本公开涉及一种半导体器件，以及更特别地，涉及一种存储器系统、一种存储器系统的操作方法以及一种包括存储器系统的电子系统。
背景技术：
1、当电力关断时易失性存储器件丢失存储在其中的数据，但是与非易失性存储器件相比，易失性存储器件支持较快的速度。易失性存储器件包括动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)、静态ram(static ram，sram)、同步dram(synchronous dram，sdram)等。
2、随着存储器系统中包括的半导体芯片的集成度增加，在构成存储器模块的易失性存储器件中，存储单元单位的错误增加。为了解决这个问题，需要用于在保持存储器模块的性能的同时有效纠正错误的技术。
技术实现思路
1、本公开的一个或更多个实施例提供了一种能够在保持存储器模块的性能的同时有效地纠正错误的存储器系统。
2、进一步，本公开的一个或更多个实施例提供了一种存储器系统的操作方法。
3、再进一步，本公开的一个或更多个实施例提供了一种包括所述存储器系统的电子系统。
4、根据实施例的一方面，一种存储器系统包括：多个易失性存储器件；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述多个易失性存储器件，其中所述存储器控制器包括：主机接口，所述主机接口被配置为基于快速计算链路(compute express link，cxl)通信协议与主机装置通信；纠错水平(error correction level，ecl)管理器，所述纠错水平管理器被配置为通过所述主机接口从所述主机装置接收高速缓存行数据，并基于与所述高速缓存行数据相关联的单元可靠性信息和数据可靠性请求信息，输出纠错码(ecc)控制信号，所述ecc控制信号指示第一纠正水平和第二纠正水平中的一者作为纠错水平；以及ecc引擎，所述ecc引擎被配置为基于所述ecc控制信号指示所述第一纠正水平生成与所述高速缓存行数据相关联的第一奇偶校验符号，并基于所述ecc控制信号指示所述第二纠正水平生成额外奇偶校验符号。
5、根据实施例的一方面，一种操作存储器系统的方法包括：基于快速计算链路(cxl)通信协议从主机装置接收高速缓存行数据；基于与所述高速缓存行数据相关联的单元可靠性信息和数据可靠性请求信息中的至少一者，确定与所述高速缓存行数据相关联的纠错水平；基于所述纠错水平指示第一纠正水平，生成与所述高速缓存行数据相关联的第一奇偶校验符号；基于所述纠错水平指示第二纠正水平，生成包括额外奇偶校验符号的第二奇偶校验符号；以及将包括所述高速缓存行数据和所述第一奇偶校验符号或所述第二奇偶校验符号的码字写入多个易失性存储器件。
6、根据实施例的一方面，一种电子系统包括：主机装置；以及存储器系统，所述存储器系统包括多个易失性存储器件和存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述多个易失性存储器件并基于快速计算链路(cxl)通信协议与所述主机装置通信，其中所述存储器控制器被配置为：通过cxl接口从所述主机装置接收高速缓存行数据；基于单元可靠性信息和数据可靠性请求信息中的至少一者来确定与所述高速缓存行数据相关联的纠错水平；基于所述纠错水平指示第一纠正水平，生成与所述高速缓存行数据相关联的第一奇偶校验符号，将所述高速缓存行数据写入第一存储区，并将所述第一奇偶校验符号写入第二存储区；以及基于所述纠错水平指示第二纠正水平，生成额外奇偶校验符号，将所述高速缓存行数据写入所述第一存储区，将所述第一奇偶校验符号写入所述第二存储区，并将所述额外奇偶校验符号写入第三存储区。
1.一种存储器系统，所述存储器系统包括：
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述单元可靠性信息包括：高速缓存行索引，以及与包括在所述多个易失性存储器件中的目标存储单元相关联的单元可靠性程度，并且
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：管理所述单元可靠性信息、所述数据可靠性请求信息、以及指示所述纠错水平与所述单元可靠性信息和所述数据可靠性请求信息中的至少一者之间的关系的纠错水平信息。
4.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：基于包括在所述目标存储单元中的故障单元的数量和至少一个阈值，将所述目标存储单元的所述单元可靠性程度确定为多个单元可靠性水平中的一个单元可靠性水平。
5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：
6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：
7.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：
8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述单元可靠性信息包括：高速缓存行索引，所述高速缓存行索引是所述主机装置的高速缓存存储器中的所述高速缓存行数据临时存储在其中的区的地址；单元可靠性水平，所述单元可靠性水平对应于所述高速缓存行索引并指示所述目标存储单元的所述单元可靠性程度；以及单元错误位置，所述单元错误位置指示包括在所述目标存储单元中的故障单元的位置。
9.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：基于由包括在与所述高速缓存行数据对应的主机请求中的完整性指示符指示的完整性值和至少一个阈值，将所述数据的完整性程度确定为多个数据可靠性请求水平中的一个数据可靠性请求水平。
10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：
12.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：基于包括在与所述高速缓存行数据相关联的目标存储单元中的故障单元的数量大于第一阈值，并且由包括在与所述高速缓存行数据对应的主机请求中的完整性指示符指示的完整性值大于第二阈值，输出指示所述第二纠正水平的所述ecc控制信号。
13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述ecl管理器还被配置为：基于所述故障单元的数量小于或等于所述第一阈值或者所述完整性值小于或等于所述第二阈值，输出指示所述第一纠正水平的所述ecc控制信号。
14.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述ecc引擎还被配置为：通过基于包括所述第一奇偶校验符号和所述额外奇偶校验符号的第二奇偶校验符号解码与所述高速缓存行数据相关联的码字来纠正m个错误符号，以及
15.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述ecc引擎包括：
16.一种操作存储器系统的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述单元可靠性信息包括：高速缓存行索引，以及与包括在所述多个易失性存储器件中的目标存储单元相关联的单元可靠性程度，并且
18.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述码字写入所述多个易失性存储器件包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，将所述码字写入所述多个易失性存储器件还包括：基于所述纠错水平指示所述第二纠正水平，将所述额外奇偶校验符号写入所述多个易失性存储器件的第三存储区。
20.一种电子系统，所述电子系统包括：
