本发明涉及晶圆加工，具体为一种晶圆吸附装置及晶圆处理设备。
背景技术：
1、晶圆级封装(wafer level packaging，缩写wlp)是一种先进的封装技术，因其具有尺寸小、电性能优良、散热好、成本低等优势，近年来发展迅速。随着晶圆级封装技术的快速发展，晶圆类型也随之增多。
2、晶圆的制造过程中，机械手从装载晶圆盒(loadport)取出晶圆并将其传送至工艺腔处，工艺腔中设有真空式吸盘，吸盘通过抽真空的方式吸附晶圆，在工艺腔中对晶圆进行相应的工艺处理。
3、传统的真空式吸盘的中心设有通孔，抽真空装置通过通孔将晶圆吸附在吸盘上。不同类型的晶圆所需要的吸附力是不一样的。例如，对于厚度小于300um的晶圆，如果吸附力太大会导致晶圆变形甚至碎片，对于某些关键工艺如湿法刻蚀，晶圆变形会影响其刻蚀的均匀性。对于厚度大于300um的晶圆，如果吸附力太小，晶圆在吸盘上高速旋转时存在掉落的风险。
4、基于此，目前急需要一种能够兼容不同类型晶圆的真空吸盘。
技术实现思路
1、针对上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种晶圆吸附装置及晶圆处理设备，该晶圆吸附装置能够兼容不同类型的晶圆。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、一种晶圆吸附装置，包括底盘、密封圈、抽真空模块和控制器，所述密封圈设置在所述底盘的上表面，所述抽真空模块与所述控制器连接；所述密封圈用于放置晶圆，所述晶圆放置于密封圈上时，所述晶圆、所述密封圈和所述底盘共同形成吸附腔室，所述抽真空模块与所述吸附腔室连通；所述控制器用于根据预设程序实时控制所述抽真空模块工作，使所述抽真空模块通过所述吸附腔室向所述晶圆施加吸附力，并将所述吸附力调节在预设范围内。
4、一种晶圆处理设备，包括工艺处理装置和所述的晶圆吸附装置，所述底盘固定设置在所述工艺处理装置上。
5、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
6、本发明提供的晶圆吸附装置通过晶圆、密封圈和底盘共同形成吸附腔室，吸附腔室与抽真空模块连通，针对不同类型的晶圆，控制器根据预设程序实时控制抽真空模块工作，抽真空模块通过吸附腔室向晶圆施加吸附力，并使吸附力被控制在适于该晶圆的预设范围内，从而使该晶圆吸附装置能够兼容不同类型的晶圆。
1.一种晶圆吸附装置，其特征在于，包括底盘(1)、密封圈(2)、抽真空模块(3)和控制器(4)，所述密封圈(2)设置在所述底盘(1)的上表面，所述抽真空模块(3)与所述控制器(4)连接；
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述底盘(1)的上表面开设有凹槽(12)，所述凹槽(12)与所述吸附腔室连通；
3.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述凹槽(12)包括n个支路槽，相邻支路槽之间的夹角*n＝360°，其中，n是大于等于2的正整数。
4.根据权利要求3所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述凹槽(12)包括四个支路槽，所述凹槽(12)的横截面呈十字形。
5.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述底盘(1)的上表面开设有环形卡槽，所述密封圈(2)固定在所述环形卡槽内，所述密封圈(2)的上表面与所述底盘(1)的上表面之间存在高度差。
6.根据权利要求5所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述晶圆(5)的晶圆翘曲度为正值时，所述高度差与所述晶圆翘曲度呈正相关；其中，所述晶圆(5)的边缘向其背面弯曲、中间凸起，则判断所述晶圆翘曲度为负值，所述晶圆(5)的边缘向其正面弯曲、中间凹陷，则判断所述晶圆翘曲度为正值。
7.根据权利要求6所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述吸附力与所述晶圆翘曲度的绝对值呈正相关。
8.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述预设程序包括第一对应关系，所述第一对应关系包括所述吸附力与晶圆类型之间的关系。
9.根据权利要求8所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述晶圆类型依据晶圆参数不同分类，所述晶圆参数包括晶圆尺寸、晶圆重量、晶圆翘曲度等中的一个或任意个的组合。
10.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述抽真空模块(3)包括真空管路(35)、真空电磁阀(31)、大气控制阀(32)和进气支路(36)，所述真空管路(35)与所述通孔(11)连通，所述真空电磁阀(31)设置在所述真空管路(35)的路径上，所述进气支路(36)接入至所述真空管路(35)上，所述大气控制阀(32)设置在所述进气支路(36)的路径上；
11.根据权利要求10所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述预设程序包括第二对应关系，所述第二对应关系包括所述吸附力与大气控制阀(32)的开度值之间的关系。
12.根据权利要求11所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述吸附力与所述大气控制阀(32)的开度值之间呈负相关。
13.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述预设程序包括函数关系，所述函数关系如下：
14.根据权利要求10所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述抽真空模块(3)还包括真空检测感应器(33)，所述真空检测感应器(33)连接到所述真空管路(35)，所述真空检测感应器(33)与所述控制器(4)连接，所述真空检测感应器(33)用于检测所述真空管路(35)内的真空度并反馈至所述控制器(4)。
15.根据权利要求14所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述预设程序包括第三对应关系，所述第三对应关系包括所述吸附力与所述真空度之间的关系。
16.根据权利要求15所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述吸附力与所述真空度之间呈正相关。
17.根据权利要求10所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述抽真空模块(3)还包括总阀(34)，所述总阀(34)设置在所述真空管路(35)的路径上，所述总阀(34)用于控制所述真空管路(35)的开闭。
18.根据权利要求10所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述进气支路(36)上设置有流量控制模块，所述流量控制模块与所述控制器(4)连接，所述控制器(4)用于通过所述流量控制模块控制所述进气支路(36)的充气流量。
19.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括工艺处理装置和如权利要求1-18任一项所述的晶圆吸附装置，所述底盘(1)固定设置在所述工艺处理装置上。
20.根据权利要求19所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述工艺处理装置为旋转机构，所述旋转机构用于驱动所述底盘(1)旋转。
21.根据权利要求19所述的晶圆处理设备，其特征在于，还包括测量装置，所述测量装置与所述控制器(4)连接，所述测量装置用于测量所述晶圆(5)的重量并反馈至所述控制器(4)。
22.根据权利要求19所述的晶圆处理设备，其特征在于，还包括红外传感器，所述红外传感器与所述控制器(4)连接，所述红外传感器用于检测所述晶圆(5)的翘曲度以及所述晶圆(5)的尺寸并反馈至所述控制器(4)。
