本申请属于电子，尤其涉及一种半导体器件以及半导体器件的使用方法。
背景技术：
1、单向导通器件可以是一种具有单向导电性能的电子器件，例如二极管，其结构简单、功能多样，在电子电路中发挥着重要作用。
2、对于不同材质的单向导通器件在性能方面存在一定偏差。例如，碳化硅二极具有优秀的反向恢复性能，但是，其在高温工作状态时，正向压降较大，即会造成较大的导通损耗。硅二极管具有较好的正向压降，但其反向恢复能力较差。
3、相关技术中，对二极管的正向压降以及反向恢复能力，往往是二者择一，难以同时兼顾二极管的导通损耗以及反向恢复能力。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体器件以及半导体器件的使用方法，能够兼具半导体器件低损耗导通的性能以及优秀反向恢复能力。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件，包括：
3、第一单向导通模块；正向压降控制模块，正向压降控制模块与第一单向导通模块并联连接，第一单向导通模块的反向恢复时间小于第二单向导通模块的反向恢复时间，并且第一单向导通模块的正向压降大于第二单向导通模块的正向压降。
4、一种实施方式中，正向压降控制模块包括第二单向导通模块以及第一开关模块，第二单向导通模块的第一端与第一开关模块的第一端连接，第二单向导通模块的第二端与第一单向导通模块的电信号输出端连接；第一开关模块的第二端与第一单向导通模块的电信号输入端连接。
5、一种实施方式中，第二单向导通模块包括一个或多个相互并联的硅二极管。
6、一种实施方式中，第一开关模块包括晶体管，晶体管的输入端与第一单向导通模块的电信号输入端连接，晶体管的输出端与第二单向导通模块连接，晶体管的控制端用于接收控制信号。
7、一种实施方式中，第一单向导通模块包括碳化硅二极管；碳化硅二极管的第一极与正向压降控制模块的电信号输入端连接，碳化硅二极管的第二极与正向压降控制模块的电信号输出端连接。
8、一种实施方式中，第一单向导通模块与第二单向导通模块的电压等级相同，并且第一开关模块与第二单向导通模块的电流等级相同。
9、第二方面，本申请实施例提供了一种第一方面或第一方面任意一项实施方式中半导体器件的使用方法，方法包括：响应于确定主动管按照第一驱动信号工作，第一驱动信号包括第一使能信号以及第一非使能信号；在确定第一驱动信号为使能信号的第一时刻，向半导体器件发送第二非使能信号；在第二时刻，向半导体器件发送第二使能信号；第二时刻半导体器件中第一单向导通模块的反向恢复时间以及正向压降控制模块的最小脉冲时间确定。
10、本申请实施例的半导体器件包括，第一单向导通模块以及正向压降控制模块。其中，正向压降控制模块与第一单向导通模块并联连接。并且，第一单向导通模块具有较好的反向恢复性能，正向压降控制模块具有较低的导通损耗。在确定半导体器件处于截止状态后，可以控制正向压降控制模块截止，使电路中的反向恢复电流全部通过第一单向导通模块，从而使半导体器件具有较好的反向恢复能力。并且，通过控制正向压降控制模块导通，从而能够使正向压降控制模块承担大部分的半导体器件的导通损耗，使半导体器件具有较低的导通损耗。因此，半导体器件在正向导通以及反向截止的不同工况下，能够使用相应的模块进行工作，从而使半导体器件在不同工况下能够实现其不同性能，即，导体器件在正向导通时，能够具有较小的正向压降，即具有较低的导通损耗；在反向截止时，具有较好的反向恢复能力，即具有较低的反向恢复损耗。以此避免半导体器件在电路中难以同时兼容低导通损耗能力和反向恢复能力的问题，实现半导体器件的导通损耗以及反向恢复损耗的解耦，以此来降低半导体器件的损耗，进而促进性能的提升与成本的降低。
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述正向压降控制模块包括第二单向导通模块以及第一开关模块，所述第二单向导通模块的第一端与所述第一开关模块的第一端连接，所述第二单向导通模块的第二端与所述第一单向导通模块的电信号输出端连接；所述第一开关模块的第二端与所述第一单向导通模块的电信号输入端连接。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一单向导通模块包括碳化硅二极管；
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一单向导通模块与所述第二单向导通模块的电压等级相同，并且第一开关模块与所述第二单向导通模块的电流等级相同。
7.一种权利要求1-6中任一项所述的半导体器件的使用方法，其特征在于，所述方法包括：
