本公开涉及包括基板集成波导的芯片封装件以及制造这样的芯片封装件的方法。
背景技术：
1、在诸如雷达系统等射频应用中，从芯片到天线技术的转变在性能和成本方面可能是至关重要的。用于射频应用的芯片封装件的制造商和开发商正在不断努力改进其产品。在这方面，希望提供具有改进的性能和更低的成本的芯片封装件。此外，希望提供用于制造这样的芯片封装件的合适的方法。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种芯片封装件。该芯片封装件包括半导体芯片和基板集成波导。基板集成波导包括第一金属层、布置在第一金属层之上的第二金属层和布置在第一金属层与第二金属层之间的电介质基板。芯片封装件还包括形成在第二金属层中的槽以及电耦合半导体芯片和第二金属层的信号线。当在垂直于第二金属层的方向上观察时，信号线与槽交叉(cross)。
2、本公开的另一方面涉及一种用于制造芯片封装件的方法。该方法包括生成基板集成波导的动作。基板集成波导包括第一金属层、布置在第一金属层之上的第二金属层和布置在第一金属层与第二金属层之间的电介质基板。该方法还包括在第二金属层中形成槽的动作。该方法还包括通过信号线提供第二金属层和半导体芯片的电耦合的动作。当在垂直于第二金属层的方向上观察时，信号线与槽交叉。
1.一种芯片封装件，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中所述基板集成波导(2)包括在所述第一金属层(4)与所述第二金属层(6)之间延伸的过孔连接部(14)。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装件，其中所述槽(10)被配置为：
4.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)被配置为：
5.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，还包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装件，其中所述信号线(12)和所述至少一个接地线(16)形成共面波导。
7.根据权利要求5或6所述的芯片封装件，其中所述信号线(12)和所述至少一个接地线(16)形成在布置在所述第二金属层(6)之上的第三金属层(18)中。
8.根据权利要求7所述的芯片封装件，还包括：
9.根据权利要求5至8中任一项所述的芯片封装件，其中：
10.根据权利要求9所述的芯片封装件，其中所述槽(10)被布置为使得信号在所述槽(10)周围在所述第一接触部(22)与所述第二接触部(24)之间传播所需要的最小距离(32)在λ/2至3λ/2之间，其中λ是所述信号的波长。
11.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)的总长度约为n倍λ/2，其中λ是所述信号的波长，并且n是自然数。
12.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)的总长度在λ/2至λ的范围内，其中λ是所述信号的波长。
13.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)的宽度被配置用于对经由所述基板集成波导(2)的信号传输和经由所述信号线(12)的信号传输进行阻抗匹配。
14.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)的宽度在20μm至600μm的范围内。
15.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述槽(10)被形成为u形形状。
16.根据权利要求15所述的芯片封装件，其中所述基板集成波导(2)具有缩短的端部(26)，并且其中所述u形形状的开口与所述基板集成波导(2)的所述缩短的端部(26)相对。
17.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，还包括：
18.根据权利要求17所述的芯片封装件，其中所述启动器包括形成在所述第一金属层(4)中的至少一个耦合元件。
19.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中当在垂直于所述第二金属层(6)的方向上观察时，所述基板集成波导(2)至少部分地在所述半导体芯片下方延伸。
20.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述信号的频率大于1ghz，并且所述半导体芯片包括单片微波集成电路。
21.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，其中所述芯片封装件是倒装芯片球栅阵列封装件。
22.根据前述权利要求中任一项所述的芯片封装件，还包括：
23.一种用于制造芯片封装件的方法，其中所述方法包括：
