本发明涉及半导体构件的制造方法。
背景技术：
1、半导体材料形成有结构的半导体构件被广泛用于半导体元件等。例如，形成有鳍结构作为栅部的鳍场效应晶体管是已知的(例如参照专利文献1)。例如，半导体元件中使用的结构会对元件的动作特性造成影响，因此，优选以精密形状来形成。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2017/047286号
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本发明的一个目的是提供半导体元件等中使用的半导体构件的新型制造方法。
3、用于解决问题的方案
4、根据本发明的一个方式，提供一种半导体构件的制造方法，其具有如下工序：
5、准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备由导电性半导体构成的晶圆和配置在前述晶圆的上表面上的掩模，
6、通过将前述处理对象物浸渍于蚀刻液，并从前述晶圆的前述上表面侧照射光，从而对前述晶圆进行光电化学蚀刻的工序，
7、在对前述晶圆进行光电化学蚀刻的工序中，
8、通过对前述晶圆的前述掩模的外侧部分进行蚀刻，从而在前述掩模的下方形成凸部，
9、通过对前述凸部的彼此相对的前述第一侧面和前述第二侧面进行蚀刻直至第一侧面与第二侧面之间的全宽度耗尽为止，从而使前述第一侧面和前述第二侧面的蚀刻自动停止。
10、发明的效果
11、可提供半导体元件等中使用的半导体构件的新型制造方法。
1.一种半导体构件的制造方法，其具有如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体构件的制造方法，其中，所述掩模包含线状部分，
3.根据权利要求1所述的半导体构件的制造方法，其中，所述掩模包含岛状部分，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体构件的制造方法，其还具有下述工序：
