本发明属于陶瓷生产，具体的说是一种新型的陶瓷生产工艺。
背景技术：
1、活性金属钎焊(amb)是一种将陶瓷与金属封接的方法，是在dbc技术的基础上发展而来的，活性金属钎焊是一种新的陶瓷基板生产技术，可以将纯铜钎焊在陶瓷上，从而提供具有独特散热功能的高可靠性基板，相比于传统的dbc基板，采用amb工艺制备的陶瓷衬板具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。
2、在对陶瓷材料进行加工时，通常是首先对无氧铜以及陶瓷基材进行真空烧结，烧结完成后，再通过蚀刻的方式，将无氧铜以及钎焊料封接在陶瓷基材上，而这种方式较为繁琐复杂，在生产时操作步骤较多，导致陶瓷生产的效率较低。
3、为此，本发明提供一种新型的陶瓷生产工艺。
技术实现思路
1、为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种新型的陶瓷生产工艺，该生产工艺具体步骤如下：
3、s1：首先选取合适大小形状的陶瓷基材，对陶瓷基材进行预处理后，采用丝网印刷的方式在将导电浆料直接涂布在陶瓷基体上；
4、s2：对无氧铜进行激光图形切割，得到所需的无氧铜材质的线路图形；
5、s3：将无氧铜切割出的线路图形与涂布有导电浆料的陶瓷基材贴附合并后，一同放入真空烧结炉中，对线路图形与陶瓷基材进行高温烧结，使得线路图形牢固附着于陶瓷基材的表面上，得到钎焊料成品；
6、s4：对烧结完成的钎焊料进行蚀刻加工，待蚀刻加工完成后，即可完成后陶瓷材料的生产。
7、优选的，其中s1中所述陶瓷基材的预处理包括清洗、干燥、喷砂或阳极氧化。
8、优选的，其中s4中对钎焊料进行蚀刻加工所采用的蚀刻剂，应采用碱性的蚀板液(如氯化铜、氨水、氯化铵)对钎焊料进行蚀刻，同时需配合加速剂、防侧蚀剂以及压抑剂配合使用。
9、优选的，所述加速剂可采用碱性蚀刻添加剂(如cp-320)，以促使氧化反应，防止亚铜错离子沉淀。
10、优选的，所述防侧蚀剂(护岸剂)可采用苯甲酸钠、苯胺类化合物或吡啶类化合物，其可吸附在金属表面，形成一层保护膜，阻止蚀刻剂与无氧铜表面的直接接触，以防止侧向腐蚀的发生。
11、优选的，所述压抑剂可采用氟化铵、硫酸铜、草酸、乙二酸或柠檬酸盐，其可阻止金属离子与蚀刻剂发生反应，从而降低蚀刻速率，以用于压抑氨的流散、铜的沉淀以及加速蚀铜的氧化反应。
12、优选的，其中s3中真空烧结后的陶瓷基材可采用对流冷却或二氧化碳冷却的方式进行冷却。
13、优选的，其中s4中蚀刻所需要的时间与温度，需要根据蚀刻的深度、蚀刻的面积以及采用的蚀刻剂的蚀刻速率来进行确定。
14、本发明的有益效果如下：
15、1.本发明所述的一种新型的陶瓷生产工艺，通过采用将切割出的无氧铜贴附在陶瓷基材表面，并对陶瓷基材进行真空烧结加工，之后通过蚀刻的方式对陶瓷基材进行处理，可使得新型的陶瓷生产工艺相较于传统的生产工艺更加省时，同时图形精确度更高。
1.一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：1.一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于，该生产工艺具体步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：其中s1中所述陶瓷基材的预处理包括清洗、干燥、喷砂或阳极氧化。
3.根据权利要求1所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：其中s4中对钎焊料进行蚀刻加工所采用的蚀刻剂，应采用碱性的蚀板液(如氯化铜、氨水、氯化铵)对钎焊料进行蚀刻，同时需配合加速剂、防侧蚀剂以及压抑剂配合使用。
4.根据权利要求3所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：所述加速剂可采用碱性蚀刻添加剂(如cp-320)。
5.根据权利要求3所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：所述防侧蚀剂(护岸剂)可采用苯甲酸钠、苯胺类化合物或吡啶类化合物。
6.根据权利要求3所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：所述压抑剂可采用氟化铵、硫酸铜、草酸、乙二酸或柠檬酸盐。
7.根据权利要求1所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：其中s3中真空烧结后的陶瓷基材可采用对流冷却或二氧化碳冷却的方式进行冷却。
8.根据权利要求1所述的一种新型的陶瓷生产工艺，其特征在于：其中s4中蚀刻所需要的时间与温度，需要根据蚀刻的深度、蚀刻的面积以及采用的蚀刻剂的蚀刻速率来进行确定。
