发光器件和包括该发光器件的显示装置的制作方法

    专利查询2025-11-06  4


    本说明书涉及一种发光元件(本文中也被称为发光器件)和包括该发光元件的显示装置,更具体地,涉及一种易于电连接和维修的发光元件以及包括该发光元件的显示装置。


    背景技术:

    1、近来,随着全面进入信息时代,可视地显示电子信息信号的显示装置正在迅速发展。正在不断进行各种研究,以开发薄型轻量化、消耗低电力并且具有性能提高的各种显示装置。

    2、在各种显示装置中,发光显示装置是指自主发光的显示装置。与液晶显示装置不同,发光显示装置不需要单独的光源并且因此可以被制造为轻质、薄型的显示装置。此外,因为发光显示装置在低电压下工作,所以发光显示装置在功耗方面是有利的。另外,因为发光显示装置在颜色、响应速度、视角和对比度(cr)的实现上也很优异,所以发光显示装置有望在各种领域中被采用。


    技术实现思路

    1、本说明书的实施例要实现的一个目的是提供一种易于电连接的发光元件。

    2、本说明书的实施例要实现的另一个目的是提供一种对于缺陷易于修复的显示装置。

    3、本说明书的实施例要实现的又一个目的是提供一种能够实现高分辨率的显示装置。

    4、本公开的目的不限于上述目的,并且上面没有提及的其他目的可以由本领域技术人员从以下的描述中清楚地理解。

    5、根据本说明书的一个实施例的发光元件可以包括:p型层;钝化层,设置成覆盖p型层的侧表面以及上表面的边缘;有源层,设置在p型层和钝化层的上方;n型层,设置在有源层的上方;以及n型电极,设置成覆盖钝化层的侧表面、有源层的侧表面、n型层的侧表面以及n型层的上表面。

    6、根据本说明书的另一个实施例的显示装置可以包括:基板,其上限定有包括多个子像素的多个像素;多个晶体管,分别设置在多个子像素的上方;第一平坦化层,设置在多个晶体管的上方;第一连接电极,设置在第一平坦化层上方并且连接到多个晶体管;第二连接电极,设置在第一平坦化层的上方并且与第一连接电极间隔开;以及发光元件,设置在第一连接电极和第二连接电极上方并且电连接到第一连接电极和第二连接电极,其中,发光元件包括p型半导体层、设置成覆盖p型半导体层的侧表面以及上表面的边缘的钝化层、设置在p型半导体层和钝化层上方的有源层、设置在有源层上方的n型半导体层以及设置成覆盖钝化层的侧表面、有源层的侧表面、n型半导体层的侧表面以及n型半导体层的上表面的n型电极。

    7、示例性实施例的其他细节包括在具体实施方式和附图中。

    8、根据本说明书的实施例,发光元件可以通过物理接触容易地电连接。

    9、根据本说明书的实施例,有缺陷的发光元件可以容易地被移除,这可以使得容易地修复显示装置的缺陷。

    10、根据本说明书的实施例,可以设置垂直型发光元件,其具有比水平型发光元件相对更大的发光面积,从而可以实现高分辨率显示装置。

    11、根据本公开的效果不限于以上例示的内容,更多的各种效果包含在本说明书中。



    技术特征:

    1.一种发光器件,包括:

    2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述钝化层设置成暴露所述第一类型半导体层的所述上表面的一部分,并且所述有源层接触所述第一类型半导体层的所述上表面的被暴露的一部分。

    3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述电极是透明电极。

    4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述电极设置为所述发光器件的侧表面和上表面的最外层。

    5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述电极的下端与所述第一类型半导体层的下端设置在同一平面上。

    6.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述钝化层设置在所述电极与所述第一类型半导体层之间。

    7.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一类型半导体层是掺杂有p型杂质的半导体层,所述第二类型半导体层是掺杂有n型杂质的半导体层,并且所述电极是n型电极。

    8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一类型半导体层是掺杂有n型杂质的半导体层,所述第二类型半导体层是掺杂有p型杂质的半导体层,并且所述电极是p型电极。

    9.一种显示装置,包括:

    10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一类型半导体层是掺杂有p型杂质的半导体层,所述第二类型半导体层是掺杂有n型杂质的半导体层,并且所述电极是n型电极。

    11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述发光器件的所述电极电连接到所述第二连接电极,并且所述发光器件的所述第一类型半导体层电连接到所述第一连接电极。

    12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一类型半导体层是掺杂有n型杂质的半导体层,所述第二类型半导体层是掺杂有p型杂质的半导体层,并且所述电极是p型电极。

    13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述发光器件的所述电极电连接到所述第一连接电极,并且所述发光器件的所述第一类型半导体层电连接到所述第二连接电极。

    14.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:

    15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二平坦化层被设置成暴露所述第二连接电极的一部分和所述第一连接电极,并且所述发光器件设置在所述第二连接电极的被暴露的一部分和被暴露的所述第一连接电极的上方。

    16.根据权利要求14所述的显示装置,还包括:

    17.根据权利要求14所述的显示装置,还包括:

    18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述导电层接触所述发光器件的侧表面的一部分。

    19.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述导电层通过形成在所述第二平坦化层中的接触孔与所述第二连接电极接触。

    20.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述导电层由透明导电氧化物制成。


    技术总结
    根据本说明书的实施例的发光元件可以包括:第一类型半导体层;钝化层,设置成覆盖第一类型半导体层的侧表面以及上表面的边缘;有源层,在第一类型半导体层和钝化层的上方;第二类型半导体层,在有源层的上方;以及电极,设置成覆盖钝化层的侧表面、有源层的侧表面、第二类型半导体层的侧表面以及第二类型半导体层的上表面。

    技术研发人员:田英浩
    受保护的技术使用者:乐金显示有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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