本公开涉及一种电子组件和其中嵌设有电子组件的基板。
背景技术：
1、电容器是一种无源电子组件，并且对应于可储存电力的元件。在电容器的情况下，基本上，两个电极彼此相对，并且当向两个电极施加电压时，可在相应的电极中积累电荷。当施加直流电压时，电力被储存并且电流在电容器内部流动，但是当电荷累积完成时，电流停止流动。另外，当施加交流电压时，电极的极性改变并且交流电流流动。
2、根据设置在电极之间的绝缘体的类型，这种电容器可分为几种类型：诸如铝电解电容器(包括由铝形成的电极并且在铝电极之间具有薄的氧化物膜)、钽电容器(使用钽作为电极材料)、陶瓷电容器(在电极之间使用高介电常数电介质(例如钛酸钡))、多层陶瓷电容器(mlcc，具有多层结构并且使用高k陶瓷作为设置在电极之间的电介质)、薄膜电容器(在电极之间使用聚苯乙烯膜作为电介质)等。
3、另外，当诸如电容器等的电子组件嵌设在电路板中时，电子组件和电路图案可通过导电过孔连接。当形成穿透电路板的绝缘层的通路孔以形成导电过孔时，如果没有精确地形成通路孔，则电路图案和电子组件之间的连接性可能劣化。例如，如果没有根据预期的规格形成通路孔，则可能发生诸如有缺陷的镀覆接缝或有缺陷的镀覆凹坑的问题，这可能导致其中嵌设有电子组件的板的性能降低。
技术实现思路
1、本公开的一方面在于实现一种电子组件，该电子组件在嵌设于电路板中时具有与电路图案的改善的连接性。
2、本公开的一方面在于实现一种其中嵌设有电子组件的基板，该基板具有改善的可靠性。
3、根据本公开的一方面，通过示例提供了一种电子组件的新颖结构。一种电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，连接到所述内电极，并且包括低反射层。所述低反射层的表面的亮度低于所述主体的表面的亮度。
4、在所述低反射层的所述表面的图像中测量的色相饱和度明暗度(hsv)的亮度值可为45％或更小。
5、所述低反射层的所述表面的所述亮度和所述主体的所述表面的所述亮度可通过测量从相同光源发射的白光的反射光的强度来获得。
6、所述主体可包括在所述介电层和所述内电极堆叠的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，并且所述外电极的一部分可覆盖所述主体的所述第一表面的一部分。
7、可在所述主体的所述第一表面的另一部分上测量所述主体的所述表面的所述亮度，并且可在所述低反射层的设置在所述主体的所述第一表面上的区域的表面上测量所述低反射层的所述表面的所述亮度。
8、在所述低反射层的设置在所述主体的所述第一表面上的所述区域的厚度可为5μm或更大。
9、所述低反射层可包括含ni的镀层。
10、所述低反射层可包括ni-zn基材料。
11、所述ni-zn基材料还可包含s。
12、所述镀层可包含针状颗粒。
13、所述针状颗粒可包含na和cl中的至少一种。
14、所述低反射层可包括金属颗粒和设置在所述金属颗粒的表面上的氧化物膜。
15、所述金属颗粒可包含ni，并且所述氧化物膜可包含ni2o3。
16、所述低反射层还可包括绝缘体，所述金属颗粒分散在所述绝缘体中。
17、所述金属颗粒可包括与所述绝缘体和所述氧化物膜接触的至少一种颗粒。
18、所述低反射层可包括ni溅射层。
19、所述ni溅射层可包括ni-zn合金。
20、所述低反射层可设置在所述外电极的最外侧。
21、所述低反射层可直接连接到所述内电极。
22、所述外电极还可包括设置在所述主体和所述低反射层之间的基底层。
23、所述基底层可包括pd和cu中的至少一种。
24、所述主体可包括在所述介电层和所述内电极堆叠的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、位于所述第一表面和所述第二表面之间并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及位于所述第一表面和所述第二表面之间并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面。所述内电极可包括彼此交替设置的第一内电极和第二内电极。所述外电极可包括分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极的第一外电极和第二外电极。
25、所述第一内电极和所述第二内电极可分别延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第一外电极和所述第二外电极可分别覆盖所述主体的所述第三表面和所述第四表面。
26、所述第一内电极和所述第二内电极可分别延伸到所述主体的所述第五表面和所述第六表面，所述第一外电极和所述第二外电极可分别覆盖所述主体的所述第五表面和所述第六表面，并且所述主体在所述第二方向上的长度可大于所述主体在所述第三方向上的长度。
27、所述第一内电极可延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第二内电极可延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面。所述第一外电极和所述第二外电极可在所述主体的所述第三表面上在所述第三方向上交替设置且在所述主体的所述第四表面上在所述第三方向上交替设置。
28、所述第一内电极可延伸到所述主体的所述第五表面，并且所述第二内电极可延伸到所述主体的所述第五表面。所述第一外电极和所述第二外电极可设置在所述主体的所述第五表面上。
29、所述第一外电极可设置为多个第一外电极，并且所述第二外电极可基于所述第二方向设置在所述多个第一外电极之间。
30、所述第一外电极和所述第二外电极可不设置在所述主体的所述第六表面上。
