本公开总体涉及用于控制存储装置中的位线电压的方法。
背景技术：
1、随着半导体技术的进步，对更高的储存容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本提出了越来越高的要求。为了满足这些要求，半导体工业继续缩小半导体装置的尺寸。
2、本公开涉及存储装置及其操作方法。闪存(flash memory)装置是可电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性固态储存介质。闪存装置可以包括nor闪存装置和nand闪存装置。可以由闪存装置执行各种操作，诸如读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储单元的阈值电压改变为标称电平。对于nand闪存装置，可以在块级执行擦除操作，并且可以在页级执行编程操作或读取操作。
技术实现思路
1、本公开描述了用于模拟电源电路的方法和用于执行该方法的系统的实施例。
2、本公开的一些方面涉及一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法。所述方法可以包括使位线钳位调节电压和控制信号调节电压斜坡上升。所述方法还可以包括使位线钳位使能电压和控制信号使能电压斜坡上升。所述方法还可以包括在一个阶段中增大位线箝位电压，并且在两个阶段中增大控制信号电压。所述方法还可以包括降低所述控制信号电压。所述方法还可以包括使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降。所述方法还可以包括降低所述位线箝位电压。
3、根据一些方面，可以在同一第一时间点使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升。可以在所述第一时间点之后的同一第二时间点使所述位线钳位使能电压和所述控制信号使能电压斜坡上升。
4、根据一些方面，使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升可以包括：在所述第二时间点使所述位线箝位电压和所述控制信号电压从低电平增大，并且在第三时间点使所述控制信号电压从中间电平开始增大，使得所述位线箝位电压和所述控制信号电压在第四时间点分别达到他们的高电平。
5、根据一些方面，降低所述控制信号电压可以包括：在使所述位线箝位使能电压、所述位线箝位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降之前，使所述控制信号电压降低至所述低电平。
6、根据一些方面，使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降可以同时执行。使所述位线钳位使能电压斜坡下降以及开始降低所述位线钳位电压可以在同一第五时间执行。
7、本公开的一些方面涉及一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法。所述方法可以包括在第一位线端子和第二位线端子之间产生第一电压差。所述方法还可以包括使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第二电压差。所述第二电压差可以不同于所述第一电压差。所述方法还可以包括使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差。所述第三电压差不同于所述第一电压差和所述第二电压差。所述方法还可以包括多次重复：使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差。
8、根据一些方面，在第一位线端子和第二位线端子之间产生第一电压差可以包括：将第一电压增加到所述第一位线端子，并将所述第二位线端子保持在地电压电平，以在所述第一位线端子和所述第二位线端子之间形成所述第一电压差。
9、根据一些方面，使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第二电压差可以包括：以作为所述第二电压差的预定的固定值增大所述第一位线端子和所述第二位线端子，使得所述第一位线端子和所述第二位线端子基本上保持所述第一电压差。
10、根据一些方面，使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差可以包括：使所述第一位线端子和所述第二位线端子增大所述第三电压差，使得所述第一位线端子和所述第二位线端子基本上保持所述第一电压差。
11、根据一些方面，重复使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差可以包括重复使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差至少三次。：
12、本公开的一些方面涉及一种三维存储装置。所述三维存储装置可以包括：多条位线；电压发生电路，耦合到所述多条位线并被配置为向所述多条位线提供电压；以及控制器，被配置为控制所述电压发生电路。所述电压发生电路可以被配置为使位线钳位调节电压和控制信号调节电压斜坡上升。所述电压发生电路还可以被配置为使位线钳位使能电压和控制信号使能电压斜坡上升。所述电压发生电路还可以被配置为在一个阶段中增大位线箝位电压。所述电压发生电路还可以被配置为在两个阶段中增大控制信号电压。所述电压发生电路还可以被配置为降低所述控制信号电压。所述电压发生电路还可以被配置为使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降。所述电压发生电路还可以被配置为降低所述位线箝位电压。
13、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：在同一第一时间点使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升；并且在所述第一时间点之后的同一第二时间点使所述位线钳位使能电压和所述控制信号使能电压斜坡上升。
14、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：在所述第二时间点使所述位线箝位电压和所述控制信号电压从低电平开始增大，并且在第三时间点使所述控制信号电压从中间电平开始增大，使得所述位线箝位电压和所述控制信号电压在同一第四时间点分别达到他们的高电平。
15、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：在使所述位线箝位使能电压、所述位线箝位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降之前，使所述控制信号电压降低至所述低电平。
16、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：在同一第五时间，使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降并且使所述位线钳位电压开始降低。
17、本公开的一些方面涉及一种存储装置。所述存储装置包括：多条位线；电压发生电路，被配置为向所述多条位线提供电压；以及控制器，被配置为控制所述电压发生电路。此外所述控制器还可以被配置为：在第一位线端子和第二位线端子之间产生第一电压差；使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第二电压差；以及使所述第一位线端子和所述第二位线端子斜坡上升第三电压差。所述第一电压差、所述第二电压差和所述第三电压差彼此不同。
18、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：将第一电压增加到所述第一位线端子，并将所述第二位线端子保持在地电压电平，以在所述第一位线端子和所述第二位线端子之间形成所述第一电压差。
19、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以：使所述第一位线端子和所述第二位线端子增大作为所述第二电压差的预定的固定电压，使得所述第一位线端子和所述第二位线端子基本上保持所述第一电压差。
20、根据一些方面，所述控制器还可以被配置为控制所述电压发生电路，以重复以下操作至少四次：使所述第一位线端子和所述第二位线端子增大所述第三电压差，使得所述第一位线端子和所述第二位线端子基本上保持所述第一电压差。
21、根据一些方面，所述第一电压差可以在约0.25v和约0.95v之间的范围内。所述第二电压差可以约为0.25v。所述第三电压差可以为所述第二位线端子的目标电压与0.25v之间的差的四分之一。
22、本领域技术人员可以根据本公开的描述、权利要求和附图理解本公开的其他方面。
1.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述位线箝位调节电压和所述控制信号调节电压斜坡上升包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，降低所述控制信号电压包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，使所述位线钳位使能电压、所述位线钳位调节电压、所述控制信号使能电压和所述控制信号调节电压斜坡下降以及降低所述位线钳位电压包括：
6.一种用于控制三维存储装置中的位线电压的方法，包括如下操作：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(1)包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(2)包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(3)包括：
10.根据权利要求6所述的方法，其中，操作(4)包括：
11.一种三维存储装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储装置，其中所述外围电路还被配置为：
13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
15.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
16.一种存储装置，包括：
17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
18.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
19.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
20.根据权利要求16所述的存储装置，其中：
21.一种存储系统，包括：
22.根据权利要求21所述的存储系统，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
23.根据权利要求22所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
24.根据权利要求23所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
25.根据权利要求24所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
26.一种存储系统，包括：
27.根据权利要求26所述的存储系统，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
28.根据权利要求26所述的存储系统，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
29.根据权利要求26所述的存储系统，其中，所述控制器还被配置为控制所述存储装置，以：
30.根据权利要求26所述的存储系统，其中：
