背景技术：
1、对于集成电路设计和制造，改善性能和降低成本的需求是持续的挑战。随着晶体管的尺寸持续缩小，实现半导体的大批量制造变得越来越困难和昂贵。通过构建改善电源性能的更有效的结构，可以潜在地实现成本节省。
2、然而，越来越普遍的是使用微过孔作为高密度互连封装衬底中的层之间的互连，以适应先进封装的高输入/输出(i/o)密度。这些先进封装可能需要更多的电源平面面积和多层中的多个分离电源平面，用于关键和高电流电源轨。因此，重要的是具有可以改善先进封装的连接、减小形状因子并减小阻抗和电感效应的连接解决方案。
技术实现思路
1.一种封装衬底，包括：
2.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，所述表面层包括将所述表面层彼此耦合的第一多个微过孔。
3.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，所述基层包括将所述基层彼此耦合的第二多个微过孔。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装衬底，其中，所述通孔过孔穿过所述芯层的所述顶表面延伸到所述表面层，并且在所述芯层的所述底表面下方延伸到所述基层。
5.根据权利要求4所述的封装衬底，还包括设置在所述芯层的所述顶表面与所述表面层之间的第一多个平面层。
6.根据权利要求5所述的封装衬底，其中，所述第一多个平面层没有微过孔。
7.根据权利要求4所述的封装衬底，还包括设置在所述芯层的所述底表面与所述基层之间的第二多个平面层。
8.根据权利要求7所述的封装衬底，其中，所述第二多个平面层没有微过孔。
9.根据权利要求5所述的封装衬底，其中，所述通孔过孔将所述第一多个平面层中的一个或多个与所述表面层耦合。
10.根据权利要求7所述的封装衬底，其中，所述通孔过孔将所述第二多个平面层中的一个或多个与所述基层耦合。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的封装衬底，其中，所述通孔过孔中的一个或多个提供所述表面层和所述基层之间的电源耦合。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的封装衬底，其中，所述通孔过孔中的一个或多个提供所述表面层和所述基层之间的接地耦合。
13.一种方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多个通孔过孔将所述表面层电耦合到所述基层。
15.根据权利要求13或14所述的方法，还包括将半导体器件耦合到所述表面层，其中，所述多个通孔过孔为耦合到所述表面层的所述半导体器件提供电源耦合和接地耦合。
16.一种电子部件，包括：
17.根据权利要求16所述的电子部件，其中，所述通孔过孔将所述第一多个平面层中的一个或多个与所述表面层耦合。
18.根据权利要求16所述的电子部件，其中，所述通孔过孔将所述第二多个平面层中的一个或多个与所述基层耦合。
19.根据权利要求16所述的电子部件，其中，所述通孔过孔中的一个或多个提供所述半导体器件和所述基层之间的电源耦合。
20.根据权利要求16所述的电子部件，其中，所述通孔过孔中的一个或多个提供所述半导体器件和所述基层之间的接地耦合。
