为环状结构，其周向间隔设置有多个限位轮，以定位待处理的晶圆；所述第二承载体配置有多个卡柱，所述卡柱沿周向间隔设置，以夹持待处理的晶圆；其中，所述限位轮与所述卡柱在周向上交错设置。
12、步骤s4中，所述刷洗作业装置的滚刷自第一承载体的缺口，朝向水平承载的晶圆摆动；所述滚刷摆动过程中，滚刷与晶圆之间设置有间隙。
13、在一些实施例中，所述缺口朝向所述刷洗作业装置的安装侧设置，所述缺口大于所述滚刷的外径。
14、在一些实施例中，所述滚刷的长度大于或等于待处理晶圆的半径，所述滚刷能够沿竖直方向移动，以靠近或远离晶圆表面。
15、在一些实施例中，所述滚刷的数量为一对，并且，滚刷的转动方向相反，以通过滚刷与晶圆之间的摩擦力带动晶圆旋转。
16、在一些实施例中，所述滚刷包括第一滚刷段和第二滚刷段，所述第一滚刷段靠近待处理晶圆的中心，所述第一滚刷段的清洗能力小于所述第二滚刷段的清洗能力。
17、在一些实施例中，所述第一滚刷段的长度为滚刷长度的1/10-1/8，其外周侧的凸起尺寸和/或疏密度小于第二滚刷段的对应参数。
18、在一些实施例中，所述刷洗作业装置朝向晶圆摆动之前，刷洗作业装置上的喷液杆朝向滚刷喷射液体，使得滚刷处于浸润状态。
19、步骤s5中，所述第二承载体带动晶圆旋转，所述兆声喷淋作业装置先朝向晶圆喷射化学液，清洗液喷淋作业装置再朝向晶圆喷射去离子水，喷气装置最后朝向晶圆喷射干燥气体，以实现晶圆的单片清洗。
20、在一些实施例中，所述兆声喷淋作业装置、清洗液喷淋作业装置及喷气装置的至少两个能够集成为一体。
21、在一些实施例中，所述兆声喷淋作业装置配置有兆声喷头，所述兆声喷头相对于晶圆表面的夹角可调，以根据工况调整兆声喷头的清洗能力。
22、在一个实施例中，所述兆声喷淋作业装置自晶圆的中心朝向晶圆的边缘摆动，所述兆声喷头在晶圆边缘的清洗能力大于其在晶圆中心的清洗能力。
23、本发明的有益效果包括：
24、a.提供的晶圆后处理方法，在单个后处理腔室实施晶圆的兆声清洗、滚刷清洗、喷射清洗及干燥处理，避免晶圆在多个处理腔之间的传输，抑制晶圆传输过程的二次污染，同时提高晶圆后处理的作业效率；此外，晶圆后处理系统的整体体积小于多个处理腔室对应的体积的总和，有利于缩小晶圆后处理装备在fab厂中的空间占用；
25、b.承载组件的第一承载体与第二承载体同心设置，并且，第二承载头能够沿竖直方向移动，以便于承接待处理的晶圆；同时，第二承载头能够将晶圆移动至高位，以便于晶圆的喷射清洗及干燥处理；
26、c.刷洗作业装置的滚刷倾斜设置于晶圆的上下侧，以利用滚刷与晶圆之间的摩擦力带动晶圆绕其轴线可靠旋转；
27、d.滚刷配置有第一滚刷段和第二滚刷段，该第一滚刷段靠近待处理晶圆的中心，并且，该第一滚刷段的清洗能力小于第二滚刷段的清洗能力，以防止晶圆中心区域过度清洗而影响器件的性能；
28、e.兆声喷淋作业装置配置有兆声喷头，该兆声喷头相对于晶圆表面的夹角可调，以根据工况调整兆声喷头的清洗能力；
29、f.兆声喷淋作业装置自晶圆的中心朝向晶圆的边缘摆动，该兆声喷头在晶圆边缘的清洗能力大于其在晶圆中心的清洗能力，以加强晶圆边缘区域的清洗；
30、g.兆声喷淋作业装置、清洗液喷淋作业装置及喷气装置的至少两个能够集成为一体，以减少作业装置对箱体中空间的占用，提高晶圆后处理系统日常维护的便捷性。
1.一种晶圆后处理方法，其特征在于，包括
2.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述承载装置的外周侧设置有防护罩，其能够沿竖向移动；步骤s1中，承载装置外周侧的防护罩位于低位，以防止装载的晶圆与所述防护罩发生干涉。
3.如权利要求2所述的晶圆后处理方法，其特征在于，步骤s2中，所述防护罩位于高位，以阻挡并引导晶圆表面离心分散的清洗废液，防止清洗废液离心飞溅至箱体的内侧壁。
4.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，步骤s3中，同心设置于第一承载体内部的第二承载体沿竖直方向移动，以改变第二承载体与第一承载体之间的高度差。
5.如权利要求4所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述第一承载体为环状结构，其周向间隔设置有多个限位轮，以定位待处理的晶圆；所述第二承载体配置有多个卡柱，所述卡柱沿周向间隔设置，以夹持待处理的晶圆；其中，所述限位轮与所述卡柱在周向上交错设置。
6.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，步骤s4中，所述刷洗作业装置的滚刷自第一承载体的缺口，朝向水平承载的晶圆摆动；所述滚刷摆动过程中，滚刷与晶圆之间设置有间隙。
7.如权利要求6所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述缺口朝向所述刷洗作业装置的安装侧设置，所述缺口大于所述滚刷的外径。
8.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述滚刷的长度大于或等于待处理晶圆的半径，所述滚刷能够沿竖直方向移动，以靠近或远离晶圆表面。
9.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述滚刷的数量为一对，并且，滚刷的转动方向相反，以通过滚刷与晶圆之间的摩擦力带动晶圆旋转。
10.如权利要求9所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述滚刷包括第一滚刷段和第二滚刷段，所述第一滚刷段靠近待处理晶圆的中心，所述第一滚刷段的清洗能力小于所述第二滚刷段的清洗能力。
11.如权利要求10所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述第一滚刷段的长度为滚刷长度的1/10-1/8，其外周侧的凸起尺寸和/或疏密度小于第二滚刷段的对应参数。
12.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述刷洗作业装置朝向晶圆摆动之前，刷洗作业装置上的喷液杆朝向滚刷喷射液体，使得滚刷处于浸润状态。
13.如权利要求1所述的晶圆后处理方法，其特征在于，步骤s5中，所述第二承载体带动晶圆旋转，所述兆声喷淋作业装置先朝向晶圆喷射化学液，清洗液喷淋作业装置再朝向晶圆喷射去离子水，喷气装置最后朝向晶圆喷射干燥气体，以实现晶圆的单片清洗。
14.如权利要求13所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述兆声喷淋作业装置、清洗液喷淋作业装置及喷气装置的至少两个能够集成为一体。
15.如权利要求13所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述兆声喷淋作业装置配置有兆声喷头，所述兆声喷头相对于晶圆表面的夹角可调，以根据工况调整兆声喷头的清洗能力。
16.如权利要求15所述的晶圆后处理方法，其特征在于，所述兆声喷淋作业装置自晶圆的中心朝向晶圆的边缘摆动，所述兆声喷头在晶圆边缘的清洗能力大于其在晶圆中心的清洗能力。