31、所述第一外电极和所述第二外电极可不设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上。
32、所述第一内电极可延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第二内电极可延伸到所述主体的所述第五表面和所述第六表面。所述第一外电极可覆盖所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第二外电极可设置在主体的所述第五表面和所述第六表面上。
33、根据本公开的一方面，一种电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，连接到所述内电极，并且包括低反射层。在所述低反射层的表面的图像中测量的hsv的亮度值为45％或更小。
34、根据本公开的一方面，一种其中嵌设有电子组件的基板包括绝缘层、电路层以及与所述电路层连接的电子组件。所述电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上、连接到所述内电极并包括低反射层，并且所述低反射层的表面的亮度低于所述主体的表面的亮度。
35、根据本公开的一方面，一种电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，连接到所述内电极，并且包括ni-zn基材料作为所述外电极的最外部分。
36、所述ni-zn基材料的厚度可为5μm或更大。
37、所述ni-zn基材料还可包括s。
38、所述ni-zn基材料可包括针状颗粒。
39、所述针状颗粒可包含na和cl中的至少一种。
40、所述ni-zn基材料可包括ni-zn合金。
41、所述ni-zn基材料可直接连接到所述内电极。
42、所述外电极还可包括设置在所述主体和所述ni-zn基材料之间的基底层。
43、根据本公开的一方面，一种电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，连接到所述内电极，并且包括包含ni颗粒和氧化物膜的层作为所述外电极的最外层，所述氧化物膜设置在所述ni颗粒的表面上。
44、所述层还可包括绝缘体，所述ni颗粒分散在所述绝缘体中。
45、所述ni颗粒可包括与所述绝缘体和所述氧化物膜接触的至少一种颗粒。
46、包含所述ni颗粒和所述氧化物膜的所述层可直接连接到所述内电极。
47、所述外电极还可包括基底层，所述基底层设置在所述主体与包含所述ni颗粒和所述氧化物膜的所述层之间。
1.一种电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的电子组件，其中，在所述低反射层的所述表面的图像中测量的色相饱和度明暗度的亮度值为45％或更小。
3.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层的所述表面的所述亮度和所述主体的所述表面的所述亮度通过测量从相同光源发射的白光的反射光的强度来获得。
4.根据权利要求3所述的电子组件，其中，所述主体包括在所述介电层和所述内电极堆叠的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，并且
5.根据权利要求4所述的电子组件，其中，在所述主体的所述第一表面的另一部分上测量所述主体的所述表面的所述亮度，并且在所述低反射层的设置在所述主体的所述第一表面上的区域的表面上测量所述低反射层的所述表面的所述亮度。
6.根据权利要求4所述的电子组件，其中，在所述低反射层的设置在所述主体的所述第一表面上的区域的厚度为5μm或更大。
7.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层包括含ni的镀层。
8.根据权利要求7所述的电子组件，其中，所述低反射层包括ni-zn基材料。
9.根据权利要求8所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料还包含s。
10.根据权利要求7所述的电子组件，其中，所述镀层包含针状颗粒。
11.根据权利要求10所述的电子组件，其中，所述针状颗粒包含na和cl中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层包括金属颗粒和设置在所述金属颗粒的表面上的氧化物膜。
13.根据权利要求12所述的电子组件，其中，所述金属颗粒包含ni，并且所述氧化物膜包含ni2o3。
14.根据权利要求12所述的电子组件，其中，所述低反射层还包括绝缘体，所述金属颗粒分散在所述绝缘体中。
15.根据权利要求14所述的电子组件，其中，所述金属颗粒包括与所述绝缘体和所述氧化物膜接触的至少一种颗粒。
16.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层包括ni溅射层。
17.根据权利要求16所述的电子组件，其中，所述ni溅射层包括ni-zn合金。
18.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层设置在所述外电极的最外侧。
19.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述低反射层直接连接到所述内电极。
20.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述外电极还包括设置在所述主体和所述低反射层之间的基底层。
21.根据权利要求20所述的电子组件，其中，所述基底层包括pd和cu中的至少一种。
