本发明涉及激光修正方法，尤其涉及对晶圆照射激光而进行激光加工的激光加工装置中的激光修正方法。
背景技术：
1、在半导体器件的制造领域中已知有利用层叠体而形成有多个器件的晶圆(半导体晶圆)，该层叠体通过在硅等基板的表面上层叠低介电常数绝缘体覆膜(low-k膜)和形成电路的功能膜而得到。就这样的晶圆而言，多个器件由格子状的街区(street)划分为格子状，通过将晶圆沿着分割预定线进行分割而制造各个器件。
2、low-k膜具有脆而易剥离的性质，因此在使用了刀片的切片中，有时low-k膜剥离而给器件带来损伤。为了应对这样的low-k膜的脆弱性及剥离性，已知有如下方法：通过激光烧蚀加工在分割预定线的两侧形成两条分割low-k膜的第一槽之后，在两条第一槽之间形成第二槽(例如专利文献1)。
3、在激光烧蚀加工中，使用用于形成第一槽的分离形状的分离激光(split laser)和用于形成第二槽的线形状的线激光(line laser)这两种激光。在这样的激光烧蚀加工中，在聚光透镜为一个的情况下，将分离激光与线激光的形状进行切换，由此可能发生晶圆上的聚光位置的偏移。另一方面，在聚光透镜有两个以上的情况下，虽然不需要形状的切换，但可能由于聚光透镜的相对位置的偏移而发生晶圆上的聚光位置的偏移。当在晶圆上聚光位置偏移时加工品质会恶化，因此需要调整该两种激光的聚光位置。
4、与上述点关联地，在专利文献1中公开了如下方法：对晶圆的器件区域内的分割预定线形成第一槽，并对外周剩余区域内的分割预定线形成第二槽，由此修正第一槽和第二槽的位置。
5、在先技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开2015-154009号公报
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、在专利文献1所述的方法中，对晶圆的外周部剩余区域进行加工，因此在分离激光与线激光的位置发生了偏移的情况下，有时在一部分形成不恰当的形状的激光槽。当存在不恰当的形状的激光槽时，可能成为在激光烧蚀加工后的刀片加工时刀片发生偏磨损的原因。
3、另外，根据晶圆的不同，有时由于图案或碎屑的影响等而难以检测激光槽的位置。在这样的晶圆中，可能无法正确地修正激光的聚光位置。
4、本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供能够精度良好地进行分离激光和线激光的位置的修正的激光修正方法。
5、用于解决课题的方案
6、为了解决上述课题，本发明的第一方案涉及一种激光修正方法，其中，激光修正方法包括如下步骤：一边使激光光学系统相对于对位用工件沿着加工进给方向进行相对移动，一边进行缘部切割加工并进行中空加工，在所述对位用工件中，至少激光照射面包含容易进行激光照射痕的检测的材料，在所述缘部切割加工中，经由激光光学系统使分离激光聚光到激光照射面而形成沿着加工进给方向彼此平行的两条第一槽，在所述中空加工中，经由激光光学系统使线激光聚光到激光照射面而形成第二槽；利用显微镜来检测第一槽和第二槽；以及基于第一槽和第二槽的检测结果来修正分离激光和线激光的聚光位置。
7、本发明的第二方案所涉及的激光修正方法在第一方案的基础上，对位用工件是带聚酰亚胺膜的晶圆或校准纸。
8、本发明的第三方案所涉及的激光修正方法在第一或第二方案的基础上，在进行缘部切割加工及中空加工时，使分离激光及线激光中的一方沿着加工进给方向扫描，并使分离激光及线激光中的另一方沿着相对于加工进给方向倾斜的方向扫描。
9、本发明的第四方案所涉及的激光修正方法在第一或第二方案的基础上，使分离激光及线激光为单脉冲的激光而聚光到对位用工件。
10、本发明的第五方案所涉及的激光修正方法在第一至第四方案中的任一方案的基础上，使分离激光与线激光在激光照射面上的重叠率为0。
11、本发明的第六方案所涉及的激光修正方法在第一至第五方案中任一方案的基础上，在对位用工件沿着加工进给方向形成有至少两个校准标记，基于校准标记和第一槽及第二槽的检测结果，来修正分离激光和线激光的聚光位置。
12、本发明的第七方案所涉及的激光修正方法在第一至第六方案中任一方案的基础上，对位用工件保持于相对于用于保持加工对象的工件的工作台而言另外的副工作台。
13、发明效果
14、根据本发明，能够精度良好地进行分离激光和线激光的位置的修正。
1.一种激光修正方法，其中，
2.根据权利要求1所述的激光修正方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的激光修正方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的激光修正方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光修正方法，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光修正方法，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光修正方法，其中，
