本技术涉及一种存储器装置。
背景技术：
1、易失性存储器装置是在电源被切断时存储在其中的数据丢失的存储器装置。非易失性存储器装置是即使在电源被切断时存储在其中的数据也保留的存储器装置。包括在存储器装置中的电子元件可根据温度以不同的性能操作。因此，可能需要温度补偿技术以不管温度如何维持存储器装置的恒定性能。
技术实现思路
1、根据本技术的实施方式的存储器装置可包括：控制信号生成电路，其被配置为在编程操作的多个操作时段当中的各个操作时段中以与当前温度对应的电压电平生成控制信号；以及位线控制电路，其被配置为响应于控制信号对位线进行充电。
2、根据本技术的实施方式的存储器装置可包括：控制信号生成电路，其被配置为响应于操作时段信号而基于第一温度补偿值和第二温度补偿值生成与位线的电压电平对应的位线电平信号，并且被配置为基于位线电平信号和第三温度补偿值来生成控制信号；以及位线控制电路，其被配置为响应于控制信号而对位线进行充电。
3、根据本技术的实施方式的存储器装置可包括：控制信号生成电路，其被配置为在编程操作期间在验证电压被施加到字线之前在位线被充电的时段中生成控制信号，其中，控制信号的电平在低于最大峰值电流温度的温度下的温度变化大于控制信号的电平在高于最大峰值电流温度的温度下的温度变化；以及位线控制电路，其被配置为响应于控制信号而对位线进行充电。
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路在所述多个操作时段当中的第一操作时段中以第一电平生成所述控制信号，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一操作时段包括在编程电压被施加到字线之前利用弱编程允许电压对所述位线进行充电的时段。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路在所述多个操作时段当中的第二操作时段中以第二电平生成所述控制信号，
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在低于所述最大峰值电流温度的温度下，所述第二电平的温度变化等于所述参考电平的温度变化。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第二操作时段包括在感测所述位线的状态之前所述位线被弱充电的时段。
7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路在所述多个操作时段当中的第四操作时段中以所述第二电平生成所述控制信号，并且
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路在所述多个操作时段当中的第三操作时段中以第三电平生成所述控制信号，
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第三操作时段包括所述位线被强充电，然后感测响应于验证电压基于存储器单元的状态而改变的所述位线的状态的时段。
10.一种存储器装置，该存储器装置包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路响应于与编程操作的第一操作时段对应的所述操作时段信号而通过从参考值减去所述第一温度补偿值来生成一值作为所述位线电平信号。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第一操作时段包括在编程电压被施加到字线之前利用弱编程允许电压对所述位线进行充电的时段。
13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路响应于与编程操作的第二操作时段对应的所述操作时段信号而通过从参考值减去所述第二温度补偿值来生成一值作为所述位线电平信号。
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述第二操作时段包括在感测所述位线的状态之前所述位线被弱充电的时段。
15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，在所述编程操作的第四操作时段中，所述操作时段信号与对应于所述第二操作时段的所述操作时段信号相同，并且
16.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制信号生成电路基于所述位线电平信号来确定第一电压电平，并且以通过将所述第三温度补偿值与所述第一电压电平相加而获得的第二电压电平输出所述控制信号，并且
17.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，基于存储器单元针对温度的编程特性和电流特性来确定所述第一温度补偿值。
18.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述第一温度补偿值具有负温度变化。
19.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，基于针对温度的峰值电流特性和位线稳定时间来确定所述第二温度补偿值。
20.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述第二温度补偿值在低于最大峰值电流温度的温度下为恒定值，并且在高于所述最大峰值电流温度的温度下具有负温度变化。
21.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述位线控制电路包括控制晶体管，所述控制晶体管响应于所述控制信号而向所述位线传送用于对所述位线进行充电的电压，并且
22.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述第三温度补偿值具有负温度变化。
23.一种存储器装置，该存储器装置包括：