22.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述主体包括在所述介电层和所述内电极堆叠的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、位于所述第一表面和所述第二表面之间并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及位于所述第一表面和所述第二表面之间并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
23.根据权利要求22所述的电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极分别延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且
24.根据权利要求22所述的电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极分别延伸到所述主体的所述第五表面和所述第六表面，
25.根据权利要求22所述的电子组件，其中，所述第一内电极延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第二内电极延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且
26.根据权利要求22所述的电子组件，其中，所述第一内电极延伸到所述主体的所述第五表面，并且所述第二内电极延伸到所述主体的所述第五表面，并且
27.根据权利要求26所述的电子组件，其中，所述第一外电极设置为多个第一外电极，并且所述第二外电极基于所述第二方向设置在所述多个第一外电极之间。
28.根据权利要求26所述的电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极不设置在所述主体的所述第六表面上。
29.根据权利要求28所述的电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极不设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上。
30.根据权利要求22所述的电子组件，其中，所述第一内电极延伸到所述主体的所述第三表面和所述第四表面，并且所述第二内电极延伸到所述主体的所述第五表面和所述第六表面，并且
31.一种电子组件，包括：
32.根据权利要求31所述的电子组件，其中，所述低反射层包括含ni的镀层。
33.根据权利要求32所述的电子组件，其中，所述低反射层包括ni-zn基材料。
34.根据权利要求33所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料还包含s。
35.根据权利要求32所述的电子组件，其中，所述镀层包含针状颗粒。
36.根据权利要求35所述的电子组件，其中，所述针状颗粒包含na和cl中的至少一种。
37.根据权利要求31所述的电子组件，其中，所述低反射层包括金属颗粒和设置在所述金属颗粒的表面上的氧化物膜。
38.根据权利要求37所述的电子组件，其中，所述金属颗粒包含ni，并且所述氧化物膜包含ni2o3。
39.根据权利要求37所述的电子组件，其中，所述低反射层还包括绝缘体，所述金属颗粒分散在所述绝缘体中。
40.根据权利要求39所述的电子组件，其中，所述金属颗粒包括与所述绝缘体和所述氧化物膜接触的至少一种颗粒。
41.根据权利要求31所述的电子组件，其中，所述低反射层包括ni溅射层。
42.根据权利要求41所述的电子组件，其中，所述ni溅射层包括ni-zn合金。
43.一种其中嵌设有电子组件的基板，包括：
44.一种电子组件，包括：
45.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料的厚度为5μm或更大。
46.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料还包括s。
47.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料包括针状颗粒。
48.根据权利要求47所述的电子组件，其中，所述针状颗粒包含na和cl中的至少一种。
49.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料包括ni-zn合金。
50.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述ni-zn基材料直接连接到所述内电极。
51.根据权利要求44所述的电子组件，其中，所述外电极还包括设置在所述主体和所述ni-zn基材料之间的基底层。
52.根据权利要求51所述的电子组件，其中，所述基底层包括pd和cu中的至少一种。
53.一种电子组件，包括：
54.根据权利要求53所述的电子组件，其中，所述氧化物膜包含ni2o3。
55.根据权利要求53所述的电子组件，其中，所述层还包括绝缘体，所述ni颗粒分散在所述绝缘体中。
56.根据权利要求55所述的电子组件，其中，所述ni颗粒包括与所述绝缘体和所述氧化物膜接触的至少一种颗粒。
57.根据权利要求53所述的电子组件，其中，包含所述ni颗粒和所述氧化物膜的所述层直接连接到所述内电极。
58.根据权利要求53所述的电子组件，其中，所述外电极还包括基底层，所述基底层设置在所述主体与包含所述ni颗粒和所述氧化物膜的所述层之间。
59.根据权利要求58所述的电子组件，其中，所述基底层包括pd和cu中的至少一种。
