加工装置的制作方法

    专利查询2025-11-05  1


    本发明涉及具有搬送晶片的搬送机构的加工装置。


    背景技术:

    1、如专利文献1所公开的那样,利用研磨垫对晶片进行研磨的研磨装置将研磨垫的下表面推抵于卡盘工作台所保持的晶片的上表面而进行研磨。另外,将收纳有多个晶片的盒配置在研磨装置的盒载台上,从盒中向卡盘工作台搬送晶片。收纳于盒中的多个晶片按照每个晶片而具有厚度差。

    2、因此,研磨时,直至研磨垫的下表面与晶片的上表面接触为止的时间根据每个晶片而不同。详细而言,使位于晶片的上方的研磨垫高速下降而接近晶片,然后使研磨垫的下降速度成为低速而使研磨垫与晶片接触而进行研磨。为了确保高速下降的研磨垫与晶片接触而不使晶片破损,设定能够在晶片的上方形成微小的间隙的高度位置,使研磨垫高速下降至该高度位置。并且,按照高速下降的研磨垫不与收纳在盒中的最厚的晶片接触的方式留有余地,设定从高速下降切换成低速下降的高度位置。由于这样的理由,存在因晶片的厚度差而导致研磨垫接触为止的时间变长、研磨时间变长的问题。存在想要解决该问题而缩短研磨时间的要求。

    3、另外,存在想要在进行研磨加工之前获知在搬送至研磨装置的盒中是否收纳有不当的晶片的要求。

    4、另外,存在希望通过对研磨后的晶片的厚度进行测量而获知研磨加工已正常完成的要求。

    5、如专利文献2、专利文献3公开的那样,已知在加工装置所具有的搬送机构中追加厚度测量用的传感器类而测量晶片的厚度的方案。通过利用搬送机构测量晶片的厚度,能够满足以上的各要求。

    6、另外,不仅在利用研磨垫进行研磨的研磨装置中,在利用磨削磨具进行磨削的磨削装置、利用切削刀具进行切削的切削装置等中,也存在与上述相同的要求。例如,通过使磨削装置中将磨削磨具从高速下降切换成低速下降的高度位置和切削装置中将切削刀具从高速下降切换成低速下降的高度位置根据每个晶片的厚度而优化,能够缩短磨削时间和切削时间。另外,通过对磨削或切削前的晶片的厚度进行测量,能够判别是否未提供不当的晶片。另外,通过测量磨削后的晶片的厚度,能够判别磨削磨具的磨削加工是否正常完成。因此,上述的要求对应于包含研磨装置、磨削装置、切削装置等的对晶片进行加工的所有加工装置。

    7、专利文献1:日本特开2018-200960号公报

    8、专利文献2:日本特开2021-053716号公报

    9、专利文献3:日本特开2021-062418号公报

    10、以往,在使用搬送机构测量晶片的厚度的情况下,需要追加厚度测量用的传感器等,存在装置结构变得复杂且昂贵的问题。因此,如研磨装置那样对晶片进行加工的加工装置存在低价地测量晶片的厚度的课题。


    技术实现思路

    1、本发明的一个方式是加工装置,其具有:台,其利用保持面对晶片进行保持;加工机构,其对该晶片进行加工;以及搬送机构,其相对于该台搬送该晶片,其中,该搬送机构具有:搬送垫,其具有从下表面朝向该晶片的上表面按照比该晶片的外形以及该保持面的外形小的环状喷射空气的空气喷射口,使该下表面与该晶片的上表面之间的该空气喷射口的内侧的吸引区域成为负压而对该晶片进行吸引保持;压力传感器,其测量该吸引区域的气压与大气压的压力差;升降机构,其使该搬送垫升降;高度识别部,其识别通过该升降机构而升降的该搬送垫的高度;以及厚度测量机构,其根据该高度识别部所识别的该搬送垫的高度来测量该晶片的厚度,该厚度测量机构具有:保持面高度测量部,其测量利用该升降机构使该搬送垫朝向该保持面下降且该压力传感器所测量的负压值向正压方向变化时的该搬送垫的高度作为保持面高度;晶片上表面高度测量部,其测量利用该升降机构使该搬送垫朝向该保持面下降并使该晶片介于该搬送垫的下表面与该保持面之间且该压力传感器所测量的负压值向正压方向变化时的该搬送垫的高度作为该晶片上表面高度;以及厚度计算部,其计算该保持面高度与该晶片上表面高度之差作为该晶片的厚度。

    2、例如,该保持面高度测量部测量该压力传感器所测量的负压值成为正压值时的该搬送垫的高度作为保持面高度,该晶片上表面高度测量部测量该压力传感器所测量的负压值成为正压值时的该搬送垫的高度作为该晶片上表面高度。

    3、作为另一方式,该加工装置具有吸引机构,该吸引机构使该台的该保持面与吸引源连通而利用该保持面对该晶片进行吸引保持,该晶片上表面高度测量部使该搬送垫朝向通过该吸引机构而赋予了吸引力的该保持面下降,使该搬送垫所吸引保持的该晶片吸引保持于该保持面,然后根据该压力传感器所测量的负压值的变化来测量该晶片上表面高度。

    4、具体地,该台是对通过该加工机构进行加工的该晶片进行保持的卡盘工作台或暂放该晶片的暂放台或对该晶片进行清洗的旋转清洗台。

    5、根据本发明的加工装置,能够利用搬送晶片的搬送机构低价地测量晶片的厚度。另外,能够利用搬送机构搬送晶片时的动作而高效地测量晶片的厚度。另外,由于进行参照了对晶片进行吸引保持的搬送垫的压力的测量,相对于晶片非接触地测量晶片的厚度。



    技术特征:

    1.一种加工装置,其具有:

    2.根据权利要求1所述的加工装置,其中,

    3.根据权利要求1或2所述的加工装置,其中,

    4.根据权利要求1所述的加工装置,其中,

    5.根据权利要求1所述的加工装置,其中,

    6.根据权利要求1所述的加工装置,其中,


    技术总结
    提供加工装置,利用加工装置低价测量晶片的厚度。加工装置具有:使搬送机构(21、22)的搬送垫(50)升降的升降机构(61);根据高度识别部(72)识别的搬送垫的高度测量晶片厚度的厚度测量机构(80)。厚度测量机构具有:保持面高度测量部(81),其测量使搬送垫朝向台(20)的保持面(28)下降且压力传感器(75)测量的吸引区域的负压值向正压方向变化时的搬送垫的高度作为保持面高度;晶片上表面高度测量部(82),其测量使搬送垫下降并使晶片介于搬送垫的下表面与保持面之间且压力传感器测量的负压值向正压方向变化时的搬送垫的高度作为晶片上表面高度;厚度计算部(83),其计算上述两高度之差作为晶片的厚度。

    技术研发人员:斋藤大
    受保护的技术使用者:株式会社迪思科
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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