本发明涉及硅片清洗，具体而言，涉及一种硅片清洗保护剂及其制备方法和应用。
背景技术：
1、当前市售的硅片清洗剂为了清洗溶解切割后的硅粉颗粒，绝大多数都具有强碱性，并且药剂槽中溶液碱性会随着补药次数增加而逐渐增强。当清洗剂中的氢氧根离子完成对表面的硅粉颗粒以及二氧化硅膜腐蚀后，会继续和硅片基底材料发生各向异性腐蚀，导致生产中产生花片、氧化片等不良品，并且车间的清洗机还有不定期故障的风险，一旦机器无法运作导致硅片在药剂槽中长时间的浸泡，更是加大了硅片氧化的风险以及加重了腐蚀的程度，使硅片表面出现白斑，产生色差现象，降低太阳能电池的转换效率，影响成品率及产品质量。
2、并且，硅片上的某些脏污成分由于残留在硅片表面的时间过长，污染物发生氧化，氧化污染物强力吸附在硅片表面，以目前的清洗方式无法彻底清洗干净，其中切割后残留下来的油污及脱胶后残留的胶丝等都是清洗剂难以去除的脏污。
3、因此，开发一种硅片清洗保护剂，在硅片进入药剂槽进行清洗之前对硅片进行预处理，保护硅片表面不会被过度腐蚀的同时，与清洗剂形成协同作用达到更好的去污效果，具有重要意义。
4、有鉴于此，特提出本发明。
技术实现思路
1、本发明的第一目的在于提供一种硅片清洗保护剂，硅片在浸入清洗剂槽清洗前，先采用该硅片清洗保护剂进行预处理，能显著降低清洗后硅片的氧化片产出率和污片率。
2、本发明的第二目的在于提供一种如上所述的硅片清洗保护剂的制备方法。
3、本发明的第三目的在于提供一种如上所述的硅片清洗保护剂在硅片清洗中的应用。
4、为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
5、一种硅片清洗保护剂，按质量百分比计，包括耐碱保护组分5％-15％、表面活性剂5％-15％、酸催化剂0-5％、渗透剂5％-10％、杀菌剂1％-3％、保湿剂1％-5％以及余量的水。
6、一种如上所述的硅片清洗保护剂的制备方法，包括以下步骤：
7、将耐碱保护组分、表面活性剂、渗透剂、保湿剂、酸催化剂、杀菌剂和水按配方比例混合，即得。
8、一种如上所述的硅片清洗保护剂在硅片清洗中的应用。
9、一种硅片清洗方法，包括以下步骤：
10、将如上所述的硅片清洗保护剂加入位于清洗剂槽上游的水槽中，得到预处理溶液，将插入花篮中的硅片置入所述预处理溶液中，没过花篮，开启鼓泡、超声进行预处理，定期补加所述硅片清洗保护剂，并定期更换所述预处理溶液。
11、与现有技术相比，本发明的有益效果为：
12、(1)在硅片进入清洗剂槽进行清洗之前，采用本发明提供的硅片清洗保护剂对硅片进行预处理，能在保证清洗效果的同时让硅片清洗保护剂浸入硅片表面，当硅片表面的硅粉颗粒被清除干净后，减缓清洗剂进一步腐蚀硅片表面的速率，以此达到保护的作用，能显著降低清洗后的氧化片产出率。
13、(2)本发明提供的硅片清洗保护剂除了能保护硅片表面不会被过度腐蚀外，该硅片清洗保护剂还可以与清洗剂协同作用，达到更好的清洗效果，有效去除强力吸附在硅片表面的氧化污染物、切割后留下的油污和脱胶后残留的胶丝等难以去除的脏污，减少了部分顽固脏污，能显著降低清洗后硅片的污片率，减轻了后期的返工工作。
1.一种硅片清洗保护剂，其特征在于，按质量百分比计，包括耐碱保护组分5％-15％、表面活性剂5％-15％、酸催化剂0-5％、渗透剂5％-10％、杀菌剂1％-3％、保湿剂1％-5％以及余量的水。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗保护剂，其特征在于，所述耐碱保护组分包括烷基糖苷、腰果酚聚氧乙烯醚、烷基羟乙基丙氨酸单钠盐中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗保护剂，其特征在于，所述表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基苯基聚氧乙烯醚中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗保护剂，其特征在于，所述酸催化剂包括1-乙基-3-甲基咪唑硫酸氢盐、封闭型磺酸胺盐、二壬基萘二磺酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗保护剂，其特征在于，所述渗透剂包括仲烷基磺酸钠、烷基酚聚氧乙烯醚、醇醚磷酸酯、琥珀酸二辛酯钠盐、聚醚磷酸酯、非离子渗透剂fy-c12、聚氧乙烯醚中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗保护剂，其特征在于，所述杀菌剂包括苯甲酸钠和/或异噻唑啉酮；
7.如权利要求1-6任一项所述的硅片清洗保护剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.如权利要求1-6任一项所述的硅片清洗保护剂在硅片清洗中的应用。
9.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的硅片清洗方法，其特征在于，满足以下特征中的至少一种：
